参数 速率_磁控溅射镀膜质量影响--工艺参数（一）

本文为作者学习记录，也希望帮助新手朋友更快对磁控溅射技术有初步了解，希望各位朋友多留言交流。

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这篇文章介绍一部分磁控溅射镀膜时工艺参数对最终成膜质量的影响。首先列举一下工艺参数的范围：溅射压强、溅射功率、靶基距、衬底类型、衬底温度、背景真空度、残余气体的处理以及退火处理等。

由于我们选择靶材，衬底以及工作气体的不同工艺参数的影响也会产生变化，因此本文主要对部分工艺参数的影响原因以及理论结果进行简介，读者朋友们还是更多了解分析方法从实验中获得自己理想的数据哦~

本文先介绍溅射气压、靶基距以及溅射功率三个工艺参数，后续会带来更多学习心得。

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1：溅射气压的影响

简单来说，溅射气压主要影响在于溅射离子的能量，离子能量影响离子到达衬底时迁移以及扩散等能力，会对电阻率，表面平滑度等产生影响。

溅射气压与与溅射粒子的平均自由程以及气体电离有关。气压过高，气体电离提高，但是平均自由程降低导致溅射原子到达衬底以前碰撞次数太多，从而损失很多能量，到达衬底后迁移能力受限，结晶质量变差；气压过低，平均自由程降低，但是气体电离会困难，难以发生溅射起辉效果。

因此，磁控溅射镀膜时改变溅射气压成膜质量会存在一个拐点，保证电离的同时需要也要降低气体平均自由程，提高溅射粒子到达衬底表面时的能量，以便迁移扩散。

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2：靶基距与溅射功率

靶基距太大，溅射原子到达衬底碰撞次数过多，能量损失大，不利于薄膜的成核和长大且降低沉积速率。但是，靶基距太近会导致薄膜受到带电粒子轰击，且沉积速率太快会导致薄膜内部各种缺陷密度增加。

溅射功率实质与靶基距一样，最终影响溅射速率。当溅射功率过低时，沉积速率低，溅射原子到达衬底能量也低；溅射功率过高时，虽然可以提高溅射粒子能量，但是沉积速度过快，影响成膜质量，除此之外，过高的溅射功率会损伤靶材。

能量分析可以参照1中的介绍