计算机原理如何求ram地址范围,计算机原理第4章 半导体存储器

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1、半导体存储器,第四章 半导体存储器,存储器,第4.1节 存储器 计算机存储器分类 (一)按材料分类 磁性存储器 如磁盘(软盘、硬盘)、磁带、磁芯 光盘 CDROM只读光盘：容量大、适合存放系统软件 CDRAM读写光盘：容量大、可改写、适合较高档 计算机的外存 半导体存储器 体积小，速度快，功耗低，是计算机的主要存储器。 CACHE、ROM、RAM均是半导体存储器，由大规模集成电路制成。,存储器,(二)按在计算机中的位置分类 内部存储器(内存) 通常直接与系统总线相连，可细分为： 内部CACHE 在CPU内作为一个高速的指令或数据缓冲区。一级CACHE，二级CACHE均指内部CACHE。 外部C。

2、ACHE 通常制作在主板上，比主存储器的速度快，介于内部CACHE和主存之间的一个缓冲区。 主存储器 计算机系统主要使用的空间。要求速度快，体积小，容量大。一般为半导体存储器。,存储器,外部存储器 通常是通过总线接口电路与系统总线相连。要求容量大、 掉电信息不丢失，速度可以慢些。如磁盘、光盘,半导体存储器,半导体存储器 (一)按器件分类 双极性TTL电路 速度较快(1050nS)、集成度低、功耗大、成本高 MOS NMOS和CMOS两种，现大量使用CMOS存储器，存储速度可达几纳秒。 特点：集成度高(单片可达1Gb)、功耗小、成本低 电荷耦合器 速度快、但成本较高,半导体存储器(重点),(二)。

3、按存储功能分类 读写存储器 随机读写存储器(RAM Random Access Memory) 可对任一单元进行读写，是计算机主存储器。62*系列 先进后出存储器(LIFO Last In First Out) 寄存器、堆栈 先进先出存储器(FIFO First In First Out) 寄存器、队列 只读存储器(ROM Read Only Memory) 只能读(用特殊方法可写入)，掉电信息不丢失，可作为主存储器存放系统软件和数据等。 ROM可分为：,半导体存储器(重点),固定ROM(掩膜ROM) 由制造厂家固化内容，不可修改 可编程只读存储器PROM 由用户固化内容，但不可修改 紫外线擦。

4、除只读存储器EPROM 27*系列：2716、2732、2764， 27040 电擦除只读存储器EEPROM、FLASH EEPROM(28*系列)：2817、28C64、28C256 FLASH：29F010、29F020,半导体存储器(重点),(三)半导体存储器的容量 表示存储器容量常用：字*位数 字：一个独立的信息单元，有独立统一的地址。 位数：一个信息单元的二进制长度(一般为1位、4位、8位) 例 一片62256为RAM存储器，容量为：32K*8 地址线15根 数据线8根 RAM的控制信号线3根( WE、OE、CE ) (62256逻辑图见后),RAM电路结构,第4.2节 RAM电路结。

5、构 基本概念 MOS型RAM一般可分为： SRAM(静态RAM) 使用触发器存储信息，速度快。如：6264 8k*8、 62256 32K*8、62010 128K*8 DRAM(动态RAM) 使用电容存储信息，速度慢，因电容有漏电，所以需要定时刷新。DRAM的刷新是按行进行刷新的。计算机中的主存多以DRAM为主。,内存的两种形式,计算机内存的两种常见形式 计算机上把内存芯片集成在一小条印刷电路板上，称为内存条。 常见的有30线、72线、168线、200线。这是指内存条与主板插接时有多少个接点(又称金手指) SIMM：单列存储器模块。只将芯片做在电路板的一边 DIMM：双列存储器模块。将内存芯。

6、片做在内存条两边，即电路板两边。,单地址译码,存储器的内部译码 一个1K*1的存储器，具有1024个存储单元，每个单元为1 位，存储器内部寻址可用单地址译码和双地址译码两种方式。 单地址译码,方法：由10根线产生1024根存储单元选择线，每根线选中一个存储单元。 缺点：引线太多，译码器为10:1024,制造较困难,双地址译码,双地址译码 用5根线译码产生32根行选择线，用另外5根线译码产生32根列选择线，共产生64根地址选择线。 注：此时可将RAM看作一个矩阵，读数据时需给出行地址信号RAS (Row Address Signal) 和列地址信号CAS (Column Address Sign。

