dcdc模块降额设计_2.1 IGBT模块和逆变单元的功率循环能力

2.1.1 概述

术语“功率循环能力”是指元件(例如熔断器或IGBT模块)在运行期间承受由交流负载引起的温度波动而不遭受过早磨损或故障的能力。 

为确保变频器功率单元中使用的IGBT模块始终在足够的功率循环能力范围内工作，在变频器选型配置阶段必须考虑到足够的功率循环能力防止在临界条件下运行，或适当地放大一档选型。

以下各节说明了物理背景，并给出了IGBT模块和功率单元的选型指南，以确保所述应用具有足够的功率循环能力。

2.1.2 循环交流负载下的IGBT模块

下图显示了IGBT模块的内部设计，以及当芯片受到循环交流负载时IGBT芯片，基板和散热器的温度特性。

   一种IGBT模块的设计及其在循环交流负载下的温度特性

由于IGBT模块的机械设计包括多层不同材料，在IGBT芯片和IGBT基板之间存在相对较高的热阻，而IGBT芯片中产生的热量通过IGBT基板传到到功率单元的散热器，因此当IGBT芯片受到循环交流负载时，其温度存在非常显著的波动，而基板和散热器的温度保持相对恒定。

在临界工作条件下，芯片会产生很大温度波动ΔTChip的温度循环，从而使IGBT模块承受很大的热应力，导致IGBT寿命显著缩短。这是因为IGBT的允许温度循环数是有限的，并且随着芯片的温度波动ΔTChip的增加而进一步减少。因此，IGBT的寿