nandflash的读写使用，基于OK6410

在嵌入式开发板中，nandflash就相当于电脑中的硬盘。

在nandflash中分两种，一种是单层式存储（SLC），每个单元格只有1位，比较贵，访问速度快（3倍），10w此擦写，功耗低

另外一种是多层式存储（MLC），每个单元格2位，便宜，访问速度慢，只有1w此擦写，功耗高

内存是参与统一编址，而nandflash是独立编址，也就是内存在地址空间分布中占有一席之地，但是nandflash没有，它需要地址线和数据线将nandflash连接到CPU的nandflash控制寄存器中，所以操作方式和一般单片机上的24C16很相似（个人觉得），都是1.传输地址2.传输命令3.数据传输

下面记录一下nandflash的内部分布

每一个nandflash有多个block块，每个block又有多个页，每个页由两个区域组成。

由图可知，一个nandflash有4096个block，每个block有128页，每页有4K的数据存储区和218B的校验存储区。要确定某一页的首地址，就要提供2个列地址和3个行地址，这样就可以得到这一页的首地址。

下面开始页读的操作，先在nandflash芯片数据手册里面找到read operation的流程图

由此可知要读，就必须进行如下操作

1.发送命令0x00

2.发送2个列地址

3.发送3个行地址

4.发送命令0x30

5.等待RB信号从0变1

6.读取数据

但是对于一次对nandflash芯片的操作，我们必须还要做一些其他的必须做的事，那就是对于s3c6410来说选中芯片，清除RB信号，在读取完毕后还要取消选中芯片（注意P257）

在NFSTAT里面设置清空RB信号（bit 4），在NFCONT里面设置选中芯片/取消选中芯片

void select_chip()

{

NFCONT&=~(1<<1);

}

void disselect_chip()

{