matlab igbt 关断,IGBT关断过程的分析

IGBT关断过程的分析

上一篇，我们写了基于感性负载下，IGBT的开通过程，今天，我们就IGBT的关断过程进行一个叙述。对于IGBT关断的可以基于很对方面进行分析，而今天我们从电压电流对IGBT的关断过程进行分析。

1前言

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是双极型晶体管(BJT)和场效应晶体管(MOSFET)的复合器件,IGBT将BJT的电导调制效应引入到VDMOS的高阻漂移区,大大改善了器件的导通特性,同时还具有MOSFET栅极输入阻抗高、开关速度快的特点。很多情况，由于对IGBT关断机理认识不清,对关断时间随电压和电流的变化规律认识不清,导致无法解释在使用过程中出现的电流拖尾长、死区时间长等现象,不能充分发挥IGBT的性能;导致IGBT因使用不当,烧毁。今天我们就IGBT关断时的电流和电压进行简单的叙述。

02关断机理

IGBT结构等同于n沟道MOSFET与pnp晶体管构成的达林顿结构,MOSFET的漏极与pnp晶体管的基极相连。等效电路和基本结构图如下：

IGBT的关断波形如下图所示，大致分为三个阶段：①关断延迟时间td(off)；②关断过程中电压上升到10%到电流下降到90%时间Δt；③关断下降时间tf。

IGBT关断时间表达式为：

toff=td(off)+Δt+tf

ICE=IMOS+IC(BJT)=Ids+Ice

BJT是一种电流控制型器件,发射极e和集电极c传导的工作电流受基极b引入的较小电流的控制,如等效电路所示,BJT受MOSFET漏极电流控制.在IGBT关断td(off)和Δt程中,MOSFET的门极电压Vgs减小至Miller平台电压Vmr,漏源电压Vds增大至Vds(max),而漏源电流Ids保持不变.由于Ib=Ids,BJT的集射极电流Ice受Ib控制,所以,在IGBT关断td(off)和Δt过程中,Ice电流仍然保持不变,如上图所示.由上式ICE等式可知,IGBT的集射极电