版图绘制及Virtuoso软件工具使用说明.ppt
5.6 衬底耦合效应(衬底噪声) * 微电子与光电子研究所 内引线 */98 减小衬底耦合效应的措施 采用差动电路形式 数字信号与时钟以互补形式分布 采用更精确的工作模式,如信号采样 使与衬底相连的内引线的电感最小 保护环 * 微电子与光电子研究所 */98 混合信号电路的地反射 * 微电子与光电子研究所 由于地和衬底的电压反射会导致输入信号被干扰, 采用差动结构,信号受到的影响会减小。 使衬底与芯片地电压反射一致 */98 5.7布局规划、ESD及封装 5.7.1 布局规划 1)考虑pad位置影响来决定模块的摆放及输入输出方向 2)考虑模块间的连接关系确定整个布局 尽量短的连线 尽量少的交叉 尽量不要在模块上通过连线 3)考虑信号的要求来决定模块布局 如信号的绝对对称性 4)面积估算 模块间留下足够的距离布线 要考虑电源线走线、有对称要求的差分信号走线、有隔离要求的信号走线等,预留足够空间 5)估计连线问题 * 微电子与光电子研究所 */98 常用技巧: 不要受最小尺寸限制 ,适当放大间距、宽度之类 不要用最小线宽布线,而更应关注寄生电阻是否较低 多打通孔,既保证连接,又减小寄生电阻 尽量让所有的管子保持在同一个方向 不要在模块上,或者任何元件上,走信号线 敏感信号和噪声大的信号线不要经过任何元件上方 信号线不要经过电容上方…… * 微电子与光电子研究所 */98 5.7.2 静电放电(ESD) 1)ESD即静电放电效应,是芯片制造和使用过程 中最易造成芯片损坏的因素之一。它的产生途径主要有三个: 人体接触--带静电的人手触摸芯片(HBM) 机器接触--制造过程中,与机器接触(MM) 自产生电荷--已封装芯片在组合或运输过程中产生电荷(CDM) 2)人体在某种环境中可以存有1.5KV~2KV的静电压,这样高的电压可产生1.3A的峰值电流,如果施加在未加保护的芯片PAD上,将有可能击穿MOS通道