RAM和ROM和Flash ROM的区别

RAM(Random Access Memory)的全名为随机存取记忆体,它相当于PC机上的移动存储,用来存储和保存数据的。它在任何时候都可以读写,RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质(可称作系统内存)。

       不过,当电源关闭时RAM不能保留数据,如果需要保存数据,就必须把它们写入到一个长期的存储器中(例如硬盘)。正因为如此,有时也将RAM称作“可变存储器”。RAM内存可以进一步分为静态RAM(SRAM)和动态内存(DRAM)两大类。DRAM由于具有较低的单位容量价格,所以被大量的采用作为系统的主记忆。

ROM(Read Only Memory)的全名为唯读记忆体,它相当于PC机上的硬盘,用来存储和保存数据。ROM数据不能随意更新,但是在任何时候都可以读取。即使是断电,ROM也能够保留数据。但是资料一但写入后只能用特殊方法或根本无法更改,因此ROM常在嵌入式系统中担任存放作业系统的用途。现在市面上主流的PDA的ROM大小是64MB以及128MB。

    RAM和ROM相比,两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失,而ROM就不会。
由于ROM不易更改的特性让更新资料变得相当麻烦,因此就有了Flash Memory的发展 ,Flash Memory具有ROM不需电力维持资料的好处,又可以在需要的时候任意更改资料 ,不过单价也比普通的ROM要高。

       SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的。
       DRAM分为很多种,常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等,这里介绍其中的一种DDR RAM。
      DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存,而且它有着成本优势,事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上,也配备了高速DDR RAM来提高带宽,这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
        内存工作原理:内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序,我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM),动态内存中所谓的"动态",指的是当我们将数据写入DRAM后,经过一段时间,数据会丢失,因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
         具体的工作过程是这样的:一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷,有电荷代表1,无电荷代表0。但时间一长,代表1的电容会放电,代表0的电容会吸收电荷,这就是数据丢失的原因;刷新操作定期对电容进行检查,若电量大于满电量的1/2,则认为其代表1,并把电容充满电;若电量小于1/2,则认为其代表0,并把电容放电,藉此来保持数据的连续性。
         ROM也有很多种,PROM是可编程的ROM,PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是,PROM是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已经不可能使用了,而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序,是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出,价格很高,写入时间很长,写入很慢。
        举个例子,手机软件一般放在EEPROM中,我们打电话,有些最后拨打的号码,暂时是存在SRAM中的,不是马上写入通过记录(通话记录保存在EEPROM中),因为当时有很重要工作(通话)要做,如果写入,漫长的等待是让用户忍无可忍的。


        FLASH存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势),U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。
        目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
        一般小容量的用NOR Flash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息,而大容量的用NAND FLASH,最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的"闪盘",可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel,AMD,Fujitsu和Mxic,而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba及Hynix。

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### 回答1: ROMRAM是计算机中常见的存储器类型。ROM是只读存储器,它的内容在制造时被写入,无法被修改。RAM是随机存储器,它可以被读取和写入,但是在断电后会丢失数据。 Flash是一种非易失性存储器,它可以被多次写入和擦除,但是它的写入速度比RAM慢,而且每个存储单元只能被擦除和写入有限次数。 SRAM是一种静态随机存储器,它的速度比DRAM快,但是它的密度比DRAM低,价格也更高。SRAM通常用于高速缓存和其他需要快速访问的应用程序。 ### 回答2: ROMRAM是存储器的两个基本分类,而Flash和SRAM分别属于它们的子类。ROM是只读存储器,用于存储系统代码和数据,不能被修改或擦除。RAM则是随机存储器,可以读写,用于临时存储数据和程序。Flash存储器可以被擦除和重新编程,可以用于存储系统代码和数据,但擦写次数有限。SRAM是静态随机存储器,主要用于高速缓存和高速存储器。 ROM存储器属于只读存储器,数据只能被读取,无法被修改或擦除,它的存储内容通常是一些系统代码和数据,比如BIOS程序、引导程序等。ROM存储器通常比较稳定和可靠,而且存储内容不需要保持电源供电,可以在断电后继续保存数据,但缺点是存储容量比较小,对于一些大型应用来说不够使用,而且不方便升级和修改。 RAM存储器是随机存取的存储器,可以读写,它的存储内容可以被修改和删除,通常用于临时存储数据和程序。RAM存储器的缺点是数据需要保持电源供电,如果断电数据将会丢失,而且存储容量通常比较小。RAM包括DRAM动态随机存储器和SRAM静态随机存储器。SRAM是一种速度很快的存储器,用于高速缓存和高速存储器,但成本较高。 Flash存储器是一种可擦写的存储器,象一个类似于EEPROM的存储器。它采用的是闪光特效存储技术,能够把数据以块的形式分别擦除和编程,比EEPROM的单字节擦写更加方便。Flash存储器的存储容量通常比较大,并且可以反复擦写和编程,成本较低,但擦写次数有限。 SRAM是静态随机存储器,通常用于高速存储器和cache存储器中。SRAM存储器速度很快,但相应的成本也高,和RAM存储器不同的是,SRAM不需要定期进行刷新来保持数据的有效性,这使得它不仅速度快,而且稳定性高。但是,由于SRAM需要更多的晶体管和面积,所以存储容量比DRAM小。 ### 回答3: ROM(只读存储器)和RAM(随机存储器)是计算机内存的两种形式,而flash和SRAMRAM的两种类型。 ROM是一种用于永久存储数据的存储器。与RAM相比,ROM是只读的,这意味着数据一旦编写到ROM中,就不能更改。ROM通常包含计算机系统的基本操作系统和其他代码,因此它是系统关键部分。ROM常用于计算机的系统启动过程中。 RAM是一种临时存储器,它用于存储正在处理的数据和程序。RAM是一种易失性存储器,这意味着当计算机关闭或断电时,RAM存储的数据会丢失。RAM分为静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两种类型。SRAM比DRAM更快,但也更昂贵。 Flash存储器是一种可擦除可编程存储器(EEPROM),它是RAM的一种类型。与SRAM不同,Flash存储器可以被重复擦写并更改其内容。Flash存储器的特点是速度相对较慢,但存储密度较高。它是在大量便携式设备中使用的一种存储器,如MP3播放器和智能手机。 SRAM是一种用于实现带宽较高和时序较紧的存储器,SRAM有双口RAM(DP-RAM)和四口RAM(Q-RAM)之分,DP-RAM使用两个端口,一个用于读,另一个用于写;Q-RAM使用四个端口,其中两个用于读,两个用于写。SRAM常用于高性能应用,如高速缓存和运算器。 总之,ROMRAM是计算机内存的两种不同形式。ROM用于永久存储数据,而RAM用于存储正在处理的数据和程序。而flash和SRAMRAM的两种类型,Flash存储器是一种可重复擦写的存储器,而SRAM则用于实现带宽较高和时序较紧的存储器。

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