Nand Flash学习笔记0-浮栅的介绍

最近对Nand Flash很有兴趣，重新整理了Nand Flash相关的只是。下面是分享下学习到Nand Flash基本的存储单元的知识，如果有理解错误的地方，请指出，谢谢。

图1 浮栅的结构

浮栅

      Flash最基本的单元为浮栅场效应管。浮栅是一种特殊的MOS晶体管。这种MOS晶体管有两个多晶硅形成的栅极, 其中一个有电气连接, 叫控制栅, 也就是一般意义上的栅极; 还有一个没有外引线, 它被完全包裹在一层二氧化硅介质层里面, 是浮空的, 所以称之为浮栅。

工作原理

      浮栅MOS晶体管的工作原理是利用浮栅上存储的电荷量来改变MOS管的阈值电压，从而改变MOS管的外部特性。过程描述如下：当MOS管栅极加上较高的电压（20V左右），源极接地，漏极浮空，然后会产生大量高能电子，由于电子密度大，有的电子到衬底和浮栅之间的二氧化硅层，由于选择栅有高电压，这些电子通过隧穿氧化层(Tunnel Oxide，PS：自己翻译，不一定准确)到达浮栅。当移除外部电压，由于浮栅没有放电回路，所以电子会留在浮栅上。当浮栅带有电子，衬底表面感应的是正电荷，这样使得MOS管导通电压变高。

反之，当控制栅极接地，衬底加上较高电压，源、漏极开路，电子会从浮栅中“吸出”，MOS管导通电压变低。

浮栅中电荷量，影响到MOS管的导通电压，从而代表不同的存储信息。比如说一个杯子，没有水的时候，代表“0”，当水超过一半，代表“1”。具体的后面章节再描述。

不足

浮栅中存在泄漏的情况，使得电子在浮栅上的保持特性受到影响。主要有：直接隧穿效应、热激发、浮栅上电子陷阱：在浮栅充电过程中，电子被电子陷阱捕获，从而使得浮栅的电位降低，导致降低在Control Gate上加的电压影响。

总结

所以降低隧穿氧化层缺陷、提高隧道氧化层和两层多晶硅之间的氧化层质量就成了关键的问题。

对于我们使用者来说，由于隧穿会损伤隧穿氧化层，所以磨损均衡就很重要了。另外把性能差的挑选出来，不去使用，也是重要的问题。