在集成电路领域,除了设计和制造外,晶圆测试技术也非常关键,随着5G以及毫米波通信技术兴起,该领域芯片测量面临很大挑战,因此发展全新的非破坏高分辨微波场近场成像技术对芯片的功能和失效分析至关重要,这个领域需要创新新的测试技术,这也成为本土IC有望突破的一个点。
近日,南京邮电大学教授、南京昆腾科技有限公司创始人杜关祥博士带领的课题小组在这领域获得突破,他们提出了基于金刚石NV色心的固态量子体系作为传感单元,通过分析NV色心基态自旋在共振微波场中的量子态演化规律,采用全光学的方法,获得微波场分布的一种精密测量方法。该方法通过搭建光学成像系统进行一次成像来获得芯片整体的微波场分布,具有高效、对近场干扰小等优点,有望在芯片电磁兼容测试、微波芯片失效分析和天线近场分布成像等应用上提供一种全新的测量方案。和传统技术相比,最突出的特点是分辨率高,非侵入性最好,量子标定。而且胜任在复杂场景下的测量,比如高温高湿和高腐蚀应用场合。
1月12日,他们的成果--”芯片表面微波磁场高分辨测量关键技术”项目科技成果评价会在京举行,评价会由中国民营科技促进会秘书长周迎主持召开;由中国工程院院士刘永坚任评价专家委员会主任,中国工程院院士陆军、苏东林任副主任,中国电子科技集团有限公司首席科学家年夫顺、中国电子科学研究院研究员陈竹梅等 10 位专家任委员共同组成评价委员会。中国民营科技促进会常务副秘书长苏川、促进会产业技术研究院常务副院长王静鸿,委托评价单位代表及嘉宾共 30 余人参加了评价会。
评价会上,杜关祥博士就 " 芯片表面微波磁场高分辨测量关键技术 " 项目作了详细讲解和汇报。评价委员会认真听取了项目的技术总结报告,审查了相关资料,并经质询和讨论,形成了鉴定意见。
杜关祥博士介绍说," 芯片表面微波磁场高分辨测量关键技术 " 项目技术复杂,难度很大,在锥形光纤亚微米级金刚石 NV 色心探头和芯片电磁近场的高分辨高速成像方法等方面有重大创新,拥有自主知识产权,核心技术自