xc7k325tffg900芯片手册_XC7K325TFFG900_Spartan-3【太航半导体】闻喜县

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XILINX

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XILINX

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XC7K325TFFG900_Spartan-3【太航半导体】闻喜县

资料江丰电子招股说明书，在晶圆制造环节，溅射靶材主要用于晶圆导电层及阻挡层和金属栅极的制作，主要用到铝、钛、铜、钨、钽等金属，芯片封装用金属靶材与晶圆制造类似，主要有铜、铝、钛等。其中，晶圆制造导电层使用金属靶材主要有铝靶和铜靶，阻挡层使用金属靶材主要有钽靶和钛靶，阻挡层主要有两个作用，一方面是阻隔与绝缘，防止导电层金属扩散到晶圆主体材料硅中，另一方面作为黏附，用于粘结金属和硅材料。一般来说，110nm技术节点以上晶圆分别用铝、钛作为导线及阻挡层的薄膜材料，110nm以下晶圆分别使用铜，钽材料作为导线及阻挡层的薄膜材料，随着晶圆制程的缩小，未来对铜靶、钽靶以及制作金属栅极用钛靶的用量占比将不断提升。

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XCV812E6FG900C

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XCV812E-7BG560C

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