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JEDEC固态技术协会今天将发布其下一个主流存储器标准DDR5 SDRAM的最终规范,这将标志着计算机存储器开发的一个重要里程碑。自90年代末以来,DDR的最新版本一直在驱动PC,服务器以及所有产品之间的发展,DDR5再次扩展了DDR内存的功能,使峰值内存速度提高了一倍,同时也大大增加了内存大小。DDR5 RAM的新功能
决策反馈均衡(DFE)等新功能可实现输入和输出速度的缩放,以提供比上一代产品更高的带宽,并有望提供4.8 Gbps(启动时为50 Gbps)。比当前的DDR4(运行速度为3.2 Gbps)快50%。 在其附加功能中,我们发现:细粒度的更新功能:与DDR4相比,任何存储库更新都可以将设备的延迟提高到16 Gbps。通过允许某些存储库与其他存储库同时使用进行更新,同一存储库的自动更新可提供更好的性能。
内置ECC和其他缩放功能允许在高级过程节点上进行批量生产。
与DDR4相比,当Vdd从1.2V降至1.1V时,能效得到改善。
使用的MIPIÒ联盟I3C基本规范的系统管理总线。
- 在模块级别,DIMM设计中的电压调节器可实现更轻松的可扩展性,更好的电压容限以实现更好的DRAM性能,并有可能进一步降低功耗。
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变得更大:更密的内存和芯片堆叠
我们首先简要介绍一下容量和密度,因为与DDR4相比,这是对标准最直接的更改。DDR5的设计时间跨度为数年,它将允许单个存储芯片达到64Gbit的密度,这比DDR4的最大16Gbit密度高出4倍。结合die堆叠,可以将多达8个管芯die为一个芯片,那么40个单元的LRDIMM可以达到2TB的有效存储容量。或者对于更不起眼的无缓冲DIMM,这意味着我们最终将看到典型双列配置的DIMM容量达到128GB。 当然,当芯片制造赶上规范允许的范围时,DDR5规范的峰值容量将用于该标准生命周期的后期。首先,内存制造商将使用当今可达到的密度8Gbit和16Gbit芯片来构建其DIMM。因此,虽然DDR5的速度提升将是相当立即的,但是随着制造密度的提高,容量的提升将更加缓慢。![1c76f0976be5804d73598ea88f4cb4fc.png](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/1c76f0976be5804d73598ea88f4cb4fc.png)
更快:一个DIMM,两个通道
DDR5的另一部分是关于再次增加内存带宽。每个人都希望获得更高的性能(尤其是随着DIMM容量的增长),并且毫不奇怪的是,为了实现这一目标,在规范中进行了大量工作。 对于DDR5而言,JEDEC希望比DDR存储器规范更积极地开始工作。通常,新标准是从上一个标准开始的地方开始的,例如从DDR3到DDR4的过渡,DDR3正式停止在1.6Gbps,而DDR4从那里开始。但是,对于DDR5,JEDEC的目标是更高的,该组织预计将以4.8Gbps的速度推出,比DDR4的官方3.2Gbps最大速度快约50%。在随后的几年中,该规范的当前版本允许的数据速率高达6.4Gbps,是DDR4官方峰值的两倍。 当然,爱好者会注意到DDR4已经超过了官方规定的最大3.2Gbps(有时远高于),并且DDR5最终可能会走类似的路线。不论具体数字如何,其基本目标是使单个DIMM的可用带宽翻倍。因此,如果SK海力士确实在本十年后期实现了DDR5-8400的目标,也不要感到惊讶。 这些速度目标的基础是DIMM和内存总线上的更改,以便每个时钟周期馈送和传输大量数据。与DRAM速度一样,最大的挑战来自DRAM核心时钟速率缺乏进展。专用逻辑仍在变得越来越快,存储器总线也在变得越来越快,但是支撑现代存储器的基于电容器和晶体管的DRAM的时钟频率仍然不能超过几百兆赫兹。 因此,为了从DRAM裸片中获得更多收益(以保持内存本身正在变得越来越快并提供实际上更快的内存总线的错觉),需要越来越多的并行性。DDR5再次提高了赌注。![8766834791ae7a87f6c790a049d105eb.png](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/8766834791ae7a87f6c790a049d105eb.png)
