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第五章半导体存储器及其应用微型计算机使用半导体存储器.ppt

第8章 MCS-51存储器的扩展 单片机最小系统 扩展使用的三总线 地址总线：P0－低8位 P2－高8位 数据总线：P0 控制总线：RD、WR、 ALE、 PSEN ( 读、 写、 地址锁存允许、 外程序存储器读选通) 8.1 随机读写存储器RAM的扩展8.1.1 RAM 8.1.2 SRAM的引脚 存储器与微型机三总线的连接： 8.1.4 地址锁存器的原理 地址锁存器芯片 8.1.5 62128与MCS51的连接 8.2 只读存储器ROM的扩展 工作时，ROM中的信息只能读出，要用特殊方式写入(固化信息)，失电后可保持信息不丢失。 1) 掩膜ROM：不可改写ROM 由生产芯片的厂家固化信息。在最后一道工序用掩膜工艺写入信息，用户只可读。 2) PROM：可编程ROM 用户可进行一次编程。存储单元电路由熔丝相连，当加入写脉冲，某些存储单元熔丝熔断，信息永久写入，不可再次改写。 3)EPROM：可光擦除PROM 用户可以多次编程。编程加写脉冲后，某些存储单元的PN结表面形成浮动栅，阻挡通路，实现信息写入。用紫外线照射可驱散浮动栅，原有信息全部擦除，便可再次改写。 4.EEPROM：可电擦除PROM 既可全片擦除也可字节擦除，可在线擦除信息，又能失电保存信息，具备RAM、ROM的优点。但写入时间较长。 8.2.2 27128与MCS51的连接 MCS51同时扩展ROM和RAM 1.线选法 2．译码片选法 3-8 地址译码器：74LS138 2．译码片选法 Y0、Y1、Y2分别连接三片存储器的片选端CE1、CE2、CE3 微型机总线扩展驱动 当单片机外接芯片较多，超出总线负载能力，必须加总线驱动器。 * 8.1 随机读写存储器RAM的扩展 8.2 只读存储器ROM的扩展 8.3 地址译码的方法 无ROM芯片：8031 必须扩展ROM，复位、晶振电路 有ROM芯片：89c51等，不必扩展ROM，只要有复位、晶振电路 使单片机能运行的最少器件构成的系统。 数据存储器一般采用RAM芯片，这种存储器在电源关断后，存储的数据将全部丢失。 RAM器件有两大类： 动态RAM(DRAM)，一般容量较大，易受干扰，使用略复杂。 静态RAM(SRAM)，在工业现场常使用ＳＲＡＭ． 6264 逻辑图 6264 引脚图 型号：6264 前两位数62, 表示SRAM 后两位64÷8=8k 字节容量 62128 有128÷8=16k 字节容量 62256 有256÷8=32k 字节容量 4) 读写线OE、WE(R/W) 连接读写控制线RD、WR。 8.1.3 RAM存储器的连接 DB0～n AB0～N D0～n A0～N ABN+x CS R/ W R/ W 微型机 存储器 1)数据线 D0～n 连接数据总线 DB0～n 2)地址线 A0～N 连接地址总线低位AB0～N。 3)片选线 CS 连接地址总线高位ABN+x。 74LS373与74LS573只是引脚布置的不同。 74LS273的11脚G逻辑与以上相反。 单片机复用总线结构, 数据与地址分时共用一 组总线。 ALE 地址 锁存 地址 锁存 地址 输出 数据 有效 地址 输出 数据 有效 AD0～n 数据 采样 数据 采样 R/W 单片机 AD0～7 ALE R/W D0～7 A0～7 R/W 存储器 Di Qi G 地址 锁存器 AD8～n A8～n 7.2.1 27xx的引脚 8.2 只读存储器ROM的扩展 与RAM的不同点： 只有一片ROM时，CE可以接地 OE接PSEN 1.线选法 P2口剩余高位地址总线直接连接各存储器片选线。 2.译码片选法 P2口剩余高位地址总线通过地址译码器输出片选信号。多片存储器芯片组成大容量存储器连接常用片选方法。 8.3 地址译码的方法 P2.7 P2.6 P2.5 P2.4 P2.3 P2.2 P2.1 P2.0 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 Ⅰ： 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 =C000H ～1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ～DFFFH Ⅱ： 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 =A000H ～1 0