1)实验平台:alientek 阿波罗 STM32F767 开发板2)摘自《STM32F7 开发指南(HAL 库版)》关注官方微信号公众号,获取更多资料:正点原子
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第十八章 TFTLCD(MCU 屏)实验
在第 16 章我们介绍了 OLED 模块及其显示,但是该模块只能显示单色/双色,不能显示彩
色,而且尺寸也较小。本章我们将介绍 ALIENTEK 的 TFT LCD 模块(MCU 屏),该模块采用
TFTLCD 面板,可以显示 16 位色的真彩图片。在本章中,我们将使用阿波罗 STM32F767 开发
板底板上的 TFTLCD 接口(仅支持 MCU 屏,本章仅介绍 MCU 屏的使用),来点亮 TFTLCD,
并实现 ASCII 字符和彩色的显示等功能,并在串口打印 LCD 控制器 ID,同时在 LCD 上面显示。
本章分为如下几个部分:
18.1 TFTLCD&FMC 简介
18.2 硬件设计
18.3 软件设计
18.4 下载验证
18.5 STM32CubeMX 配置 FMC(SRAM)
18.1 TFTLCD&FMC 简介
本章我们将通过 STM32F767的 FMC 接口来控制TFTLCD 的显示,所以本节分为两个部分,
分别介绍 TFTLCD 和 FMC。
18.1.1 TFTLCD 简介
TFT-LCD 即薄膜晶体管液晶显示器。其英文全称为:Thin Film Transistor-Liquid Crystal
Display。TFT-LCD 与无源 TN-LCD、STN-LCD 的简单矩阵不同,它在液晶显示屏的每一个象
素上都设置有一个薄膜晶体管(TFT),可有效地克服非选通时的串扰,使显示液晶屏的静态特
性与扫描线数无关,因此大大提高了图像质量。TFT-LCD 也被叫做真彩液晶显示器。
上一章介绍了 OLED 模块,本章,我们给大家介绍 ALIENTEK TFTLCD 模块(MCU 接口),
该模块有如下特点:
1,2.8’/3.5’/4.3’/7’等 4 种大小的屏幕可选。
2,320×240 的分辨率(3.5’分辨率为:320*480,4.3’和 7’分辨率为:800*480)。
3,16 位真彩显示。
4,自带触摸屏,可以用来作为控制输入。
本章,我们以 2.8 寸(其他 3.5 寸/4.3 寸等 LCD 方法类似,请参考 2.8 的即可)的 ALIENTEK
TFTLCD 模块为例介绍,该模块支持 65K 色显示,显示分辨率为 320×240,接口为 16 位的 80
并口,自带触摸屏。
该模块的外观图如图 18.1.1.1 所示
![38e006807caffafbe744c3f2e224aaf1.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/c29c827838163b3fa4a975d5b88d058c.png)
图 18.1.1.1 ALIENTEK 2.8 寸 TFTLCD 外观图
模块原理图如图 18.1.1.2 所示:
![45819f36bf7cff5b89fc1d7fa0551b05.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/bb8811be335ea28049d933761b61dde2.png)
图 18.1.1.2 ALIENTEK 2.8 寸 TFTLCD 模块原理图
TFTLCD 模块采用 2*17 的 2.54 公排针与外部连接,接口定义如图 18.1.1.3 所示:
![89a3a82fa66a1782018085a505b5251f.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/476341f2d5262f4dd8b14ed371841054.png)
图 18.1.1.3 ALIENTEK 2.8 寸 TFTLCD 模块接口图
从图 18.1.1.3 可以看出,ALIENTEK TFTLCD 模块采用 16 位的并方式与外部连接,之所以
不采用 8 位的方式,是因为彩屏的数据量比较大,尤其在显示图片的时候,如果用 8 位数据线,
就会比 16 位方式慢一倍以上,我们当然希望速度越快越好,所以我们选择 16 位的接口。图
18.1.1.3 还列出了触摸屏芯片的接口,关于触摸屏本章我们不多介绍,后面的章节会有详细的介
绍。该模块的 80 并口有如下一些信号线:
CS:TFTLCD 片选信号。
WR:向 TFTLCD 写入数据。
RD:从 TFTLCD 读取数据。
D[15:0]:16 位双向数据线。
RST:硬复位 TFTLCD。
RS:命令/数据标志(0,读写命令;1,读写数据)。
80 并口在上一节我们已经有详细的介绍了,这里我们就不再介绍,需要说明的是,TFTLCD
模块的 RST 信号线是直接接到 STM32F767 的复位脚上,并不由软件控制,这样可以省下来一
个 IO 口。另外我们还需要一个背光控制线来控制 TFTLCD 的背光。所以,我们总共需要的 IO
口数目为 21 个。这里还需要注意,我们标注的 DB1~DB8,DB10~DB17,是相对于 LCD 控制
IC 标注的,实际上大家可以把他们就等同于 D0~D15,这样理解起来就比较简单一点。
ALIENTEK提供 2.8/3.5/4.3/7 寸等 4种不同尺寸和分辨率的TFTLCD 模块,其驱动芯片为:
ILI9341/NT35310/NT35510/SSD1963 等(具体的型号,大家可以通过下载本章实验代码,通过串
口或者 LCD 显示查看),这里我们仅以 ILI9341 控制器为例进行介绍,其他的控制基本都类似,
我们就不详细阐述了。
ILI9341 液晶控制器自带显存,其显存总大小为 172800(240*320*18/8),即 18 位模式(26
万色)下的显存量。在 16 位模式下,ILI9341 采用 RGB565 格式存储颜色数据,此时 ILI9341
的 18 位数据线与 MCU 的 16 位数据线以及 LCD GRAM 的对应关系如图 18.1.1.4 所示:
![c34d7b8573da0151b7b027a762a915ae.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/ad48f926562ab537f43029a3208be4e7.png)
图 18.1.1.4 16 位数据与显存对应关系图
从图中可以看出,ILI9341 在 16 位模式下面,数据线有用的是:D17~D13 和 D11~D1,D0
和 D12 没有用到,实际上在我们 LCD 模块里面,ILI9341 的 D0 和 D12 压根就没有引出来,这
样,ILI9341 的 D17~D13 和 D11~D1 对应 MCU 的 D15~D0。
这样 MCU 的 16 位数据,最低 5 位代表蓝色,中间 6 位为绿色,最高 5 位为红色。数值越
大,表示该颜色越深。另外,特别注意 ILI9341 所有的指令都是 8 位的(高 8 位无效),且参数
除了读写 GRAM 的时候是 16 位,其他操作参数,都是 8 位的。
接下来,我们介绍一下 ILI9341 的几个重要命令,因为 ILI9341 的命令很多,我们这里就
不全部介绍了,有兴趣的大家可以找到 ILI9341 的 datasheet 看看。里面对这些命令有详细的介
绍。我们将介绍:0XD3,0X36,0X2A,0X2B,0X2C,0X2E 等 6 条指令。
首先来看指令:0XD3,这个是读 ID4 指令,用于读取 LCD 控制器的 ID,该指令如表 18.1.1.1
所示:
![4b88683d2a3d77c0f25bcec1faf5a984.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/5083e0747a2a16d51494fc8735389155.png)
表 18.1.1.1 0XD3 指令描述
从上表可以看出,0XD3 指令后面跟了 4 个参数,最后 2 个参数,读出来是 0X93 和 0X41,
刚好是我们控制器 ILI9341 的数字部分,从而,通过该指令,即可判别所用的 LCD 驱动器是什
么型号,这样,我们的代码,就可以根据控制器的型号去执行对应驱动 IC 的初始化代码,从而
兼容不同驱动 IC 的屏,使得一个代码支持多款 LCD。
接下来看指令:0X36,这是存储访问控制指令,可以控制 ILI9341 存储器的读写方向,简
单的说,就是在连续写 GRAM 的时候,可以控制 GRAM 指针的增长方向,从而控制显示方式
(读 GRAM 也是一样)。该指令如表 18.1.1.2 所示:
![41f996a2d8b436de53e1d2b87977e50a.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/9bbed7dffd0f7cd7004dc152bc11fa4d.png)
表 18.1.1.2 0X36 指令描述
从上表可以看出,0X36 指令后面,紧跟一个参数,这里我们主要关注:MY、MX、MV
这三个位,通过这三个位的设置,我们可以控制整个 ILI9341 的全部扫描方向,如表 18.1.1.3
所示:
![2de34e9b81caa47a4905abf245eeba3a.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/4a3ebd03b7846cb6c16f9b7b6e680ace.png)