快速总线服务:决策反馈均衡
相比寻找增加DRAM DIMM并行化数量的方法,增加总线速度既简单又困难:这种想法在概念上很简单,在执行上也很困难。最终,要使DDR的内存速度提高一倍,DDR5的内存总线的运行速度必须是DDR4的两倍。 DDR5进行了几处更改以实现这一目标,但是令人惊讶的是,存储总线没有任何大规模的根本更改,例如QDR或差分信令(differential signaling)。取而代之的是,JEDEC及其成员已经能够使用经过稍微修改的DDR4总线版本实现其目标,尽管这种总线必须在更严格的公差范围内运行。![d2c6cbad868107359943e987d94a7139.png](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/d2c6cbad868107359943e987d94a7139.png)
更简单的主板,更复杂的DIMM:DIMM上的电压调节
随着内核在密度和存储速度方面的变化,DDR5再次提高了DDR存储器的工作电压。根据规格,DDR5的Vdd为1.1v,低于DDR4的1.2v。像过去的更新一样,这将提高内存相对于DDR4的电源效率,尽管到目前为止,功耗提升的幅度不如DDR4和早期标准。 JEDEC还在DDR5内存标准中引入来对DIMM的电压调节方式进行相当重要的更改。简而言之,电压调节正从主板移至各个DIMM,而DIMM则负责其自身的电压调节需求。这意味着DIMM现在将包括一个集成的稳压器,并且适用于从UDIMM到LRDIMM的所有内容。![a3560a69304c89c082e40aaab0f4dd0e.png](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/a3560a69304c89c082e40aaab0f4dd0e.png)
DDR5 DIMM:仍为288针,但引脚排列已更改
最后,正如早期供应商原型中已经广泛证明的那样,DDR5将保持与DDR4相同的288针数。这反映了DDR2到DDR3的过渡,此处的引脚数在240个引脚处也保持相同。 但是,不要期望在DDR4插槽中使用DDR5 DIMM。尽管引脚数没有改变,但引脚排列却是为了适应DDR5的新功能,尤其是其双通道设计。![90798747a3c8ca3a2dfe0a6bd8e72c6a.png](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/90798747a3c8ca3a2dfe0a6bd8e72c6a.png)
现在开始送样,在接下来的12-18个月内开始采用
与其他JEDEC规范发布一样,今天的发布要少一些产品,而更多的是要由开发委员会设置供其成员使用的标准。从一开始就参与DDR5开发过程的主要内存制造商已经开发了DIMM原型,现在正在考虑将其打包起来,以将他们的第一个商用硬件推向市场。 DDR5的总体采用曲线预计将与早期DDR标准相似。也就是说,JEDEC预计DDR5将在硬件完成后的12到18个月内开始出现在终端设备中,并从那里开始增加。尽管该小组没有提供具体的产品指导,但他们非常清楚地表示,他们希望服务器再次成为早期采用的推动力,尤其是在大型超大规模产品方面。英特尔和AMD都没有正式宣布使用新内存的平台,但是在那一点上只是时间问题。 同时,他们期望DDR5的寿命周期与DDR4一样长,甚至更长一些。DDR3和DDR4都享有大约7年的生命周期,并且DDR5应该具有相同的稳定性。而且,尽管无法完全清晰地看到数年,但此时JEDEC认为,由于技术行业的不断成熟,DDR5的保质期将比DDR4长。当然,这是苹果在同一年放弃英特尔的CPU,因此到2028年,一切皆有可能。 无论如何,随着DDR5准备发布,可以期望主要的存储器制造商继续炫耀其原型和商用DIMM。随着2021年正式开始采用,似乎明年将为服务器市场以及最终的客户端台式机市场带来一些有趣的变化。