c程序设计课本电子版_第一届VASPKIT·并行科技杯程序设计比赛之异质结建模

活动目的

在目前的第一性原理计算领域，Vienna Ab initio simulation package (VASP)已经成为应用最广泛、用户数量最庞大、发表论文最多的软件包之一。市面上已经有不少可以对VASP做前处理或者后处理的软件，VASPKIT就是其中相当出色的一款，它集中了许多热门的前处理、后处理模块。目前用户规模庞大，发展势头强劲。为激发广大计算化学工作者动手编程的热情，锻炼大家自己动手以编程的方式解决实际问题的能力，并进一步丰富和完善VASPKIT 软件包的功能，VASPKIT开发者团队决定举办第一届VASPKIT·并行科技杯程序设计比赛。本届比赛由并行科技赞助，主题为异质结建模，参赛者需通过原创程序实现这一功能，其中优秀程序作品将有机会并入VASPKIT软件包，优秀参赛者将有机会成为 VASPKIT 软件包的贡献者之一。期待各位计算学子热情参与。

VASPKIT杯事宜

• 主办单位：VASPKIT开发者团队，北京并行科技股份有限公司。
• 参赛时间：7月1日-7月31日。北京时间7月31日22:00投稿截止。
• 参赛方式：将自己的软件源码及参赛文档发送电子邮件至：vaspkit_cup@hotmail.com，邮件标题为：“真实姓名-单位全称-异质结建模”，中英文皆可。附件需要使用同样格式命名。
• 评审标准：优先看脚本交互性、普适性、建模效果，次要考虑程序运行时间。
• 评审团队： VASPKIT杯组织者团队，包含VASPKIT软件开发者团队西安理工大学/大阪大学王伟老师，浙江大学博士研究生许楠，清华大学博士研究生刘锦程；新加坡国立大学博士研究生王添；中国科学技术大学博士研究生吴道雄；剑桥大学博士后张召富；并行科技技术顾问乔楠（以上排序不分先后）。
• 参赛奖励：一等奖一名，奖金800元人民币；二等奖两名，奖金400元；三等奖三名，奖金200元；参与奖人数不限，完成基本内容即可获得参与奖。优秀的参赛作品将有机会添加到VASPKIT主程序中。并行科技公司还给第一、二、三等奖获得者提供北京并行科技股份有限公司和北京北龙超级云计算有限责任公司的额外实习机会，并赞助第一等奖获得者参加第十五届全国高性能计算学术年会。组织者团队将主动联系第一、二、三等奖获得者，并以快递邮寄形式颁发实体证书，给参与奖获得者颁发电子参与证书。此外，由并行科技团队和VASPKIT组委会共同评选一名参赛者颁发并行基金奖，奖金500元人民币，同时参赛者还有机会获得VASPKIT文化衫一件。
• 比赛赞助：本次比赛由中国超算/人工智能行业软件服务的龙头企业北京并行科技股份有限公司赞助，参赛者的姓名和邮箱地址将备份至并行科技。凡参赛者均可申请免费获取并行超算云账号与2000 核时，进行软件测试；若参赛者三年内向并行科技购买计算资源，并行科技将会给予一定优惠。
• 版权和法务：参赛者需要签署并提交附件中的参赛文档：VASPKIT杯程序设计比赛参赛文档.docx，声明自己提交的作品为本人原创作品。签署方式推荐手写真实名字并拍照或扫描为电子版，与自己的作品一起发送到比赛邮箱。VASPKIT开发者团队保证签名不会用于其他用途。
• 本次比赛最终解释权归VASPKIT杯组织者团队。
• 若对比赛内容有疑问或对比赛有任何建议，请联系许楠。
• 若对比赛内容有疑问或对比赛有任何建议，请联系许楠。
• 相关链接：
  VASPKIT软件官方网站链接： https://vaspkit.github.io/
  VASPKIT开发者之一GitHub链接：https://github.com/tamaswells
  比赛测试项目下载链接：vaspkit_cup_structure.rar
  并行科技公司官网链接：https://www.paratera.com/
  并行科技教育专用邮箱：edu@paratera.com
  并行科技市场和计算资源顾问：卢贺，tel:13718624100；胡永利，tel:13691239019；李彬，tel:18519852373

