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微型计算机在脉冲磁场作用下的效应试验-维普

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第 l6卷 第 2期 强 激 光 与 粒 子 束 Vo1．16，NO．2

HIGH POW ER LASER AND PARTICLE BEAMS Feb．，2004

2004年 2月

文章编 号：l001—4322(2004)02—0205—04

微型计算机在脉冲磁场作用下的效应试验

高 成 ， 周璧华 ． 石立华， 陈 彬 ， 李炎新

(解放军理工大学 _=I二程兵Tl程学 院，江苏 南京 210007)

摘 要 ： 介绍 了脉冲强磁场模拟器的工作原理 ．将微型计算机置于脉冲磁场模拟器中．通过改变脉冲磁

场的幅度和上升时间．研究脉冲磁场对微 电子设备的干扰途径、干扰 阈值与脉冲上升时间、脉冲宽度 的关系 。

试验结果表明。微 电子设备的连接电缆是脉冲磁场干扰引人的主要途径 ；简单 的屏蔽措施对于脉冲磁场干扰有

一 定的抑制作用 ；脉冲磁场的时间变化率越大 ．对微电子设备 的干扰作用越强 。

关键词 ： 脉冲磁场 ； 微电子设备 ； 效应 ； 干扰 阈值

中图分类号 ：TMl53 文献标识码 ：A

随着信息技术的广泛应用 ，对 电子信息设备构成威胁 的电磁干扰和损伤倍受人们 的重视。关于 HPM，

UWB，HEMP等对微 电子系统的效应 已有较多的研究 ，而脉冲磁场对微 电子设备的效应研究还不多见。

地面核爆炸的源区电磁脉冲 (SREMP)，是磁场能量 占有较大份额的低阻抗场 ，它对电子信息系统特别是地下、

建筑物内的电子信息设备构成了严重的威胁。在防雷接地导体和传导瞬变电流的金属构架附近，磁场强度的

峰值为几百 A／m到上千 A／me。相对于脉冲 电场，对脉冲磁场 的防护较为困难 。普通金属材料对磁场的屏

蔽效能较差，铁磁材料存在磁饱和现象 ；岩土介质对磁场的衰减较弱。由于脉冲磁场持续时间比涡流的衰减时

间长得多 ，屏蔽将从对磁场的不透明变到对磁场的透明。对 电子设备 中的敏感电子器件可能造成损伤，能使磁

存贮器完全翻转 。因而对电子信息系统构成了严重威胁，甚至对于防护工程内部的电子信息系统也构成了威

胁 。

为了研究强脉冲磁场对微电子设备的干扰与损伤效应 ，作者研制了一套脉冲强磁场模拟器 。将微型计算

机置于脉冲磁场模拟器 中，通过改变脉冲磁场的幅度 、脉冲磁场的上升时间，研究脉冲磁场对微电子设备的干

扰途径、干扰阈值与脉冲上升时间的关系。

l 试验方法简介

设备组成如图 l所示，脉冲强磁场模拟器由高压

控制台、直流高压源 、脉冲充电电路、空气开关、形成强

磁场的放 电环 、测量示波器等部分组成。放 电环 既是

脉冲电流源的负载，也是强磁场形成装置。该设备可

等效为一个工作在过阻尼状态的二阶电路，通过放 电

环的电流是双指数波形 。设备能产生峰值达 mT量级 Fig．1 Schematicofstrongpulsedmagneticfieldsimulator

的脉冲磁场，放 电电压可达 50kV；产生的脉冲磁场波 图 1 脉冲强磁场模拟器的组成框图

形参数 (上升时间、宽度 、峰值)在调整的范围内可调；可在局部形成一个峰值脉冲磁场强度较高、均匀度 比较好

的工作空间，以便放置试件进行试验。

试验时将一台 486微型计算机置于放电环中央 。通过控制放 电电压来控制放电电流的幅度，从而控制脉

冲磁场峰值。

2 宽度相 同、上升时间不同的脉冲磁场对微机干扰阈值 的影响

为了得出不同上升沿的脉冲磁场对微机的干扰阈值，通过调整放 电回路的电参数 ，来改变磁场波形的上升

时间，同时保持脉冲宽度不变 。

当放电回路的放 电环为半径 lm的圆环时，不同上升时间的放电电流波形如图2所示 ；当放电回路的放 电

收稿 日期：2003—02—12； 修订 日期 ：2003—08—04

基金项 目：国家 自然科学基金资助课题

作者简介：高 成 (1964～)，男 ，博士 ，副教授 ，现从事电磁兼容的教学与研究工作 ；E-mail：gaocheng2