本文介绍了东芝的3D闪存技术，特别是其BiCS3架构，它采用64层堆叠的TLC闪存单元，提升了存储密度。文章还提及了2p_256表示的双Plane设计，每个Plane容量256Gb，总容量512Gb。在东芝TR200固态硬盘中，这种技术得以应用。随着技术发展，96层堆叠的BiCS4闪存已进入量产阶段，预示着未来存储设备的性能将进一步提升。
TLC很容易理解，它的每个存储单元可以记忆3个比特数据。近一段时间流行的“三进制计算机”理论其实也是基于类似的原理，目的都是为了扩展数据容量。
接下来的3d_g3在这里指的是东芝第三代BiCS架构闪存。
早在2007年，东芝就在IEEE学术会议上展示了3D闪存技术，并在接下来推动BiCS闪存堆叠层数的增加以及SSD应用的发展。
同样的闪存也被应用在东芝TR200固态硬盘当中。BiCS3为64层堆叠结构，只有TLC一种类型。
接下来的2p_256代表的则是一个闪存device包含两个plane闪存平面，总容量256Gb。下图是一个2Plane闪存的示意图，不过它的容量更大，总容量是512Gb。
东芝TR200当中的TOSHIBA主控及上面提到的这种512Gb容量BiCS3闪存颗粒。与手机硬盘芯片不同的是，固态硬盘的主控与闪存颗粒是分开的，并没有集成在一起。
把上文iPhone XR中检测到的硬盘描述符号连在一起就明确了，它使用的是东芝制造的BiCS3闪存，双Plane设计，单die容量256Gb，由于这是一部128GB的机型，闪存中实际封装有4个闪存晶粒以及相应的闪存控制器。目前96层堆叠的BiCS4闪存已经量产，或许在今年9月份的iPhone新品以及固态硬盘中我们就有机会见到它的身影。
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