![f15fc35cc57e5d918639da6cb2157da0.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/60821cc0eeee114cdfe7bc9eea5bf33b.png)
表 18.1.1.3 MY、MX、MV 设置与 LCD 扫描方向关系表
这样,我们在利用 ILI9341 显示内容的时候,就有很大灵活性了,比如显示 BMP 图片,
BMP 解码数据,就是从图片的左下角开始,慢慢显示到右上角,如果设置 LCD 扫描方向为从
左到右,从下到上,那么我们只需要设置一次坐标,然后就不停的往 LCD 填充颜色数据即可,
这样可以大大提高显示速度。
接下来看指令:0X2A,这是列地址设置指令,在从左到右,从上到下的扫描方式(默认)
下面,该指令用于设置横坐标(x 坐标),该指令如表 18.1.1.4 所示:
![5aea0b9067f56253f7b7a7b0088f970d.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/28bf6eb0c5348595f9916762d9f35049.png)
表 18.1.1.4 0X2A 指令描述
在默认扫描方式时,该指令用于设置 x 坐标,该指令带有 4 个参数,实际上是 2 个坐标值:
SC 和 EC,即列地址的起始值和结束值,SC 必须小于等于 EC,且 0≤SC/EC≤239。一般在设
置 x 坐标的时候,我们只需要带 2 个参数即可,也就是设置 SC 即可,因为如果 EC 没有变化,
我们只需要设置一次即可(在初始化 ILI9341 的时候设置),从而提高速度。
与 0X2A 指令类似,指令:0X2B,是页地址设置指令,在从左到右,从上到下的扫描方式
(默认)下面,该指令用于设置纵坐标(y 坐标)。该指令如表 18.1.1.5 所示:
![e640e7be53a65b20a27ce5e578e59ab1.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/bc24d7d5662c11420b0a906b71514493.png)
表 18.1.1.5 0X2B 指令描述
在默认扫描方式时,该指令用于设置 y 坐标,该指令带有 4 个参数,实际上是 2 个坐标值:
SP 和 EP,即页地址的起始值和结束值,SP 必须小于等于 EP,且 0≤SP/EP≤319。一般在设置
y 坐标的时候,我们只需要带 2 个参数即可,也就是设置 SP 即可,因为如果 EP 没有变化,我
们只需要设置一次即可(在初始化 ILI9341 的时候设置),从而提高速度。
接下来看指令:0X2C,该指令是写 GRAM 指令,在发送该指令之后,我们便可以往 LCD
的 GRAM 里面写入颜色数据了,该指令支持连续写,指令描述如表 18.1.1.6 所示:
![61cad7a90fc1767733741cd68c578551.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/3ce33ea2fa18b10bbe9819147c8b8bbb.png)
![b35e74f1b8ae51a6127a35b83552b215.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/70c3f2495b961159ac2ea46434392b35.png)
表 18.1.1.6 0X2C 指令描述
从上表可知,在收到指令 0X2C 之后,数据有效位宽变为 16 位,我们可以连续写入 LCD
GRAM 值,而 GRAM 的地址将根据 MY/MX/MV 设置的扫描方向进行自增。例如:假设设置
的是从左到右,从上到下的扫描方式,那么设置好起始坐标(通过 SC,SP 设置)后,每写入
一个颜色值,GRAM 地址将会自动自增 1(SC++),如果碰到 EC,则回到 SC,同时 SP++,一
直到坐标:EC,EP 结束,其间无需再次设置的坐标,从而大大提高写入速度。
最后,来看看指令:0X2E,该指令是读 GRAM 指令,用于读取 ILI9341 的显存(GRAM),
该指令在 ILI9341 的数据手册上面的描述是有误的,真实的输出情况如表 18.1.1.7 所示:
![07d21bbcaebd231667b24133d95e96f7.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/434d0f5200212f13bd77e72565d9881e.png)
表 18.1.1.7 0X2E 指令描述
该指令用于读取 GRAM,如表 18.1.1.7 所示,ILI9341 在收到该指令后,第一次输出的是
dummy 数据,也就是无效的数据,第二次开始,读取到的才是有效的 GRAM 数据(从坐标:
SC,SP 开始),输出规律为:每个颜色分量占 8 个位,一次输出 2 个颜色分量。比如:第一次
输出是 R1G1,随后的规律为:B1R2G2B2R3G3B3R4G4B4R5G5... 以此类推。如果
我们只需要读取一个点的颜色值,那么只需要接收到参数 3 即可,如果要连续读取(利用 GRAM
地址自增,方法同上),那么就按照上述规律去接收颜色数据。
以上,就是操作 ILI9341 常用的几个指令,通过这几个指令,我们便可以很好的控制 ILI9341
显示我们所要显示的内容了。
一般 TFTLCD 模块的使用流程如图 18.1.1.5:
![ab37dd7f141d946ef0ed7f8f655801dd.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/530e4ff24710a2c474cb6aaf44f297f0.png)
图 18.1.1.5 TFTLCD 使用流程
任何 LCD,使用流程都可以简单的用以上流程图表示。其中硬复位和初始化序列,只需要
执行一次即可。而画点流程就是:设置坐标写 GRAM 指令写入颜色数据,然后在 LCD 上
面,我们就可以看到对应的点显示我们写入的颜色了。读点流程为:设置坐标读 GRAM 指令
读取颜色数据,这样就可以获取到对应点的颜色数据了。
以上只是最简单的操作,也是最常用的操作,有了这些操作,一般就可以正常使用 TFTLCD
了。接下来我们将该模块用来来显示字符和数字,通过以上介绍,我们可以得出 TFTLCD 显示
需要的相关设置步骤如下:
1)设置 STM32F767 与 TFTLCD 模块相连接的 IO。
这一步,先将我们与 TFTLCD 模块相连的 IO 口进行初始化,以便驱动 LCD。这里我们用
到的是 FMC,FMC 将在 18.1.2 节向大家详细介绍。
2)初始化 TFTLCD 模块。
即图 18.1.1.5 的初始化序列,这里我们没有硬复位 LCD,因为阿波罗 STM32F767 开发板
的 LCD 接口,将 TFTLCD 的 RST 同 STM32F767 的 RESET 连接在一起了,只要按下开发板的
RESET 键,就会对 LCD 进行硬复位。初始化序列,就是向 LCD 控制器写入一系列的设置值(比
如伽马校准),这些初始化序列一般 LCD 供应商会提供给客户,我们直接使用这些序列即可,
不需要深入研究。在初始化之后,LCD 才可以正常使用。
3)通过函数将字符和数字显示到 TFTLCD 模块上。
这一步则通过图 18.1.1.5 左侧的流程,即:设置坐标写 GRAM 指令写 GRAM 来实现,
但是这个步骤,只是一个点的处理,我们要显示字符/数字,就必须要多次使用这个步骤,从而
达到显示字符/数字的目的,所以需要设计一个函数来实现数字/字符的显示,之后调用该函数,
就可以实现数字/字符的显示了。
STM32F767xx 系列芯片都带有 FMC 接口,即可变存储存储控制器,能够与同步或异步存
储器、SDRAM 存储器和 NAND FLASH 等连接,STM32F767 的 FMC 接口支持包括 SRAM、
SDRAM、NAND FLASH、NOR FLASH 和 PSRAM 等存储器。FMC 的框图如图 18.1.2.1 所示:
![328c3ae54ee7e58ac6bb2f22af8ade1c.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/661bac8673697f694b2996b5ceee3e49.png)
图 18.1.2.1 FMC 框图
从上图我们可以看出,STM32F767 的 FMC 将外部设备分为 3 类:NOR/PSRAM 设备、NAND
设备和 SDRAM 设备。他们共用地址数据总线等信号,他们具有不同的 CS 以区分不同的设备,
比如本章我们用到的 TFTLCD 就是用的 FMC_NE1 做片选,其实就是将 TFTLCD 当成 SRAM
来控制。
这里我们介绍下为什么可以把 TFTLCD 当成 SRAM 设备用:首先我们了解下外部 SRAM
的连接,外部 SRAM 的控制一般有:地址线(如 A0~A18)、数据线(如 D0~D15)、写信号(WE)、
读信号(OE)、片选信号(CS),如果 SRAM 支持字节控制,那么还有 UB/LB 信号。而 TFTLCD
的信号我们在 18.1.1 节有介绍,包括:RS、D0~D15、WR、RD、CS、RST 和 BL 等,其中真
