浮栅场效应管 符号_华成英 - 模拟电子技术基础 | 场效应管

一、场效应管以N沟道为例

优点：

1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3.场效应管可以用作可变电阻。

4.场效应管可以方便地用作恒流源。

5.场效应管可以用作电子开关。

6.制作简单。

结构及符号：

场效应管有三个级，源极（s），栅极（g），漏极（d），它们对应的是晶体管的发射极（e），基极（b），集电极（c）；同样还有三个工作区，截止区（夹断区），恒流区，可变电阻区，分别对应晶体管的截止区，放大区，饱和区。

1、结型场效应管

符号：

栅极上的箭头表示栅-源极间的PN结正向偏置时，栅极电流的方向（由P区指向N区）。

结构：

源极与漏极反接影响不大

在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P区,就形成两个不对称的PN结，即耗尽层。把两 个P区并联在一起，引出一个电极g，称为栅极，在N型半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极s和漏极d。

夹在两个PN结中间的N区是电流的通道，称为导电沟道（简称沟道）。

分为两种结构的管子：N沟道和P沟道结型场效应管

噪声低的原因是在g和s间增加一个外加电场时，基本上只有自由电子的定向移动

又被称为单极型管，导电过程中只有一种载流子参与运动。

栅-源电压vGS对导电沟道宽度（即漏极电流iD的控制作用）的控制作用

在GS之间加一个反向电压，即s正，g负，此时沟道会变窄，当电压达到一定值时，导电沟道消失，此时称之为夹断，此时电压称为夹断电压UGSoff。

问：uGS可以控制沟道宽度，栅源之间为什么一定要加负电压？

加正向电压时，耗尽层变小，电阻变小，虽然也会起到控制作用，但是场效应管产生的背景是因为输入回路上看不取电流，加反向电压时，耗尽层变宽，PN结反偏，电阻变大，至少是10的6次方欧姆以上。

漏-源电压vDS对漏极电流iD的影响作用

当给漏源之间增加一个电压VDD时，随着VDD的变化，给栅源之间的电压uGS>USGS(off)且为一个固定值出现以下几种情况：

当uGD>UGS(off)时，由于d点电位最高，所以在gd之间会出现耗尽层增大如图左上角所示情况，这个时候iD时随着VDD的增加而变大的。

当uGD=UGS(off)时，d点位置刚好是出现夹断点，此时我们称之为预夹断，此时iD仍然是随电压的增大而增大的。

当uGD<UGS(off)时,g点相对于N区内任何一点的电压都要低时，耗尽层增大，而夹断区变大，这时iD的增大收到了阻碍，当VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。

转移特性：

UDS在管子进入恒流区时测定的常量值。

输出特性：

这个图还没有吃透，待补充……