刷新存储器的容量单位是什么_GD25Q80CSIG|相变存储器是什么，具备什么特点？

一、什么是相变存储器？

1、简称PCM，利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的。

2、存储原理：在器件单元上施加不同宽度和高度的电压或电流脉冲信号，使相变材料发生物理相态的变化，即晶态(低阻态)和非晶态 (高阻态)之间发生可逆相变互相转换，从而实现信息的写入 (“1”)和擦除(“0”)操作。相互转换过程包含了晶态到非晶态的非晶化转变以及非晶态到晶态的晶化转变两个过程，其中前者被称为非晶化过程，后者被称为晶化过程。然后依靠测量对比两个物理相态间的电阻差异来实现信息的读出，这种非破坏性的读取过程，能够确保准确地读出器件单元中已存储的信息。

二、相变存储器的特点

1、相变存储器提高存储容量的方式有两种：一种是三维堆叠，还有一种是多值技术。

2、优点

a.高读写速度。相变材料结晶速度一般在50ns以下，写入速度快。与一般NAND和NOR有所不同的是，PCM写入新数据时不用执行擦除过程。这意味着PCM就可以从存储器直接执行代码，不需要将代码读入RAM执行，而NAND和NOR则无法直接读取并运行代码。

b.寿命长，存储稳定。PCM是以物质的不同相作为存储信息的方式，因此只要不超过晶化温度，一般来说不会丢失数据。由于它存储数据不牵扯电子转移等问题，它能执行的稳定读写次数可达1012～1015，与之对比MLC NAND和SLC NADA相形见绌，甚至超过了SARM和DRAM的次数。而且PCM具有抗高辐射，强震动，抗电子干扰等特性，因此在军事和严酷条件下也有很大用武之地。

c.工艺简单，潜力大。与其他一些未来存储器技术对比，PCM的工艺较为容易实验。在目前CMOS工艺之上，只需增加2～4次掩膜即可。

d.多态存储和多层存储。多态存储即在同一个存储单位中存储多个数据。相变材料最大阻值和最小阻值往往相差几个数量级，这样就给多态存储留下了很大空间。多层存储是可将多个PCM堆叠起来，形成一个三维的存储阵列，从而为大容量，小空间，低功耗开辟了新道路。

以上便是对相变存储器的介绍，大家是否更加了解了呢？相变存储器是近几年的研发成果了。这也证明了国内电子技术发展的迅速，是原始创新与产业化的密切配合。当今正处于电子产业的快速发展阶段，更加高性能的存储器将会不断的出现。