正在操作 LCD 的时候需要用到的就只有:RS、D0~D15、WR、RD 和 CS。其操作时序和 SRAM
的控制完全类似,唯一不同就是 TFTLCD 有 RS 信号,但是没有地址信号。
TFTLCD 通过 RS 信号来决定传送的数据是数据还是命令,本质上可以理解为一个地址信
号,比如我们把 RS 接在 A0 上面,那么当 FMC 控制器写地址 0 的时候,会使得 A0 变为 0,
对 TFTLCD 来说,就是写命令。而 FMC 写地址 1 的时候,A0 将会变为 1,对 TFTLCD 来说,
就是写数据了。这样,就把数据和命令区分开了,他们其实就是对应 SRAM 操作的两个连续地
址。当然 RS 也可以接在其他地址线上,阿波罗 STM32F767 开发板是把 RS 连接在 A18 上面的。
STM32F767 的 FMC 支持 8/16/32 位数据宽度,我们这里用到的 LCD 是 16 位宽度的,所
以在设置的时候,选择 16 位宽就 OK 了。我们再来看看 FMC 的外部设备地址映像,STM32F767
的 FMC 将外部存储器划分为 6 个固定大小为 256M 字节的存储区域,如图 18.1.2.2 所示:
![1a81ec66e69fd1494c54b215c55d4f57.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/23c9833f8c05d9c441f92b2781e35ca9.png)
图 18.1.2.2 FMC 存储块地址映像
从上图可以看出,FMC 总共管理 1.5GB 空间,拥有 6 个存储块(Bank),本章,我们用到
的是块 1,所以在本章我们仅讨论块 1 的相关配置,其他块的配置,请参考《STM32F7 中文参
考手册》第 13 章(286 页)的相关介绍。
STM32F767 的 FMC 存储块 1(Bank1)被分为 4 个区,每个区管理 64M 字节空间,每个
区都有独立的寄存器对所连接的存储器进行配置。Bank1 的 256M 字节空间由 28 根地址线
(HADDR[27:0])寻址。
这里 HADDR 是内部AHB地址总线,其中HADDR[25:0]来自外部存储器地址 FMC_A[25:0],
而 HADDR[26:27]对 4 个区进行寻址。如表 18.1.2.1 所示:
![4b678f79cb40f3579bf05aa178c536f4.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/afd787773612ed55887c5f0c620b88a2.png)
表 18.1.2.1 Bank1 存储区选择表
HADDR[25:0]位包含外部存储器的地址,由于 HADDR 为字节地址,而存储器按字寻址,
所以,根据存储器数据宽度的不同,实际上向存储器发送的地址也有所不同,如表 18.1.2.2 所
示:
![c4bf615eec1aec01fce186ce62e4f759.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/6a1b564436484c0f75bb577953c35f4e.png)
表 18.1.2.2 NOR/PSRAM 外部存储器地址
因此,FMC 内部 HADDR 与存储器寻址地址的实际对应关系就是:
当接的是 32 位宽度存储器的时候:HADDR[25:2] FMC_A [23:0]。
当接的是 16 位宽度存储器的时候:HADDR[25:1] FMC_A [24:0]。
当接的是 8 位宽度存储器的时候:HADDR[25:0] FMC_A [25:0]。
不论外部接 8 位/16 位/32 位宽设备,FMC_A[0]永远接在外部设备地址 A[0]。 这里,
TFTLCD 使用的是 16 位数据宽度,所以 HADDR[0]并没有用到,只有 HADDR[25:1]是有效的,
对应关系变为:HADDR[25:1] FMC_A[24:0],相当于右移了一位,这里请大家特别留意。另
外,HADDR[27:26]的设置,是不需要我们干预的,比如:当你选择使用 Bank1 的第一个区,
即使用 FMC_NE1 来连接外部设备的时候,即对应了 HADDR[27:26]=00,我们要做的就是配置
对应第 1 区的寄存器组,来适应外部设备即可。STM32F767 的 FMC 各 Bank 配置寄存器如表
18.1.2.3 所示:
![ba3b070628449529b29d72a0b5d03501.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/30bf1c06ff8953da46c59a9e7eeaf15d.png)
表 18.1.2.3 FMC 各 Bank 配置寄存器表
对于 NOR FLASH 控制器,主要是通过 FMC_BCRx、FMC_BTRx 和 FMC_BWTRx 寄存器
设置(其中 x=1~4,对应 4 个区)。通过这 3 个寄存器,可以设置 FMC 访问外部存储器的时序
参数,拓宽了可选用的外部存储器的速度范围。FMC 的 NOR FLASH 控制器支持同步和异步突
发两种访问方式。选用同步突发访问方式时,FMC 将 HCLK(系统时钟)分频后,发送给外部存
储器作为同步时钟信号 FMC_CLK。此时需要的设置的时间参数有 2 个:
1,HCLK 与 FMC_CLK 的分频系数(CLKDIV),可以为 2~16 分频;
2,同步突发访问中获得第 1 个数据所需要的等待延迟(DATLAT)。
对于异步突发访问方式,FMC 主要设置 3 个时间参数:地址建立时间(ADDSET)、数据建
立时间(DATAST)和地址保持时间(ADDHLD)。FMC 综合了 SRAM、PSRAM 和 NOR Flash 产品
的信号特点,定义了 4 种不同的异步时序模型。选用不同的时序模型时,需要设置不同的时序
参数,如表 18.1.2.4 所列:
![c62e9a9dcee0201a86d37af1b9b94631.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/45076eebad0ad09e311a3ea9f02f005c.png)
表 18.1.2.4 NOR FLASH/PSRAM 控制器支持的时序模型
在实际扩展时,根据选用存储器的特征确定时序模型,从而确定各时间参数与存储器读/
写周期参数指标之间的计算关系;利用该计算关系和存储芯片数据手册中给定的参数指标,可
计算出 FMC 所需要的各时间参数,从而对时间参数寄存器进行合理的配置。
本章,我们使用异步模式 A(ModeA)方式来控制 TFTLCD,模式 A 的读操作时序如图
18.1.2.3 所示:
![c7e984f1855b8a96a7844d0ea002f05e.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/186dae317d6f7a58e165075cd67300f7.png)
图 18.1.2.3 模式 A 读操作时序图
模式 A 支持独立的读写时序控制,这个对我们驱动 TFTLCD 来说非常有用,因为 TFTLCD
在读的时候,一般比较慢,而在写的时候可以比较快,如果读写用一样的时序,那么只能以读
的时序为基准,从而导致写的速度变慢,或者在读数据的时候,重新配置 FMC 的延时,在读
操作完成的时候,再配置回写的时序,这样虽然也不会降低写的速度,但是频繁配置,比较麻
烦。而如果有独立的读写时序控制,那么我们只要初始化的时候配置好,之后就不用再配置,
既可以满足速度要求,又不需要频繁改配置。
模式 A 的写操作时序如图 18.1.2.4 所示:
![3e4479f5a9d0fc354f60fe16d362755c.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/5749eaabba8f08c3ca2e55bde2924440.png)
图 18.1.2.4 模式 A 写操作时序
图 18.1.2.3 和图 18.1.2.4 中的 ADDSET 与 DATAST,是通过不同的寄存器设置的,接下来
我们讲解一下 Bank1 的几个控制寄存器
首先,我们介绍 SRAM/NOR 闪存片选控制寄存器:FMC_BCRx(x=1~4),该寄存器各位
描述如图 18.1.2.5 所示:
![9bb8b2335a3352919b55eeb03fd4236b.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/41c19ab98d1ea2ce94a7a6b166f9d25a.png)
图 18.1.2.5 FMC_BCRx 寄存器各位描述
该寄存器我们在本章用到的设置有:EXTMOD、WREN、MWID、MTYP 和 MBKEN 这几
个设置,我们将逐个介绍。
EXTMOD:扩展模式使能位,也就是是否允许读写不同的时序,很明显,我们本章需要读
写不同的时序,故该位需要设置为 1。
WREN:写使能位。我们需要向 TFTLCD 写数据,故该位必须设置为 1。
MWID[1:0]:存储器数据总线宽度。00,表示 8 位数据模式;01 表示 16 位数据模式;10
表示 32 位数据模式;11 保留。我们的 TFTLCD 是 16 位数据线,所以设置 WMID[1:0]=01。
MTYP[1:0]:存储器类型。00 表示 SRAM;01 表示 PSRAM;10 表示 NOR FLASH/OneNAND
