VASP载流子有效质量计算
在计算完能带之后,可以对载流子(电子+空穴)的有效质量进行计算,考察其光电性质。以Si的能带结构为例,如图所示,其价带顶位于高对称点Gamma处,导带底大约位于X处。
由图可知,此时会产生四个方向的载流子迁移:Gamma –> L,Gamma –> K,X –> W,X –> Gamma,因此需要计算这四个方向的电子及空穴载流子的有效质量。
其具体计算步骤如下:
第一步:准备VPKIT.in文件,其文件内容如下:
注释:第1行,设置为1,表示生成计算有效质量的KPOINTS文件,设置为2则表示计算有效质量,即先设置为1,再设置为2。第2行,6表示在K点附近去6个离散点用于多项式拟合,不用改。第3行,0.015表示截断半径,不用改。第4行,4表示有4个有效质量任务