mos管 rl_MOS管一些参数解释（转）

4 雪崩击穿特性参数

这些参数是 MOSFET 在关断状态能承受过压能力的指标.如果电压超过漏源极限电压将导致器件处在雪崩状态.

EAS :单次脉冲雪崩击穿能量.这是个极限参数,说明 MOSFET 所能承受的最大雪崩击穿能量.

IAR :雪崩电流.

EAR :重复雪崩击穿能量.

5 热阻

:结点到外壳的热阻.它表明当耗散一个给定的功率时,结温与外壳温度之间的差值大小.公式表达⊿ t = PD*  .

:外壳到散热器的热阻,意义同上.

:结点到周围环境的热阻,意义同上.

6 体内二极管参数

IS :连续最大续流电流(从源极).

ISM :脉冲最大续流电流(从源极).

VSD :正向导通压降.

Trr :反向恢复时间.

Qrr :反向恢复充电电量.

Ton :正向导通时间.(基本可以忽略不计).

7、一些其他的参数：

Iar:    雪崩电流

Ear:     重复雪崩击穿能量

Eas:     单次脉冲雪崩击穿能量

di/dt---电流上升率(外电路参数)

dv/dt---电压上升率(外电路参数)

ID(on)---通态漏极电流

IDQ---静态漏极电流(射频功率管)

IDS---漏源电流

IDSM---最大漏源电流

IDSS---栅-源短路时，漏极电流

IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流)

IG---栅极电流(直流)

IGF---正向栅电流

IGR---反向栅电流

IGDO---源极开路时，截止栅电流

IGSO---漏极开路时，截止栅电流