FLASH;11 保留。前面提到,我们把 TFTLCD 当成 SRAM 用,所以需要设置 MTYP[1:0]=00。
MBKEN:存储块使能位。这个容易理解,我们需要用到该存储块控制 TFTLCD,当然要
使能这个存储块了。
接下来,我们看看 SRAM/NOR 闪存片选时序寄存器:FMC_BTRx(x=1~4),该寄存器各
位描述如图 18.1.2.6 所示:
![fb24dd0fd513d4ade869ffe35689742c.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/ac194353c91270b5d1b887129aab0ad5.png)
图 18.1.2.6 FMC_BTRx 寄存器各位描述
这个寄存器包含了每个存储器块的控制信息,可以用于 SRAM 和 NOR 闪存存储器等。如
果 FMC_BCRx 寄存器中设置了 EXTMOD 位,则有两个时序寄存器分别对应读(本寄存器)和写
操作(FMC_BWTRx 寄存器)。因为我们要求读写分开时序控制,所以 EXTMOD 是使能了的,
也就是本寄存器是读操作时序寄存器,控制读操作的相关时序。本章我们要用到的设置有:
ACCMOD、DATAST 和 ADDSET 这三个设置。
ACCMOD[1:0]:访问模式。00 表示访问模式 A;01 表示访问模式 B;10 表示访问模式 C;
11 表示访问模式 D,本章我们用到模式 A,故设置为 00。
DATAST[7:0]:数据保持时间。0 为保留设置,其他设置则代表保持时间为: DATAST 个
HCLK 时钟周期,最大为 255 个 HCLK 周期。对 ILI9341 来说,其实就是 RD 低电平持续时间,
一般为 355ns。而一个 HCLK 时钟周期为 4.6ns 左右(1/216Mhz),为了兼容其他屏,我们这里
设置 DATAST 为 80,也就是 80 个 HCLK 周期,时间大约是 368ns。
ADDSET[3:0]:地址建立时间。其建立时间为:ADDSET 个 HCLK 周期,最大为 15 个 HCLK
周期。对 ILI9341 来说,这里相当于 RD 高电平持续时间,为 90ns,我们设置 ADDSET 为最大
15,即 15*4.6=69ns(略超)。
最后,我们再来看看 SRAM/NOR 闪写时序寄存器:FMC_BWTRx(x=1~4),该寄存器各
位描述如图 18.1.2.7 所示:
![e72149b1e7089ab1467693e3c48bec82.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/703da42f3e1a8a5bd264d04e9a2b2337.png)
图 18.1.2.7 FMC_BWTRx 寄存器各位描述
该寄存器在本章用作写操作时序控制寄存器,需要用到的设置同样是:ACCMOD、DATAST
和 ADDSET 这三个设置。这三个设置的方法同 FMC_BTRx 一模一样,只是这里对应的是写操
作的时序,ACCMOD 设置同 FMC_BTRx 一模一样,同样是选择模式 A,另外 DATAST 和
ADDSET 则对应低电平和高电平持续时间,对 ILI9341 来说,这两个时间只需要 15ns 就够了,
比读操作快得多。所以我们这里设置 DATAST 为 4,即 4 个 HCLK 周期,时间约为 18.4ns。然
后 ADDSET 设置为 4,即 4 个 HCLK 周期,时间为 18.4ns。
至此,我们对 STM32F767 的 FMC 介绍就差不多了,关于 FMC 的详细介绍,请大家参考
《STM32F7 中文参考手册》第 13 章。通过以上两个小节的了解,我们可以开始写 LCD 的驱动
代码了。不过,这里还要给大家做下科普,在 MDK 的寄存器定义里面,并没有定义 FMC_BCRx、
FMC_BTRx、FMC_BWTRx 等这个单独的寄存器,而是将他们进行了一些组合。
FMC_BCRx 和 FMC_BTRx,组合成 BTCR[8]寄存器组,他们的对应关系如下:
BTCR[0]对应 FMC_BCR1,BTCR[1]对应 FMC_BTR1
BTCR[2]对应 FMC_BCR2,BTCR[3]对应 FMC_BTR2
BTCR[4]对应 FMC_BCR3,BTCR[5]对应 FMC_BTR3
BTCR[6]对应 FMC_BCR4,BTCR[7]对应 FMC_BTR4
FMC_BWTRx 则组合成 BWTR[7],他们的对应关系如下:
BWTR[0]对应 FMC_BWTR1,BWTR[2]对应 FMC_BWTR2,
BWTR[4]对应 FMC_BWTR3,BWTR[6]对应 FMC_BWTR4,
BWTR[1]、BWTR[3]和 BWTR[5]保留,没有用到。
通过上面的讲解,通过对 FSC 相关的寄存器的描述,大家对 FMC 的原理有了一个初步的
认识,如果还不熟悉的朋友,请一定要搜索网络资料理解 FMC 的原理。只有理解了原理,使
用库函数才可以得心应手。那么在库函数中是怎么实现 FMC 的配置的呢?FMC_BCRx,
FMC_BTRx 寄存器在库函数是通过什么函数来配置的呢?下面我们来讲解一下使用 FMC 接口
驱动 LCD(SRAM)相关的库函数操作过程。与 SRAM 和 FMC 相关的库函数定义和声明在源
文件
stm32f7xx_hal_fmc.c/stm32f7xx_hal_sram.c 以及头文件
stm32f7xx_hal_fmc.h/stm32f7xx_hal_sram.h 中。
1) 使能 FMC 和 GPIO 时钟,初始化 IO 口配置,设置映射关系
这个步骤在前面实验已多次讲解。这里我们主要列出 FMC 时钟使能方法:
__HAL_RCC_FMC_CLK_ENABLE ();
//使能 FMC 时钟
对于 IO 配置,调用函数 HAL_GPIO_Init 配置即可,具体 请参考实验源码。
2) 初始化 FMC 接口读写时序参数,初始化 LCD(SRAM)控制接口
根据前面的讲解,我们把 LCD 当 SRAM 使用,连接在 FMC 接口之上,所以我们要初始化
FMC 读写时序参数以及 LCD 数据接口,也就是初始化三个寄存器 FMC_BCRx,FMC_BTRx
和 FMC_BWTRx。HAL 库提供了 SRAM 初始化函数 HAL_SRAM_Init,该函数声明如下:
HAL_StatusTypeDef HAL_SRAM_Init(SRAM_HandleTypeDef *hsram,
FMC_NORSRAM_TimingTypeDef *Timing,
FMC_NORSRAM_TimingTypeDef *ExtTiming);
该函数有三个入口参数,首先我们来看看第一个入口参数 hsram,它是
SRAM_HandleTypeDef 结构体指针类型,该参数用来初始化当 FMC 接口当 SRAM 使用时的控
制接口参数。结构体 SRAM_HandleTypeDef 定义如下:
typedef struct
{
FMC_NORSRAM_TypeDef
*Instance;
FMC_NORSRAM_EXTENDED_TypeDef
*Extended;
FMC_NORSRAM_InitTypeDef
Init;
HAL_LockTypeDef
Lock;
__IO HAL_SRAM_StateTypeDef
State;
DMA_HandleTypeDef
*hdma;
}SRAM_HandleTypeDef;
成员变量 Instance 和成员变量 Extended 实际上是用来在指定的时序模型下,寄存器基地址
和扩展模式寄存器基地址。这个怎么理解呢,本实验我们使用异步模式 A(ModeA)方式来控
制 TFTLCD,使用的存储块是 Bank1,所以寄存器基地址 Instance 我们直接写 FMC_Bank1 即可,
当然,HAL 库定义好了宏定义 FMC_NORSRAM_DEVICE,也就是如果是 SRAM 设备,直接
填写这个宏定义标识符即可。因为我们要配置的读写时序是不一样的,也就是我们前面讲解的
FMC_BCRx 寄存器的 EXTMOD 位我们会配置为 1 允许读写不同的时序,所以我们这里还要指
定写操作时序寄存器地址,也就是通过参数 Extended 来指定的,这里我们设置为 FMC_Bank1E
即可,同样 MDK 定义好了宏定义标识符
FMC_NORSRAM_EXTENDED_DEVICE,所以这里
我们填写这个宏定义标识符也是一样的。对于写时序参数配置,是在函数 HAL_SRAM_Init 的
第三个参数 ExtTiming 来配置的,这个我们后面会讲解。
成员变量 Init 是 FMC_NORSRAM_InitTypeDef 结构体指针类型,改变量才是真正用来设置
SRAM 控制接口参数的。我们接下来看看这个结构体定义:
typedef struct
{
uint32_t NSBank;
//存储区块号
uint32_t DataAddressMux;
//地址/数据复用使能
uint32_t MemoryType;
//存储器类型
uint32_t MemoryDataWidth; //存储器数据宽度
uint32_t BurstAccessMode;
uint32_t WaitSignalPolarity;
uint32_t WaitSignalActive;
uint32_t WriteOperation;
//存储器写使能
uint32_t WaitSignal;