参赛须知：

1. 使用自己独立撰写的脚本或程序，至少能够实现下述列举的异质结建模测试项目，完成基本要求即可；测试项目中的加分项不强制实现。
2. 输入文件（独立材料的POSCAR）已经提供，可通过该链接下载比赛测试项目，输出文件为异质结的POSCAR文件。
3. 请使用主流编程语言，推荐使用Python, Fortran, Shell, MATLAB, C/C++。
4. 异质结建模脚本可以充分调用如VASPKIT或者其他开源软件/脚本，如使用商业软件MS等会酌情减分。如需调用VASPKIT以外的脚本，需在上传源码中附上相应的软件/脚本，并详细列清楚使用说明。
5. 下述测试项目中涉及到的文献仅为例子，方便参赛者了解材料结构和基本性质，参赛者可以自己寻找更多参考文献。

测试项目：

1. 2D/2D异质结简单版本：两个2D材料基矢夹角相同，晶格常数误差范围内相同。例子：
   
   基本要求：利用提供的01_MoS2_POSCAR 和01_WSe2_POSCAR 文件构建最小原子数、且mismatch在5%之内的异质结，初始层间距为3Å，异质结真空层为15Å，保持异质结晶格基矢夹角与单层材料一致（即
   ），晶格常数为两个slab材料的平均数。
   
   注：初始层间距定义为
   和
   之间 最近邻 S 原子层和 Se 原子层之间的距离
   
   Ref：2014 Stacking effects on the electronic and optical properties of bilayer transition metal dichalcogenides MoS2, MoSe2, WS2, and WSe2
2. 2D/2D异质结中级版本：两个2D材料基矢夹角相同，晶格常数不同。例子：
   
   基本要求：利用提供的02_MoS2_POSCAR 和02_Graphene_POSCAR 文件构建最小原子数、且mismatch在5%之内的异质结，初始层间距为3Å，异质结真空15Å。
   Ref：2017 First-principles study of the structural and electronic properties of graphene/MoS2 interfaces
3. 2D/2D异质结复杂版本：两个2D材料基矢夹角不同，晶格常数不同。例子：graphene/black P
   基本要求：利用提供的03_blackP_POSCAR和03Graphene_POSCAR 文件构建最小原子数、且mismatch在5%之内的异质结，初始层间距为3Å，异质结真空15Å。异质结夹角为
   。
   
   Ref: 2015 Electronic Properties of Phosphorene/ Graphene and Phosphorene/Hexagonal Boron Nitride Heterostructures
4. 金属/半导体异质结：
   
   基本要求：利用提供的04_Ni111_POSCAR和04_MoS2_POSCAR 文件构建最小原子数、且mismatch在5%之内的异质结，初始层间距为3Å，异质结真空15Å。
   Ref: 2015 3D Behavior of Schottky Barriers of 2D Transition-Metal Dichalcogenide
5. 3D/3D异质结：
   ，其中两侧都是FCC结构
   
   基本要求：利用提供的05_GaN001_POSCAR和05_HfO2001_POSCAR文件构建最小原子数、且mismatch在5%之内的异质结，初始层间距为2Å，异质结真空15Å。
   Ref：2015 GaN as an Interfacial Passivation Layer: Tuning Band Offset and Removing Fermi Level Pinning for III−V MOS Devices
6. 加分项：
   加分项1：可以自定义初始层间距
   加分项2：可以自定义异质结真空厚度
   加分项3：可以自定义mismatch
   加分项4：可以自定义异质结夹角
   加分项5：可以读取提供的01MoS2bulkPOSCAR和 01WSe2bulkPOSCAR两个体材料结构自动切割出单层slab，并用于异质结建模。
   加分项6：可以自定义异质结晶格选取标准：使用上层材料晶格、下层材料晶格、上下层材料晶格平均值。
   加分项7： 可以自定义上下层材料水平偏移量，从而输出不同堆垛方式的异质结。上下层材料水平偏移量使用一个平移矢量表示：异质结中下层材料相对于其 slab 结构中的位置的平移矢量(以分数坐标表示)。以测试项目中提供的 POSCAR 为例，假设
   在下，构建异质结时不平移，则是 AA 堆垛方式。
   平移 [-1/3 1/3 0] 构建的就是异质结就是 AB’堆垛），参考Phys. Rev. B 89 (2014) 075409, Figure 1.
   
   加分项8：程序可以输出符合要求 mismatch 前提下，异质结晶胞晶格最小的三种 slab 晶胞搭配方案，并给出这三种搭配方案基本信息，比如异质结晶胞原子数和晶格常数/夹角。
   加分项9：可以自定义满足mismatch的其他异质结夹角。

VASPKIT 开发组

2019/07/01