今天主要记录强关联电子体系+U、DOS和能带计算过程中参数的设置,相信大家在读一些计算类文献时会看到文章中计算部分有The GGA + U calculations were performed using the model proposed by Dudarev et al
这样一段话,那么我们今天来讨论一下。
首先了解一下什么是强关联电子体系,对于弱关联体系,DFT-LDA近似就能很好的描述材料的电子特性。而对于含有d层尤其是f层电子的体系,电子--电子库伦互作用导致的局域电子占据态会强烈影响体系的能级分布。
电子间的库伦交互作用不可忽略---强关联体系。强关联体系的处理---引入Hubbard U模型:
就是LDA的总能,后面一项为考虑了电子库伦交换作用的Hubbard U项。
1) VASP计算过程LDA+U模型如何设置参数?
U值由三个参数控制:LDAUL LDAUU LDAUJ
LDAUL---对具体的p-/d-/f-轨道加U
LDAUU---电子库伦相互作用项(on -site Coulomb interction)
LDAUJ---电子交换相互作用项(on -site exchange interction)
(U-J为有效U值)
2) U值怎么确定?
对U值做一系列测试,求得与实验值较为接近的结果。(纯计算)
研究较为成熟的体系,参考文献值,然后引用出来即可。(主实验,辅计算)
谁让我爱你们呢,详见:
http://blog.sciencenet.cn/blog-567091-775079.html
光说不练瞎嚯嚯,上才艺:
一、CeO2晶胞结构优化
首先找到CeO2结构
POSCAR:
CIF file
1.0
5.4109997749 0.0000000000 0.0000000000
0.0000000000 5.4109997749 0.0000000000
0.0000000000 0.0000000000 5.4109997749
O Ce
8 4
Direct
0.250000000 0.250000000 0.250000000
0.750000000 0.750000000 0.750000000
0.750000000 0.750000000 0.250000000
0.250000000 0.250000000 0.750000000
0.750000000 0.250000000 0.750000000