7、al) 。通常先给RAS，再给CAS，经过一段时间延时，便可以在数据端读出数据 容量特别大时可采用多地址译码,由两个5:32 译码器组成行列形式选中单元，减少了引线,基本存储单元,基本存储单元 NMOS静态RAM的存储器单元电路如下,说明： T1,T2为开关管，T3,T4为负载管，导通电阻r3,r4r1,r2。T1T3和T2T4构成两个反向器按正反馈连接，构成触发器。 Xi高电平，T5,T6及其他与Xi相联的开关管导通，每一单元与数据线相连。Yi为高电平，T7,T8导通，此时仅有XiYi单元与外部数据线连通，可对该单元进行读写。,62256,典型存储器芯片和译码芯片 (一)62256 32K*。

8、8的CMOS静态RAM,62256工作表,27256,(二)27256 32K*8 EPROM,74LS138,(三)74LS138 3-8译码器,8086存储器系统,第4.3节 8086存储器系统 8086存储器空间 8086系统有20根地址线，16根数据线，寻址空间为1MB 偶地址数据由数据线低8位传送 奇地址数据由数据线高8位传送 奇、偶地址数据存取分别由BHE和A0控制(见下表),8086存储器空间,存储器连接的控制信号,存储器连接,存储器连接 例1 由2片62256(32K*8 RAM)组成64K*8 RAM的8086计算机存储器系统连接(两种方式) (一)控制奇偶片的写使能 WE 。

9、说明 地址信号A0A19和BHE是8086 CPU经锁存器8282或74LS373锁存后产生的信号 数据总线D0D15是8086 CPU的AD0AD15经8286或74LS245缓冲后产生的信号 MEMR和MEMW在最小模式下由8086 CPU的M/IO和RD、WR信号产生，在最大模式下由8288产生,存储器连接,IC0为偶地址存储器，其数据由数据总线低8位传送。IC1为奇地址存储器，其数据由数据总线高8位传送。由A0和BHE控制写信号实现奇偶地址写操作。 A16A19由74LS138译码选中存储器 三种情况 mov 2000h, al 从偶地址开始写一个字节 mov 2000h, ax 从偶。

10、地址开始写一个字 mov 2001h, ax 从奇地址开始写一个字,(二)控制奇偶片选 CS,全译码,存储器空间的使用 (一)全译码 采用全地址译码方式，计算机的全部地址空间都可以使用 例2 用2片62256(32K*8 RAM)和2片27256(32K*8 EPROM)组成8086计算机存储器系统。要求EPROM的起始地址为F0000H，RAM的起始地址为00000H，使用全地址译码方式，试画出计算机的存储器连接图，并写出地址范围。 说明 用2片74LS138(三-八译码器)对8086计算机系统的高四位地址进行译码，译出16个存储区域。 由A0和BHE与MEMW信号组合产生写选通。,全译码,。

11、部分译码,(二)部分译码 小系统中一般存储器的容量仅是CPU寻址空间的一部分，这时可采用部分译码电路 例3 用2片62256(32K*8RAM)组成一个64KB存储器 译码器译码 IC0和IC1地址为000000FFFFH 和800008FFFFH 地址有重叠,线译码,线译码 IC0和IC1地址范围为 000000FFFF 200002FFFF 400004FFFF 600006FFFF 800008FFFF A0000AFFFF C0000CFFFF E0000EFFFF 8个区互相重叠,线译码,不译码,不译码 例4 用2片27256(32K*8 EPROM)组成一个64KB存储器 这种译码。

12、方式将所有的地址空间都分配给了这2片EPROM,不译码,作业4： 试画出2716、2732、2764、27128、27256、27512、27010、27020、27040芯片的引脚图和逻辑图，写出功能表，并画出操作时序。 画出静态RAM 2114、6116、6264芯片的引脚图和逻辑图，写出功能表，并画出操作时序。 IBMPC/XT计算机扩展槽上与存储器连接的总线信号为20根地址线A19A0，8根数据线D7D0以及控制信号MEMR和MEMW。使用这些信号扩展1片2716(2K8 EPROM)和1片6116(2K8 RAM)。要求EPROM的起始地址为C0000H，RAM紧随其后，使用74LS138(38译码器)，采用全地址译码方式。试画出计算机的存储器连接图(门电路自选)。并写出各存储器的地址范围。