2019考研408计算机组成原理知识:只读存储器
2018-01-15 16:07
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考研集训营
2019考研计算机如何来复习呢?文都考研集训营建议参加2019考研计算机的考生可以开始看专业课最基础的知识点啦!今天,文都考研集训营小编为了帮助大家提升专业知识能力,整理了统考408科目当中的计算机组成原理知识,供考生参考。
2019考研408计算机组成原理知识:只读存储器
前面介绍的DRAM和SRAM均为可任意读/写的随机存储器,当掉电时,所存储的内容消失,所以是易失性存储器。只读存储器,即使停电,所存储的内容也不丢失。根据半导体制造工艺的不同,可分为ROM,PROM,EPROM,E2ROM和Flash Memory
1. 只读存储器(ROM)
掩模式ROM由芯片制造商在制造时写入内容,以后只能读而不能再写入。其基本存储原理是以元件的“有/无”来表示该存储单元的信息(“1”或“0”),可以用二极管或晶体管作为元件,显而易见,其存储内容是不会改变的。
2. 可编程序的只读存储器(PROM)
PROM可由用户根据自己的需要来确定ROM中的内容,常见的熔丝式PROM是以熔丝的通和断开来表示所存的信息为“1”或“0”。刚出厂的产品,其熔丝是全部接通的。根据需要断开某些单元的熔丝(写入)。显而易见,断开后的熔丝是不能再接通了,因而一次性写入的存储器。掉电后不会影响其所存储的内容。
3. 可擦可编程序的只读存储器(EPROM)
为了能修改ROM中的内容,出现了EPROM。利用浮动栅MOS电路保存信息,信息的改写用紫外线照射即可擦除。
4. 可电擦可编程序只读存储器(E2PROM)
E2PROM的编程序原理与EPROM相同,但擦除原理完全不同,重复改写的次数有限制(因氧化层被磨损),一般为10万次。
其读写操作可按每个位或每个字节进行,类似SRAM,但每字节的写入周期要几毫秒,比SRAM长得多。E2PROM每个存储单元采则2个晶体管。其栅极氧化层比EPROM薄,因此具有电擦除功能。
5. 快除读写存储器(Flash Memory)
F1ash Memory是在EPROM与E2PROM基础上发展起来的,其读写过程和E2PROM不同,F1ash Memory的读写操作一般是以块为单位。
计算机组成原理在408计算机综合考试中所占分值45分,说明是必考的重点内容,考生要在这部分多花时间复习。以上文都考研集训营给出的计算机组成原理知识,希望大家认真看。最后,无论考研路上多么的崎岖坎坷,文都伴随2019考研学子一路同行!
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