微机原理——存储器

存储器

本篇博客为微机原理的期末复习而做。希望可以和各位读者一同交流学习进步。

期末复习要求：

• 掌握半导体存储器的分类、功能与特点；

• 熟悉常用半导体存储器的芯片与容量；

• 掌握存储器系统的设计（存储器芯片与CPU连接应考虑的问题）；

  • 地址线、信号线、控制信号的连接；
  • 存储器芯片的寻址方式与地址范围的确定：线选法、全译码法、部分译码法；

• 根据掌握要求用存储器芯片组成存储系统：

  • 选择芯片数
  • 画出存储器系统的电路图
  • 确定各芯片的地址范围

• 存储器扩展技术

  • 位扩展
  • 字扩展
  • 字位扩展

一、半导体存储器的分类、功能与特点

存储器是计算机的重要组成部分，用来存放计算机系统工作时所用的信息——程序和数据。存储器由能够表示二进制数“0”和“1”的，具有记忆功能的一些物理器件组成。存储器能存放一位二进制数的物理器件成为一个存储元。若干个存储元构成一个存储单元。

内存（主存）：用于存放当前正在使用的程序和数据，CPU可以对它直接访问，存取速度快但是容量小。

外存（辅存）：用于存放一些CPU暂时不处理的程序和数据。当CPU要处理这些信息时，必须先将其调入内存。需通过专用设备才能对其进行读写操作。外存包括了软盘、硬盘、光盘等等。外存容量大，相对于内存来说，存取速度较慢。

1. 存储器的分类

   只读存储器ROM：用户只能在使用时读出其中信息，不能修改或写入新的信息，断电后，其信息不会消失。

   随机读取存储器RAM：存储器中的信息能读能写，且对存储器中任一单元的读或写操作所需要的时间基本是一样的。断电后，RAM的信息即消失。

   ROM：掩膜ROM（制造厂一次性写入）、PROM（用户自行写入，一次性的）、EPROM（用户自行写入，可用紫外线擦除，可多次写入）、$E^{2}PROM$（用户自行写入，可用电信号清除和改写，可多次写入，掉电不丢失）
   RAM：双极型半导体RAM（存取时间短，与MOS相比，集成度低，功耗大，价格高）、MOS型RAM（SRAM静态RAM，利用半导体触发器的两个稳定状态表示“0”或“1”，只要电源不撤除，信息不会消失，不需要刷新电路；DRAM动态RAM，利用电容端电压的高低来表示“1”和“0”，为了弥补漏电需要定时刷新。一般微机系统中的内存采用DRAM，配有刷新电路，每隔1-2ms刷新一次）

二、常用半导体存储器的芯片与容量

存储器的性能指标：存储容量、存储速度、可靠性、功耗。

存储容量是一块存储芯片上所能存储的二进制位数。假设存储芯片的存储单元数是M，一个存储单元所存储的信息的位数是N，则其存储容量为M*N。

芯片的存储容量和微机的存储容量的区别。

微机的存储容量是多片存储芯片所组成的总存储容量。微机的最大内存容量由CPU的总线来决定。实际的装机容量由实际使用的若干片存储芯片组成的总存储容量。

存储速度、可靠性、功耗不是考试重点本篇博客暂不列出，以节省复习时间。

存储器的基本结构：存储体（容量M*N）、地址寄存器（地址锁存器，锁存CPU送来的地址信号）、地址译码器（对地址信号进行译码，选择存储体要访问的存储单元）、读/写驱动电路（包括读出放大和写入电路）、数据缓冲器（芯片数据信号经双向三态门挂在数据总线上，未选中该片，呈高阻状态）、读/写控制电路（接受来自CPU的片选信号、读/写信号，对ROM只读，对DRAM刷新）。

“读”操作过程：送地址（CPU通过地址总线将地址送入地址寄存器，并译码）；发出“读”命令（CPU通过控制总线将“存储器读”信号送入读/写控制电路）；从存储器读出数据（读/写控制电路根据“读”信号和片选信号选中存储体中的某一存储单元，从该单元读出数据，送到数据缓冲器。再经过数据总线送到CPU）

“写”操作过程：送地址（CPU通过地址总线将地址送入地址寄存器，并译码）；发出“写”命令（CPU通过控制总线将“存储器写”信号送入读/写控制电路）；写入数据到存储器（读写控制电路根据“写”信号和片选信号选中存储体中的某一存储单元，将数据总线上的数据送到数据缓冲器，再写入到选中的存储单元）

典型的SRAM芯片

CMOS RAM芯片6264（8KB）

主要引脚功能：

1. 地址线 A0—A12；
2. 数据线 D0—D7；
3. 输出允许信号$\overline{OE}$；
4. 写允许信号：$\overline{WE}$；
5. 片选信号：$\overline{C{S}_1},C{S}_2$；

常用的SRAM还有6116、6232、62256，适用于较小系统。

译码电路

将输入的一组二进制编码变换为一个特定的输出信号，即：将输入的一组高位地址信号通过变换，产生一个有效的输出信号，用于选中某一个存储器芯片，从而确定了该存储器芯片在内存中的地址范围。

全地址译码：用全部的高位地址信号作为译码信号，使得存储器芯片的每一个单元都占据一个唯一的内存地址。
部分地址译码：用部分高位地址信号作为译码信号，使得被选中的存储器芯片占有几组不同的地址范围。

$A、B、C$是译码输入端，$G_1,\overline{G_{2A}},\overline{G_{2B}}$是使能端。

连线时需要注意的是：地址的方向仅能是CPU通向存储器，数据可以双向。

典型的DRAM
Intel 2164A（64K*1），8条地址线，2位数据线，3条控制线，两条电源线。地址线采用分时复用，由CAS（列选通）和RAS（行选通），从而实现16位地址线。

三、存储器扩展技术

用多片存储芯片构成一个需要的内存空间，它们在整个内存中占据不同的地址范围，任一时刻仅有一片（或一组）被选中——存储器的扩展。

位扩展

位扩展：当构成内存的存储器芯片的字长小于内存单元的字长时，就要进行位扩展，使每个单元的字长满足要求。

位扩展方法：将每片的地址线、控制线并联，数据线分别连接至数据总线不同位上。

位扩展特点：存储器的单元数不变，位数增加。

字扩展

字扩展：地址空间的扩展。芯片每个单元的字长满足，但单元数不满足。

字扩展方法：每个芯片的地址线、数据线、控制线并联，仅片选段分别引出，以实现每个芯片占据不同的地址范围。

字位扩展

根据内存容量及芯片容量确定所需芯片数
进行位扩展以满足字长要求
进行字扩展以满足容量要求
若已有存储芯片的容量为LK，要构成MN的存储器，需要的芯片数为：M/L * N/K

四、存储器系统的设计

1. 芯片选择；
   SRAM与CPU连接，不需要外围电路，连接简单，用于小型控制系统
   DRAM用于大型系统，因为需要刷新电路，比如PC机的内存条
   ROM通常用于存放固定的系统程序
2. 存储器芯片的基本地址；
3. 存储器芯片的容量扩充；
4. 存储器芯片与CPU连接；
   地址总线：地位直接相连，高位通过译码器相连。地址线的连接方式确定了芯片的地址。
   数据总线：8位芯片的数据线可以直接与8088CPU相连，与8086CPU相连要分成两个存储体；低于8位的要先扩充再相连。
   控制信号：系统总线中与存储器有关的控制信号有$\overline{OM}/M,\overline{RD},\overline{WR}（针对8088）$。