uint32_t ExtendedMode;
//是否使能扩展模式
uint32_t AsynchronousWait;
uint32_t WriteBurst;
uint32_t ContinuousClock;
//启用/禁止 FMC 时钟输出到外部存储设备
uint32_t WriteFifo;
uint32_t PageSize;
}FMC_NORSRAM_InitTypeDef;
NSBank 用来指定使用到的存储块区号,前面讲过,我们是使用的存储块区号 1,所以选择
值为 FMC_NORSRAM_BANK1。DataAddressMux 用来设置是否使能地址/数据复用,该变量仅对
NOR/PSRAM 有 效 , 所 以 这 里 我 们 选 择 不 使 能 地 址 / 数据复用值
FMC_DATA_ADDRESS_MUX_DISABLE 即可。MemoryType 用来设置存储器类型,这里我们
把 LCD 当 SRAM 使用,所以设置为 FMC_MEMORY_TYPE_SRAM 即可。MemoryDataWidth
用来设置存储器数据总线宽度,可选 8 位还是 16 位,这里我们选择 16 位数据宽度
FMC_NORSRAM_MEM_BUS_WIDTH_16。WriteOperation 用来设置存储器写使能,也就是是
否允许写入。毫无疑问我们会进行存储器写操作,所以这里设置为
FMC_WRITE_OPERATION_ENABLE。ExtendedMode 用来设置是否使能扩展模式,也就是是
否允许读写使用不同时序,前面讲解过本实验读写采用不同时序,所以设置值为使能值
FMC_EXTENDED_MODE_ENABLE。ContinuousClock 用来设置启用/禁止 FMC 时钟输出到外
部存储设备 ,这里 仅 当 使 用 FMC_BCR1 寄 存 器 的 时 候 需 要 启 用 , 启 用 值 为
FMC_CONTINUOUS_CLOCK_SYNC_ASYNC 。 其 他 参 数 WriteBurst , BurstAccessMode ,
WaitSignalPolarity,WaitSignalActive,WaitSignal,AsynchronousWait 等是用在突发访问和异步
时序情况下,这里我们不做过多讲解。
成员变量 Lock 和 State 是 HAL 库处理状态标识变量。这里就不做过多讲解。
成员变量 hdma 在使用 DMA 时候才使用,这里就先不讲解了。
函数 HAL_SRAM_Init 的第一个入口参数就给大家讲解到这里。
接下来看看后面 2 个参数 Timing 和 ExtTiming,它们都是 FMC_NORSRAM_TimingTypeDef
结构体指针类型,分别用来设置 FMC 接口读和写时序,主要涉及地址建立保持时间,数据建
立时间等等配置,对于我们的实验中,读写时序不一样,读写速度要求不一样,所以对于参数
Timing 和 ExtTiming 设置了不同的值。
FMC_NORSRAM_TimingTypeDef 结构体定义如下:
typedef struct
{
uint32_t AddressSetupTime;
//地址建立时间
uint32_t AddressHoldTime;
//地址保持时间
uint32_t DataSetupTime;
//数据简历时间
uint32_t BusTurnAroundDuration; //总线周转阶段的持续时间
uint32_t CLKDivision;
//CLK 时钟输出信号的周期
uint32_t DataLatency;
//同步突发 NOR FLASH 的数据延迟
uint32_t AccessMode;
//异步模式配置
}FMC_NORSRAM_TimingTypeDef;
成员变量 AddressSetupTime 用来设置地址建立时间。AddressHoldTime 用来设置地址保持
时间。DataSetupTime 用来设置数据建立时间。BusTurnAroundDuration 用来配置总线周转阶段
的持续时间。CLKDivision 用来配置 CLK 时钟输出信号的周期,以 HCLK 周期数表示。
DataLatency 用来设置同步突发 NOR FLASH 的数据延迟。AccessMode 用来设置异步模式,取
值范围为 FMC_ACCESS_MODE_A,FMC_ACCESS_MODE_B, FMC_ACCESS_MODE_C 和
FMC_ACCESS_MODE_D,这里我们用是异步模式 A,所以取值为 FMC_ACCESS_MODE_A。
HAL_SRAM_Init 函数各个入口参数含义和配置就给大家讲解到这里。
和其他外设一样,HAL 库也提供了 SRAM 的初始化 MSP 回调函数,函数声明如下:
void HAL_SRAM_MspInit(SRAM_HandleTypeDef *hsram) ;
关于 MSP 函数的使用方法相信大家已经非常熟悉。该函数内部一般用来使能时钟以及初
始化 IO 口这些与 MCU 相关的步骤。
前面我们讲解过,FMC 接口支持多种存储器,包括 SDRAM,NOR,NAND 和 PC CARD
等。HAL 库为每种支持的存储器类型都定义了一个独立的 HAL 库文件,并且在文件中定义了
独立的初始化函数。这里以 SDRAM 为例,HAL 提供库支持文件 stm32f7xx_hal_sdram.c 和头文
件 stm32f7xx_hal_sdram.h,同时还提供了独立的初始化函数 HAL_SDRAM_Init,这里我们就列
出几种存储器的初始化函数:
HAL_SDRAM_Init();//SDRAM 初始化函数,省略入口参数
HAL_NOR_Init();//NOR 初始化函数,省略入口参数
HAL_NAND_Init();//NAND 初始化函数,省略入口参数
3)存储区使能
实际上,当我们调用了存储器初始化函数之后,相应的使用到的存储区就已经被使能。
SRAM 存储区使能方法为:
__FMC_NORSRAM_ENABLE(FMC_Bank1,FMC_NORSRAM_BANK1);
18.2 硬件设计
本实验用到的硬件资源有:
1) 指示灯 DS0
2) TFTLCD 模块
TFTLCD 模块的电路见图 18.1.1.2,这里我们介绍 TFTLCD 模块与 ALIETEK 阿波罗
STM32F767 开发板的连接,阿波罗 STM32F767 开发板底板的 LCD 接口和 ALIENTEK TFTLCD
模块直接可以对插,连接关系如图 18.2.1 所示:
![6a0956e544315c3801bf50d66fcf2ec9.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/1c21ffb60b792b972a03bb07d944894e.png)
图 18.2.1 TFTLCD 与开发板连接示意图
图 18.2.1 中圈出来的部分就是连接 TFTLCD 模块的接口,液晶模块直接插上去即可。
在硬件上,TFTLCD 模块与阿波罗 STM32F767 开发板的 IO 口对应关系如下:
LCD_BL(背光控制)对应 PB5;
LCD_CS 对应 PD7 即 FMC_NE1;
LCD _RS 对应 PD13 即 FMC_A18;
LCD _WR 对应 PD5 即 FMC_NWE;
LCD _RD 对应 PD4 即 FMC_NOE;
LCD _D[15:0]则直接连接在 FMC_D15~FMC_D0;
这些线的连接,阿波罗 STM32F767 开发板的内部已经连接好了,我们只需要将 TFTLCD
模块插上去就好了。实物连接(4.3 寸 TFTLCD 模块)如图 18.2.2 所示:
![02adff66938858e4990855355c938147.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/640b1c5d2e260f94bc903083f202e631.png)
图 18.2.2 TFTLCD 与开发板连接实物图
18.3 软件设计
打开我们光盘的实验 13 TFTLCD(MCU 屏)工程可以看到我们添加了两个文件 lcd.c 和头
文 件 lcd.h 。 同 时 , FMC 和 SRAM 相 关 的 库 函 数 和 声 明 定 义 在 源 文 件
stm32f7xx_hal_fmc.c/stm32f7xx_hal_sdram.c 和头文件 stm32f7xx_hal_fmc.h
/stm32f7xx_hal_sram.h 中。
在 lcd.c 里面要输入的代码比较多,我们这里就不贴出来了,只针对几个重要的函数进行讲
解。完整版的代码见光盘4,程序源码标准例程-寄存器版本实验 13 TFTLCD(MCU 屏)
实验 的 lcd.c 文件。
本实验,我们用到 FMC 驱动 LCD,通过前面的介绍,我们知道 TFTLCD 的 RS 接在 FMC
的 A18 上面,CS 接在 FMC_NE1 上,并且是 16 位数据总线。即我们使用的是 FMC 存储器 1
的第 1 区,我们定义如下 LCD 操作结构体(在 lcd.h 里面定义):
//LCD 地址结构体
typedef struct
{
vu16 LCD_REG;
vu16 LCD_RAM;
} LCD_TypeDef;
//使用 NOR/SRAM 的 Bank1.sector1,地址位 HADDR[27,26]=00 A18 作为数据命令区分线
//注意设置时 STM32 内部会右移一位对其!
