应用市场自然量预估_一种使用Capless LDO结构的片上电容的预估方法

随着半导体行业不断的发展， SOC芯片处理的功能不断增加，要求SOC芯片具有更为丰富的外设控制接口和通信接口，由于封装、模具、成本等因素限制，芯片只有有限的管脚资源。其中电源和地的管脚占用了相当一部分的引脚资源。如STM32系列芯片^[1]，采用片内LDO方式会省去部分电源管脚，增加管脚资源。

在电力应用、金融交易等工业控制领域，保证信息安全的加密芯片具有广泛的应用。对于该类芯片，其内核电源必须采用内部供电的方式，避免核心安全加密算法受到针对电源和地的侵入式攻击，对数据安全造成极大威胁^[2]。因此必须要采用片上LDO方法给内核供电。

给数字内核供电的片上LDO的负载特征如下：(1)平均功耗和数字电路的工作频率成正比；(2)在时钟翻转沿出现峰值功耗，其他阶段功耗很小，功耗集中在纳秒量级^[3-4]。因此片上LDO必须具有响应到纳秒级的负载变化能力，要求其带宽达到上吉赫兹，在功耗、面积的限制下很难实现，必须并联足够的片上滤波电容。在设计流程上，数字代码冻结进行PR后，仿真出数字电路的功耗，之后再确定片上滤波电容的大小，插入滤波电容后再完成后续验证流程。根据以往的设计经验，片上滤波电容往往达到数纳法的级别，占用了芯片10%~20%不等的面积，这样大的面积占比又会改变芯片的布局，使得设计流程再重新进行迭代，严重的会造成数月的延期，对项目的可控造成极大的影响。

本文针对以上问题，提出了一种使用LDO的片上电容的预估方法，在项目的代码前端设计阶段就引入功耗分析和估算方法，提前评估出片上滤波电容大小，将该电容计入芯片布局，避免了上述迭代，减小项目周期。采用本方法成功设计了一款芯片，芯片性能优良。

1 片上LDO和滤波电容的工作原理

图1给出了一个LDO主体电路和一个滤波电容C_dcp，其中C_dcp为片内电容，p2为输出电压，不引出到芯片的IOPAD上，直接给芯片core供电。该LDO的输出电压为：

其中V_REF为片上基准电压源。I_load为数字电路的功耗，其典型的波形如图2所示。