内存条上面的编码的含义
一、
LGS
(乐金
LG
):
LGS
的内存可以说是目前市场上见到的最多,也是最广泛的内存了,所以
LGS
应
该首先排第一位。
LGS
的内存编码规则:
GM 72 X XX XX X X X X X XXX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
定义:
1
、
GM
代表
LGS
公司。
2
、
72
代表
SDRAM
。
3
、
V
代表
3V
电压。
4
、内存单位容量和刷新单位:其中:
16
:
16M
,
4K
刷新;
17
:
16M
,
2K
刷新;
28
:
128M
,
4K
刷新;
64
:
64M
,
16K
刷新。
65
:
64M
,
8K
刷新;
66
:
64M
,
4K
刷新。
5
、数据带宽:
4
:
4
位,
8
:
8
位,
16
:
16
位,
32
:
32
位。
6
、芯片组成:
1
:
1BAND
,
2
:
2BANK
,
4
:
4BANK
,
8
:
8BANK
7
、
I
/
O
界面:一般为
1
8
、产品系列:从
A
至
F
。
9
、功耗:空白则是普通,
L
是低功
10
、封装模式:一般为
T
(
TSOP
)
11
、速度:其中:
8
:
8NS
,
7K
:
10NS
(
CL2
),
7J
(
10NS
,
CL2&3
),
10K
(
10NS[
一
说
15NS]
,
PC66
),
12
(
12NS
,
83HZ
),
15
(
15NS
,
66HZ
)
二、
HY
(现代
HYUNDAI
)
现代是韩国著名的内存生产厂,
其产品在国内的占用量也很大。
当然,
今后就会
看不到
HY
的产品了,因为现代的内存厂已经并入
LGS
了!
HY
的编码规则:
HY 5X X XXX XX X X X X
-
XX XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
定义:
1
、
HY
代表现代。
2
、一般是
57
,代表
SDRAM
。
3
、工艺:空白则是
5V
,
V
是
3V
。
4
、内存单位容量和刷新单位:
16
:
16M4K
刷新;
64
:
64M
,
8K
刷新;
65
:
64M
,
4K
刷新;
128
:
128M
,
8K
刷新;
129
:
128M
,
4K
刷新。
5
、数据带宽:
40
:
4
位,
80
:
8
位,
16
:
16
位,
32
:
32
位。
6
、芯片组成:
1
:
2BANK
,
2
:
4BANK
;
3
:
8BANK
;
7
、
I
/
O
界面:一般为
0
8
、产品线:从
A
-
D
系列
9
、功率:空白则为普通,
L
为低功耗。
10
、封装:一般为
TC
(
TSOP
)
11
、速度:
7
:
7NS
,
8
:
8NS
,
10P
:
10NS
(
CL2&3
),
10S
:
10NS
,
(
PC100
,
CL3
),
10
:
10NS
,
12
:
12NS
,
15
:
15NS