#define LCD_BASE ((u32)(0x60000000 | 0x0007FFFE))
#define LCD ((LCD_TypeDef *) LCD_BASE)
其中 LCD_BASE,必须根据我们外部电路的连接来确定,我们使用 Bank1.sector1 就是从
地址 0X60000000 开始,而 0x0007FFFE,则是 A18 的偏移量,这里很多朋友不理解这个偏移量
的概念,简单说明下:以 A18 为例,0x0007FFFE 转换成二进制就是:0111 1111 1111 1111 1110,
而 16 位数据时,地址右移一位对齐,那么实际对应到地址引脚的时候,就是:A18:A0=011 1111
1111 1111 1111,此时 A18 是 0,但是如果 16 位地址再加 1(注意:对应到 8 位地址是加 2,即
0x0007FFFE +0X02),那么:A18:A0=100 0000 0000 0000 0000,时 A18 就是 1 了,即实现了对
RS 的 0 和 1 的控制。
我们将这个地址强制转换为 LCD_TypeDef 结构体地址,那么可以得到 LCD->LCD_REG 的
地址就是 0X6007,FFFE,对应 A18 的状态为 0(即 RS=0),而 LCD->LCD_RAM 的地址就是
0X6008,0000(结构体地址自增),对应 A18 的状态为 1(即 RS=1)。
所以,有了这个定义,当我们要往 LCD 写命令/数据的时候,可以这样写:
LCD->LCD_REG=CMD; //写命令
LCD->LCD_RAM=DATA; //写数据
而读的时候反过来操作就可以了,如下所示:
CMD= LCD->LCD_REG; //读 LCD 寄存器
DATA = LCD->LCD_RAM; //读 LCD 数据
这其中,CS、WR、RD 和 IO 口方向都是由 FMC 硬件自动控制,不需要我们手动设置了。
接下来,我们先介绍一下 lcd.h 里面的另一个重要结构体:
//LCD 重要参数集
typedef struct
{
u16 width;
//LCD 宽度
u16 height;
//LCD 高度
u16 id;
//LCD ID
u8 dir;
//横屏还是竖屏控制:0,竖屏;1,横屏。
u16 wramcmd;
//开始写 gram 指令
u16 setxcmd;
//设置 x 坐标指令
u16 setycmd;
//设置 y 坐标指令
}_lcd_dev;
//LCD 参数
extern _lcd_dev lcddev; //管理 LCD 重要参数
该结构体用于保存一些 LCD 重要参数信息,比如 LCD 的长宽、LCD ID(驱动 IC 型号)、
LCD 横竖屏状态等,这个结构体虽然占用了十几个字节的内存,但是却可以让我们的驱动函数
支持不同尺寸的 LCD,同时可以实现 LCD 横竖屏切换等重要功能,所以还是利大于弊的。有
了以上了解,下面我们开始介绍 lcd.c 里面的一些重要函数。
先看 7 个简单,但是很重要的函数:
//写寄存器函数
//regval:寄存器值
void LCD_WR_REG(vu16 regval)
{
regval=regval;
//使用-O2 优化的时候,必须插入的延时
LCD->LCD_REG=regval;//写入要写的寄存器序号
}
//写 LCD 数据
//data:要写入的值
void LCD_WR_DATA(vu16 data)
{
data=data;
//使用-O2 优化的时候,必须插入的延时
LCD->LCD_RAM=data;
}
//读 LCD 数据
//返回值:读到的值
u16 LCD_RD_DATA(void)
{
vu16 ram;
//防止被优化
ram=LCD->LCD_RAM;
return ram;
}
//写寄存器
//LCD_Reg:寄存器地址
//LCD_RegValue:要写入的数据
void LCD_WriteReg(u16 LCD_Reg, u16 LCD_RegValue)
{
LCD->LCD_REG = LCD_Reg;
//写入要写的寄存器序号
LCD->LCD_RAM = LCD_RegValue; //写入数据
}
//读寄存器
//LCD_Reg:寄存器地址
//返回值:读到的数据
u16 LCD_ReadReg(u16 LCD_Reg)
{
LCD_WR_REG(LCD_Reg);
//写入要读的寄存器序号
delay_us(5);
return LCD_RD_DATA();
//返回读到的值
}
//开始写 GRAM
void LCD_WriteRAM_Prepare(void)
{
LCD->LCD_REG=lcddev.wramcmd;
}
//LCD 写 GRAM
//RGB_Code:颜色值
void LCD_WriteRAM(u16 RGB_Code)
{
LCD->LCD_RAM = RGB_Code;//写十六位 GRAM
}
因为 FMC 自动控制了 WR/RD/CS 等这些信号,所以这 7 个函数实现起来都非常简单,我
们就不多说,注意,上面有几个函数,我们添加了一些对 MDK –O2 优化的支持,去掉的话,
在-O2 优化的时候会出问题。这些函数实现功能见函数前面的备注,通过这几个简单函数的组
合,我们就可以对 LCD 进行各种操作了。
第七个要介绍的函数是坐标设置函数,该函数代码如下:
//设置光标位置
//Xpos:横坐标
//Ypos:纵坐标
void LCD_SetCursor(u16 Xpos, u16 Ypos)
{
if(lcddev.id==0X9341||lcddev.id==0X5310)
{
LCD_WR_REG(lcddev.setxcmd);
LCD_WR_DATA(Xpos>>8);LCD_WR_DATA(Xpos&0XFF);
LCD_WR_REG(lcddev.setycmd);
LCD_WR_DATA(Ypos>>8);LCD_WR_DATA(Ypos&0XFF);
}else if(lcddev.id==0X1963)
{
if(lcddev.dir==0)//x 坐标需要变换
{
Xpos=lcddev.width-1-Xpos;
LCD_WR_REG(lcddev.setxcmd);
LCD_WR_DATA(0);LCD_WR_DATA(0);
LCD_WR_DATA(Xpos>>8);LCD_WR_DATA(Xpos&0XFF);
}else
{
LCD_WR_REG(lcddev.setxcmd);
LCD_WR_DATA(Xpos>>8);LCD_WR_DATA(Xpos&0XFF);
LCD_WR_DATA((lcddev.width-1)>>8);
LCD_WR_DATA((lcddev.width-1)&0XFF);
}
LCD_WR_REG(lcddev.setycmd);
LCD_WR_DATA(Ypos>>8);LCD_WR_DATA(Ypos&0XFF);
LCD_WR_DATA((lcddev.height-1)>>8);LCD_WR_DATA((lcddev.height-1)&0XFF);
}else if(lcddev.id==0X5510)
{
LCD_WR_REG(lcddev.setxcmd);LCD_WR_DATA(Xpos>>8);
LCD_WR_REG(lcddev.setxcmd+1);LCD_WR_DATA(Xpos&0XFF);
LCD_WR_REG(lcddev.setycmd);LCD_WR_DATA(Ypos>>8);
LCD_WR_REG(lcddev.setycmd+1);LCD_WR_DATA(Ypos&0XFF);
}
}
该函数实现将 LCD 的当前操作点设置到指定坐标(x,y)。因为 9341/5310/1963/5510 等的设
置有些不太一样,所以进行了区别对待。
接下来我们介绍第八个函数:画点函数。该函数实现代码如下:
//画点
//x,y:坐标
//POINT_COLOR:此点的颜色
void LCD_DrawPoint(u16 x,u16 y)
{
LCD_SetCursor(x,y);
//设置光标位置
LCD_WriteRAM_Prepare(); //开始写入 GRAM
LCD->LCD_RAM=POINT_COLOR;
}
该函数实现比较简单,就是先设置坐标,然后往坐标写颜色。其中 POINT_COLOR 是我们
定义的一个全局变量,用于存放画笔颜色,顺带介绍一下另外一个全局变量:BACK_COLOR,
该变量代表 LCD 的背景色。LCD_DrawPoint 函数虽然简单,但是至关重要,其他几乎所有上
层函数,都是通过调用这个函数实现的。
有了画点,当然还需要有读点的函数,第九个介绍的函数就是读点函数,用于读取 LCD
的 GRAM,这里说明一下,为什么 OLED 模块没做读 GRAM 的函数,而这里做了。因为 OLED
模块是单色的,所需要全部 GRAM 也就 1K 个字节,而 TFTLCD 模块为彩色的,点数也比 OLED
模块多很多,以 16 位色计算,一款 320×240 的液晶,需要 320×240×2 个字节来存储颜色值,
也就是也需要 150K 字节,这对任何一款单片机来说,都不是一个小数目了。而且我们在图形
叠加的时候,可以先读回原来的值,然后写入新的值,在完成叠加后,我们又恢复原来的值。
这样在做一些简单菜单的时候,是很有用的。这里我们读取 TFTLCD 模块数据的函数为
LCD_ReadPoint,该函数直接返回读到的 GRAM 值。该函数使用之前要先设置读取的 GRAM
地址,通过 LCD_SetCursor 函数来实现。LCD_ReadPoint 的代码如下:
//读取个某点的颜色值
//x,y:坐标
//返回值:此点的颜色
u16 LCD_ReadPoint(u16 x,u16 y)
