svg大小自适应_动态无功补偿装置MCR、TCR、SVG比较

现在主要的动态补偿方式为TCR型SVC、MCR型SVC和SVG三种方式，以下分别介绍这三种动态无功补偿方式的原理，并且通过占地面积、响应速度、损耗、噪音等性能指标来论述这三种补偿方式的特点。

一、 MCR型动态无功补偿装置

MCR+FC型动态无功补偿装置

上世纪60年代由英国GEC公司制成第一台自饱和电抗器型SVC，后期俄罗斯人演变为可控饱和电抗器(CSR)型，也可称为MCR型动态无功补偿装置。其原理是三相饱和电抗器的工作绕组并联在电网上，通过改变饱和电抗器的直流控制绕组的励磁电流，借以改变铁心的饱和特性，从而改变工作绕组的感抗，达到改变其所吸收的无功功率的目的。

磁阀式可控电抗器的主铁心分裂为两半(即铁心1和铁心2)，截面积为A,每一半铁心截面积具有减小的一段，四个匝数为N/2的线圈分别对称地绕在两个半铁心柱上(半铁心柱上的线圈总匝数为N)，每一半铁心柱的上下两绕组各有一抽头比为δ= N2 / N 的抽头，它们之间接有晶闸管KP1 ( KP2 ),不同铁心上的上下两个绕组交叉连接后，并联至电网电源，续流二极管则横跨在交叉端点上。在整个容量调节范围内，只有小面积段的磁路饱和，其余段均处于未饱和的线性状态，通过改变小截面段磁路的饱和程度来改变电抗器的容量。

在电源的一个工频周期内，晶闸管KP1 、KP2 的轮流导通起了全波整流的作用，二极管起着续流作用。改变KP1 、KP2 的触发角便可改变控制电流的大小，从而改变电抗器铁心的饱和度，以平滑连续地调节电抗器的容量。

占地面积

由于MCR没有像TCR一样采用晶闸管阀组以及空心相控电抗器，而是采用晶闸管控制部分饱和式电抗器，因此，比TCR面积要小。

响应速度

MCR型SVC的响应速度一般在100 ~ 300ms之内。可控式饱和电抗器铁芯内的磁通有惯性，从空载到额定的变化，一般在秒级以上。虽然现在也可采取一些措施提高MCR型SVC的响应速度，但一般也很难低于150ms。

根据有关文献，磁阀式可控电抗器的响应时间由下式(1)确定。其中，n为磁阀式可控电抗器容量从空载到额定值所需的工频周期数，δ为抽头比。例如，MCR抽头比为0.05时，可得响应速度约为10个周期，即200ms；如果抽头比更小，则响应速度更慢。

(1)

损耗

可控电抗器在额定负载时，铁芯工作在磁饱和区域，在这种结构下，磁饱和时的边缘效应显著，由于磁阀交替饱和，在磁阀附近铁芯区域存在较大的横向磁场分量，因此增了电抗器铁芯和绕组的附加损耗，通常约为2%--4%。

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