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微型计算机存储器详细分析

7.1 概述 一、定义 是计算机的重要组成部分，是CUP重要的系统资源之一。 CPU与存储器的关系如下图所示。 7.1.1 存储器的分类 按构成存储器的器件和存储介质分类： 按在微机系统中的位置分类： 7.1.2 半导体存储器的结构 半导体存储器一般由以下部分组成： 地址译码电路、存储体、三态数据缓冲器、控制逻辑 7.1.3 半导体存储器的主要性能指标 存储器性能指标主要有三项：存储容量、存取速度、带宽 7.2 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 动态随机存取存储器DRAM 7.2.1 静态随机存取存储器SRAM 基本存储单元 典型静态RAM存储器芯片——6116 二、典型动态RAM存储器芯片——2164 集成随机存取存储器(IRAM) IRAM是一种新型的动态存储器，它克服了DRAM需要外加刷新电路的缺点，将刷新电路集成到RAM的芯片内部，兼具两种RAM的优点。目前主要有Intel2186/2187(8K×8位) 视频随机存取存储器(VRAM) 专为视频图像处理设计，VRAM采用双端口设计，允许同时从处理器向视频存储器和随机存取内存数字～模拟转换器 传输数据 。 高速RAM 通过增加少量的额外逻辑电路，提高单位时间内的数据流量，即所谓的增加带宽。 例如：EDO DRAM SDRAM RDRAM DDR DRAM DDR2 DRAM DDR3 DRAM 7.3 只读存储器ROM 掩模式ROM—MROM(Mask ROM) 可编程ROM－PROM(Programmable ROM) 可擦除可编程ROM—EPROM(Erasable Programmable ROM) 电可擦除可编程ROM—EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM) 快擦型存储器(F1ash Memory) ROM存储位 MROM是厂家根据用户事先编写好的机器码程序，把0、1信息存储在掩模图形中而制成的芯片。芯片制成后，存储位的状态即0、1信息就被固定了。 PROM一种可由用户通过简易设备写入信息的ROM器件 。 基本存储单元 对于抗干扰要求较高的场合，普遍采用EPROM作为存储信息的存储器器件。 EPROM以27XXX命名，其中XXX表示容量，以K为单位。 主要型号有：2716(16K=2K*8位) 2732、2764、27128、27256、27512 27010(128K*8位=1M) 27080(1024K*8位=8M) EEPROM的特点： 1、采用+5V电擦写，是在写入过程中自动进行的。 2、对硬件电路要求简单，无需专用电路，只要按一定的时序要求，即可进行在线编程。 3、EEPROM除了有并行的总线传输的芯片外，还有串行传送的芯片。 并行结构的EEPROM以28XXX命名，其中XXX表示容量，以K为单位。 主要型号有：28512 28010(128K*8位=1M) 28040(512K*8位=4M) Flash Memory快擦型存储器： 是不用电池供电的、高速耐用的非易失性半导体存储器。结构与EPROM 相同。 其特点是： 可以整体电擦除(时间1S)和按字节重新高速编程。 是完全非易失性的，可以完全代替EERPOM。 能进行高速编程。 如: 28F256芯片，每个字节编程需100μs， 整个芯片0.5s； 最少可以擦写一万次，通常可达到10万次； CMOS 低功耗，最大工作电流30mA。 与EEPROM进行比较具有容量大、价格低、可靠性高等明显优势。 快擦型存储器还可应用于激光打印机、条形码阅读器、各种仪器设备以及计算机的外部设备中。 典型的芯片有27F256/28F016/28F020等。 7.5 存储器与CPU的连接 7.5.1 存储器与CPU连接时应注意的问题 7.5.2 存储器地址译码方法 7.5.3 存储芯片的扩展 7.5.1 存储器与CPU连接时应注意的问题 如何用CPU的存储器读写信号同存储器芯片的控制信号线连接，以实现对存储器的读写操作。 简单系统：CPU读写信号与存储器芯片的读写信号直接相连。复杂系统：CPU读写信号和其它信号组合后与存储器芯片的读写信号直接相连。 CPU读信号最终和存储器的读信号相连，CPU写信号最终和存储器的写信号相连。 若一个芯片内的存储单元是8位，则它