{
u16 r=0,g=0,b=0;
if(x>=lcddev.width||y>=lcddev.height)return 0; //超过了范围,直接返回
LCD_SetCursor(x,y);
if(lcddev.id==0X9341||lcddev.id==0X5310||lcddev.id==0X1963)
LCD_WR_REG(0X2E);//9341/3510/1963 发送读 GRAM 指令
else if(lcddev.id==0X5510)LCD_WR_REG(0X2E00);//5510 发送读 GRAM 指令
r=LCD_RD_DATA();
//dummy Read
if(lcddev.id==0X1963)return r;
//1963 直接读就可以
opt_delay(2);
r=LCD_RD_DATA();
//实际坐标颜色
//9341/NT35310/NT35510 要分 2 次读出
opt_delay(2);
b=LCD_RD_DATA();
g=r&0XFF; //对于 9341/5310/5510,第一次读取的是 RG 的值,R 在前,G 在后,各占 8 位
g<<=8;
return (((r>>11)<<11)|((g>>10)<<5)|(b>>11));
//需要公式转换一下
}
在 LCD_ReadPoint 函数中,因为我们的代码不止支持一种 LCD 驱动器,所以,我们根据
不同的 LCD 驱动器((lcddev.id)型号,执行不同的操作,以实现对各个驱动器兼容,提高函数
的通用性。
第十个要介绍的是字符显示函数 LCD_ShowChar,该函数同前面 OLED 模块的字符显示函
数差不多,但是这里的字符显示函数多了 1 个功能,就是可以以叠加方式显示,或者以非叠加
方式显示。叠加方式显示多用于在显示的图片上再显示字符。非叠加方式一般用于普通的显示。
该函数实现代码如下:
//在指定位置显示一个字符
//x,y:起始坐标
//num:要显示的字符:" "--->"~"
//size:字体大小 12/16/24/32
//mode:叠加方式(1)还是非叠加方式(0)
void LCD_ShowChar(u16 x,u16 y,u8 num,u8 size,u8 mode)
{
u8 temp,t1,t;
u16 y0=y;
u8 csize=(size/8+((size%8)?1:0))*(size/2);//得到字体一个字符对应点阵集所占的字节数
num=num-' ';//ASCII 字库是从空格开始取模,所以-' '就是对应字符的字库
for(t=0;t<csize;t++)
{
if(size==12)temp=asc2_1206[num][t];
//调用 1206 字体
else if(size==16)temp=asc2_1608[num][t]; //调用 1608 字体
else if(size==24)temp=asc2_2412[num][t]; //调用 2412 字体
else if(size==32)temp=asc2_3216[num][t]; //调用 3216 字体
else return;
//没有的字库
for(t1=0;t1<8;t1++)
{
if(temp&0x80)LCD_Fast_DrawPoint(x,y,POINT_COLOR);
else if(mode==0)LCD_Fast_DrawPoint(x,y,BACK_COLOR);
temp<<=1;
y++;
if(y>=lcddev.height)return;
//超区域了
if((y-y0)==size)
{
y=y0;
x++;
if(x>=lcddev.width)return; //超区域了
break;
}
}
}
}
在 LCD_ShowChar 函数里面,我们采用快速画点函数 LCD_Fast_DrawPoint 来画点显示字
符,该函数同 LCD_DrawPoint 一样,只是带了颜色参数,且减少了函数调用的时间,详见本例
程源码。该代码中我们用到了四个字符集点阵数据数组 asc2_3216、asc2_2412、asc2_1206 和
asc2_1608,这几个字符集的点阵数据的提取方式,同十六章介绍的提取方法是一模一样的。详
细请参考第十六章。
最后,我们再介绍一下 TFTLCD 模块的初始化函数 LCD_Init,该函数先配置 FMC 控制器,
然后读取 LCD 控制器的型号,根据控制 IC 的型号执行不同的初始化代码,其简化代码如下:
//初始化 lcd
//该初始化函数可以初始化各种型号的 LCD(详见本.c 文件最前面的描述)
void LCD_Init(void)
{
GPIO_InitTypeDef GPIO_Initure;
FMC_NORSRAM_TimingTypeDef FMC_ReadWriteTim;
FMC_NORSRAM_TimingTypeDef FMC_WriteTim;
__HAL_RCC_GPIOB_CLK_ENABLE();
//开启 GPIOB 时钟
GPIO_Initure.Pin=GPIO_PIN_5;
//PB5,背光控制
GPIO_Initure.Mode=GPIO_MODE_OUTPUT_PP; //推挽输出
GPIO_Initure.Pull=GPIO_PULLUP;
//上拉
GPIO_Initure.Speed=GPIO_SPEED_HIGH;
//高速
HAL_GPIO_Init(GPIOB,&GPIO_Initure);
LCD_MPU_Config(); //使能 MPU 保护 LCD 区域
SRAM_Handler.Instance= FMC_NORSRAM_DEVICE;
//SRAM BANK1
SRAM_Handler.Extended= FMC_NORSRAM_EXTENDED_DEVICE;
SRAM_Handler.Init.NSBank=FMC_NORSRAM_BANK1;
//使用 NE1
SRAM_Handler.Init.DataAddressMux=FMC_DATA_ADDRESS_MUX_DISABLE;
//地址/数据线不复用
SRAM_Handler.Init.MemoryType=FMC_MEMORY_TYPE_SRAM; //SRAM
SRAM_Handler.Init.MemoryDataWidth=FMC_NORSRAM_MEM_BUS_WIDTH_16;
//16 位数据宽度
SRAM_Handler.Init.BurstAccessMode=FMC_BURST_ACCESS_MODE_DISABLE;
//是否使能突发访问,仅对同步突发存储器有效,此处未用到
SRAM_Handler.Init.WaitSignalPolarity=FMC_WAIT_SIGNAL_POLARITY_LOW;
//等待信号的极性,仅在突发模式访问下有用
SRAM_Handler.Init.WaitSignalActive=FMC_WAIT_TIMING_BEFORE_WS;
//存储器是在等待周期之前的一个时钟周期还是等待周期期间使能 NWAIT
SRAM_Handler.Init.WriteOperation=FMC_WRITE_OPERATION_ENABLE;
//存储器写使能
SRAM_Handler.Init.WaitSignal=FMC_WAIT_SIGNAL_DISABLE;
//等待使能位,此处未用到
SRAM_Handler.Init.ExtendedMode=FMC_EXTENDED_MODE_ENABLE;
//读写使用不同的时序
SRAM_Handler.Init.AsynchronousWait=FMC_ASYNCHRONOUS_WAIT_DISABLE;
//是否使能同步传输模式下的等待信号,此处未用到
SRAM_Handler.Init.WriteBurst=FMC_WRITE_BURST_DISABLE;
//禁止突发写
SRAM_Handler.Init.ContinuousClock=FMC_CONTINUOUS_CLOCK_SYNC_ASYNC;
//FMC 读时序控制寄存器
FMC_ReadWriteTim.AddressSetupTime=0x011; //地址建立时间为 17 个 HCLK
FMC_ReadWriteTim.AddressHoldTime=0x00;
FMC_ReadWriteTim.DataSetupTime=0x55; //数据保存时间(DATAST)为 85 个 HCLK
FMC_ReadWriteTim.AccessMode=FMC_ACCESS_MODE_A; //模式 A
//FMC 写时序控制寄存器
FMC_WriteTim.AddressSetupTime=0x15; //地址建立时间(ADDSET)为 21 个 HCLK
FMC_WriteTim.AddressHoldTime=0x00;
FMC_WriteTim.DataSetupTime=0x015; //数据保存时间(DATAST)为 21 个 HCLK
FMC_WriteTim.AccessMode=FMC_ACCESS_MODE_A; //模式 A
HAL_SRAM_Init(&SRAM_Handler,&FMC_ReadWriteTim,&FMC_WriteTim);
delay_ms(50); // delay 50 ms
//尝试 9341 ID 的读取
LCD_WR_REG(0XD3);
lcddev.id=LCD_RD_DATA(); //dummy read
lcddev.id=LCD_RD_DATA(); //读到 0X00
lcddev.id=LCD_RD_DATA();
//读取 93
lcddev.id<<=8;
lcddev.id|=LCD_RD_DATA();
//读取 41
