内存颗粒位宽和容量_内存芯片容量表

三星颗粒

一、三星颗粒一般以

KM

开头

二、内存颗粒类型：

4

表示

DDR SDRAM

三、芯片输出的数据位宽：

40

、

80

、

16

、

32

分别代表

4

位、

8

位、

16

位和

32

位

四、工作电压：

H=DDR SDRAM

，

3.3V

、

L=DDR SDRAM

，

2.5V

五、内存颗粒位数：

4

：

4Mbit

、

8

：

8

Mbit

、

16

：

16

Mbit

、

32

：

32

Mbit

、

64

：

64

Mbit

、

12

：

128

Mbit

、

25

：

256

Mbit

、

51

：

512

Mbit

六、

芯片容量及刷新速度：

0

：

64m

/4K

[15.6

μ

s]

、

1

：

32m/2K

[15.6

μ

s]

、

2

：

128m/8K

[15.6

μ

s]

、

3

：

64m/8K

[7.8

μ

s]

、

4

：

128m/16K

[7.8

μ

s]

七、内存

BANK

：

3

：

4

排、

4

：

8

排

八、电压：混合接口

LVTTL+SSTL3(3.3V)

、

1

：

SSTL2(2.5V)

九、封装类型：

T

：

66

针

TSOP II

、

B

：

BGA

、

C

：微型

BGA(CSP)

十、

工作频率：

0

：

10ns

、

100MHz(200Mbps)

；

8

：

8ns

、

125MHz(250Mbps)

；

Z

：

7.5ns

、

133MHz(266Mbps)

；

Y

：

6.7ns

、

150MHz(300Mbps)

；

6

：

6ns

、

166MHz(333Mbps)

；

5

：

5ns

、

200MHz(400Mbps)

HYUNDAI

一、

HY

是现代颗粒的标志

二、内存颗粒类型：

(57=SDRAM

，

5D=DDR SDRAM)

；

三、工作电压：空白

=5V

，

V=3.3V,U=2.5V

四、芯片容量和刷新速率：

16=16Mbits

、

4K Ref

；

64=64Mbits

、

8K Ref

；

65=64Mbits

、

4K Ref=128Mbits

、

8K Ref

；

129=128Mbits

、

4K Ref

；

256=256Mbits

、

16K Ref

；

257=256Mbits

、

8K Ref

五、芯片输出的数据位宽：

40

、

80

、

16

、

32

分别代表

4

位、

8

位、

16

位和

32

位