IGBT模块的功率循环

什么是功率循环？
功率循环power cycling顾名思义就是让芯片间歇流过电流产生间隙发热功率，从而使芯片温度波动。因为热源为芯片自身发热，所以一般称之为主动加热。功率循环的周期一般为3~5秒。
功率循环对IGBT模块损伤的机理，主要是铜绑定线热膨胀系数与芯片表面铝层热膨胀系数不同，芯片热膨胀系数与DBC板不同导致的。损伤的结果主要是绑定线脱落，断裂，芯片焊层分离。
芯片焊层的分离有两种模式，含铅的焊层一般从边缘向中心逐渐分离，而锡银材料的焊层一般从中心向边缘逐渐分离。
如何进行功率、热循环测试？
IEC60749-34描述了可靠性实验电路连接的方法，而IEC60747-9描述了IGBT参数的测试方法，以及失效标准的判据。对于功率循环，如果器件的导通压降超过初始值的5%或者热阻超过初始值的20%，即判定为失效。
易恩电气，ENG1220功率循环测试系统，采样计算机记录结果。
ENG1220 功率循环试验台是对IGBT模组进行热循环负载试验的一套系统，是用耐久性实验确认IGBT模块内部的键合或是内部焊层等承受温度变化能力的可靠性试验。
测试方法通过对IGBT模块施加持续的恒定的负载电流从而加热半导体结，然后关闭电源并且通过水冷使其迅速冷却。如此反复。
本设备一般适用于IGBT模块热循环负载试验。测试共12路串联，输出的加热电流为50A-1600A连续可调，冷却时间、循环次数、电流大小均可设定，各个工位的阴阳极壳温温度可实时监控，并有超温保护功能。
给被测器件施加加热电流使受试器件结温在规定的时间内达到规定的上限值，结束加热；通冷却水，使受试器件结温在规定的时间内冷却到不高于规定的下限值，完成一个循环；如此反复，完成规定的循环次数。
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