if(lcddev.id!=0X9341)
//非 9341,尝试看看是不是 NT35310
{
LCD_WR_REG(0XD4);
lcddev.id=LCD_RD_DATA();//dummy read
lcddev.id=LCD_RD_DATA();//读回 0X01
lcddev.id=LCD_RD_DATA();//读回 0X53
lcddev.id<<=8;
lcddev.id|=LCD_RD_DATA();
//这里读回 0X10
if(lcddev.id!=0X5310)
//也不是 NT35310,尝试看看是不是 NT35510
{
LCD_WR_REG(0XDA00);
lcddev.id=LCD_RD_DATA();
//读回 0X00
LCD_WR_REG(0XDB00);
lcddev.id=LCD_RD_DATA();
//读回 0X80
lcddev.id<<=8;
LCD_WR_REG(0XDC00);
lcddev.id|=LCD_RD_DATA();
//读回 0X00
if(lcddev.id==0x8000)lcddev.id=0x5510;
//NT35510 读回的 ID 是 8000H,为方便区分,我们强制设置为 5510
if(lcddev.id!=0X5510)
//也不是 NT5510,尝试看看是不是 SSD1963
{
LCD_WR_REG(0XA1);
lcddev.id=LCD_RD_DATA();
lcddev.id=LCD_RD_DATA();
//读回 0X57
lcddev.id<<=8;
lcddev.id|=LCD_RD_DATA();
//读回 0X61
if(lcddev.id==0X5761)lcddev.id=0X1963;
//SSD1963 读回的 ID 是 5761H,为方便区分,我们强制设置为 1963
}
}
}
printf(" LCD ID:%xrn",lcddev.id); //打印 LCD ID
if(lcddev.id==0X9341)
//9341 初始化
{
……//9341 初始化代码
}else if(lcddev.id==0xXXXX) //其他 LCD 初始化代码
{
……//其他 LCD 驱动 IC,初始化代码
}
//初始化完成以后,提速
if(lcddev.id==0X9341||lcddev.id==0X5310||lcddev.id==0X5510||lcddev.id==0X1963)
{
//重新配置写时序控制寄存器的时序
FMC_Bank1E->BWTR[0]&=~(0XF<<0);
//地址建立时间(ADDSET)清零
FMC_Bank1E->BWTR[0]&=~(0XF<<8);
//数据保存时间清零
FMC_Bank1E->BWTR[0]|=5<<0; //地址建立时间(ADDSET)为 5 个 HCLK =21ns
FMC_Bank1E->BWTR[0]|=5<<8;//数据保存时间(DATAST) 为 21ns
}
LCD_Display_Dir(0);
//默认为竖屏显示
LCD_LED(1);
//点亮背光
LCD_Clear(WHITE);
}
该函数先对 FMC 相关 IO 进行初始化,然后是 FMC 的初始化,这个我们在前面都有介绍,
最后根据读到的 LCD ID,对不同的驱动器执行不同的初始化代码,从上面的代码可以看出,
这个初始化函数针对多款不同的驱动 IC 执行初始化操作,这样提高了整个程序的通用性。大家
在以后的学习中应该多使用这样的方式,以提高程序的通用性、兼容性。
这里还要提醒大家,在 LCD_Init 函数中有如下一行代码:
LCD_MPU_Config(); //使能 MPU 保护 LCD 区域
这行代码的作用是调用函数 LCD_MPU_Config 使能 MPU 保护 LCD 区域,而函数
LCD_MPU_Config 定义的内容实际上是我们上一章给大家讲解的使能 MPU 保护 LCD 区域。这
里我们之所以直接在 LCD 程序中加入 MPU 保护,是因为方便大家在移植 LCD 相关代码到自
己的工程中的时候不会因为没有引入 MPU 相关配置而导致 LCD 无法正常工作。
特别注意:本函数使用了 printf 来打印 LCD ID,所以,如果你在主函数里面没有初始化串
口,那么将导致程序死在 printf 里面!!如果不想用 printf,那么请注释掉它。
SRAM 初始化 MSP 回调函数 HAL_SRAM_MspInit 内容比较简单,主要是进行时钟使能以
及 IO 口映射配置,这里就不做过多讲解。
LCD 驱动相关的函数就给大家讲解到这里。接下来,我们看看主函数代码如下:
int main(void)
{
u8 x=0;
u8 lcd_id[12];
Cache_Enable(); //打开 L1-Cache
HAL_Init();
//初始化 HAL 库
Stm32_Clock_Init(432,25,2,9); //设置时钟,216Mhz
delay_init(216); //延时初始化
uart_init(115200);
//串口初始化
LED_Init(); //初始化 LED
LCD_Init(); //初始化 LCD
POINT_COLOR=RED;
sprintf((char*)lcd_id,"LCD ID:%04X",lcddev.id);//将 LCD ID 打印到 lcd_id 数组。
while(1)
{
switch(x)
{
case 0:LCD_Clear(WHITE);break;
……//此处省略部分代码
case 11:LCD_Clear(BROWN);break;
}
POINT_COLOR=RED;
LCD_ShowString(10,40,260,32,32,"Apollo STM32F4/F7");
LCD_ShowString(10,80,240,24,24,"TFTLCD TEST");
LCD_ShowString(10,110,240,16,16,"ATOM@ALIENTEK");
LCD_ShowString(10,130,240,16,16,lcd_id);
//显示 LCD ID
LCD_ShowString(10,150,240,12,12,"2016/7/11");
x++;
if(x==12)x=0;
LED0_Toggle;
delay_ms(1000);
}
}
该部分代码将显示一些固定的字符,字体大小包括 32*16、24*12、16*8 和 12*6 等四种,
同时显示 LCD 驱动 IC 的型号,然后不停的切换背景颜色,每 1s 切换一次。而 LED0 也会不停
的闪烁,指示程序已经在运行了。其中我们用到一个 sprintf 的函数,该函数用法同 printf,只
是 sprintf 把打印内容输出到指定的内存区间上,sprintf 的详细用法,请百度学习。
另外特别注意:uart_init 函数,不能去掉,因为在 LCD_Init 函数里面调用了 printf,所以
一旦你去掉这个初始化,就会死机了!实际上,只要你的代码有用到 printf,就必须初始化串口,
否则都会死机,即停在 usart.c 里面的 fputc 函数,出不来。
在编译通过之后,我们开始下载验证代码。
18.4 下载验证
将程序下载到阿波罗 STM32 后,可以看到 DS0 不停的闪烁,提示程序已经在运行了。同
时可以看到 TFTLCD 模块的显示如图 18.4.1 所示:
![afd325178d98c15f044805bfcbeccf9e.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/a7b52d4e6358efff2ec338c22327ea07.png)
图 18.4.1 TFTLCD 显示效果图
我们可以看到屏幕的背景是不停切换的,同时 DS0 不停的闪烁,证明我们的代码被正确的
执行了,达到了我们预期的目的。
18.5 STM32CubeMX 配置 FMC(SRAM)
当大家了解了 FMC 的基本工作原理,那么使用 STM32CubeMX 配置 FMC 相关参数就会非
常简单。如果大家对 FMC 没有理解,请仔细看教程学习。这里我们们不再详细讲解每个配置
项的含义。使用 STM32CubeMX 配置 FMC 的一般步骤为:
① 进入 Pinout->FMC 配置栏,配置 FMC 基本参数。根据前面的讲解,这里我们使用的是
BANK1 的第一个分区 NE1,同时吧 LCD 作为 SRAM 使用,19 位地址线,16 位数据线。
配置参数如下图 18.5.1 所示:
![5e834e852d5e4a221866075067bc27a3.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/debffd25c3dc8ee2729a7a10cb1988dc.png)
图 18.5.1 FMC 配置参数
② 点击 Configuration->FMC 进入 FMC 配置界面,在 NOR/SRAM 1 选项卡之下配置相关参
数。这些参数的含义这里我们不累赘,在 18.1 小节讲解 HAL_SRAM_Init 函数的时候都
有讲解。配置方法如下图 18.5.2 所示:
![bbcc1276927a23bddc7fae6eb419229d.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/82f897bf8162e9020baeb40b2b80b72d.png)
图 18.5.2 FMC Configuration 配置界面 NOR/PSRAM1 选项卡
在该配置界面,点击右边的 GPIO Settigns 选项卡,还可以配置相关 IO 口的信息。
经过上面配置步骤,我们就可以生成相应的初始化代码,大家生成后和本章实验工
程对比学习。