IGBT总结

最新推荐文章于 2025-03-17 01:46:14 发布

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分类专栏：硬件文章标签： IGBT

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_29545231/article/details/87421939

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IGBT是一种结合了MOSFET高输入阻抗和GTR低导通压降的功率半导体器件。它适用于直流电压600V以上的变流系统，如电机、变频器、电源等。IGBT具有驱动功率小、饱和压降低等优点，但也存在饱和压降较高和拖尾电流导致开关损耗的问题。文章深入浅出地解析了IGBT的内部结构、工作原理和作用，并对比了与MOSFET的区别，强调了在不同应用场景下的选择考虑因素。

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IGBT的内部结构及特点：

本文通过等效电路分析，通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用，并精简的指出了IGBT的特点。
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT比起MOSFET的优越性在于它可以节约硅片的面积及具有双极型晶体管电流的特性。但它也有两个缺点：由于有两个串联的PN结，它的饱和压降比较高，另外，IGBT有比较长的拖尾电流，会增加开关损耗。拖尾电流使它的开关频率限制在20kHz以下。因其开关频率刚好超过人的听觉范围，所以把它用在驱动工业电动机上很理想。

IGBT已经成为很多半导体公司的研究目标，它的拖尾时间也已经大大缩短了。原先，拖尾时间是us级，现在已经是ns级了，而且还将继续缩短。饱和电压也从大约4V降低到2V。虽然在低电压DC-DC变换器中，IGBT的使用还成问题，但在离线式和工业大功率变换器上有很大的需求。

IGBT与MOSFET有相同的栅极驱动特性，MOSFET的驱动IC用在IGBT上也可以很好地工作。

IGBT的内部示意图见下图：

IGBT的工作原理和作用通俗易懂版：

IGBT就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V(大于6V,一般取12V到15V)时IGBT导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了可靠关断。
IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。
IGBT有三个端子，分别是G,D,S,在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移(半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因)，本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的，变成了导体。如果撤掉加在GS两端的电压，这层导电的沟道就消失了，就不可以导电了，变成了绝缘体。