igbt原理动画演示视频_IGBT的结构与工作原理 测量方法详细讲解

IGBT全称绝缘栅双极晶体管，它是由BJT(双极型晶体管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电子电力器件，即具有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高的优点，又具有双极型功率晶体管的电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强的优点。

IGBT的结构

IGBT在结构上类似于MOSFET，其不同点在于IGBT是在N沟道功率管MOSFET的N+基板(漏极)上加了一个P+基板(IGBT)的集电极，行成PN结J1，并由此引出漏极，栅极和源极则完全与MOSFET相似。

如图所示：

正是由于IGBT是在N沟道MOSFET的N+基板上加一层P+基板，形成了四层结构，由PNP-NPN晶体管构成IGBT。但是，PNP晶体管和发射极由于铝电极短路，设计时尽量使NPN不起作用。所以说，IGBT的基本工作与NPN晶体管无关，可以认为是将N沟道MOSFET作为输入极，PNP晶体管作为输出极的单向达林顿管。

IEC规定：源极引出的电极端子(含电机端)称为发射极端(子)；

漏极引出的电极端(子)称为集