tracepro杂散光分析例子_光刻机的蜕变过程及专利分析

来源：芯通社

近两年，中国芯片产业受到了严重打击，痛定思痛之余也让国人意识到芯片自主研发的重要性。从2008年以来，十年间，芯片都是我国第一大宗进口商品，进口额远超于排名第二的石油。2018年我国进口集成电路数量为4175.7亿个，集成电路进口额为3120.58亿美元，这组数据清晰的反映出我国中高端芯片技术能力的缺失及对外依赖的严重程度。

我国生产芯片的技术水平与国外先进企业相比存在较大的差距，且生产芯片的工具及工艺也被国外几个公司垄断。其中光刻机，被誉为人类20世纪的发明奇迹之一，是集成电路产业皇冠上的明珠，研发的技术门槛和资金门槛非常高。当今能够制造出光刻机的国家仅有荷兰、美国、日本等少数几个国家，荷兰的ASML是该领域绝对的龙头老大，它的光刻机占据全球市场的80%左右。

光刻机用途广泛，除了前端光刻机之外，还有用于LED制造领域投影光刻机和用于芯片封装的后道光刻机，在此只介绍前端光刻机。

1.背景技术及工作原理

光刻(lithography)设备是一种投影曝光系统，由紫外光源、光学镜片、对准系统等部件组装而成。在半导体制作过程中，光刻设备会投射光束，穿过印着图案的光掩膜版及光学镜片，将线路图曝光在带有光感涂层的硅晶圆上。通过蚀刻曝光或未受曝光的部份来形成沟槽，然后再进行沉积、蚀刻、掺杂，架构出不同材质的线路。

此工艺过程被一再重复，将数十亿计的MOSFET或其他晶体管建构在硅晶圆上，形成一般所称的集成电路。

光刻工艺在整个芯片制造过程中至关重要，其决定了半导体线路纳米级的加工度，对于光刻机的技术要求十分苛刻，对误差及稳定性的要求型极高，相关部件需要集成材料、光学、机电等领域最尖端的技术。因而光刻机的分辨率、精度也成为其性能的评价指数，直接影响到芯片的工艺精度以及芯片功耗、性能水平。

因此光刻机是集成电路制造中最庞大、最精密复杂、难度最大、价格最昂贵的设备。

光刻机的分辨率决定了IC的最小线宽。想要提高光刻机的成像分辨率,通常采用缩短曝光光源波长和增大投影物镜数值孔径两种方法。

根据所述光源的改进，光刻机经历了第一代是436nm g-line；第二代是365nm i-line；第三代是248nm KrF；第四代193nm ArF；最新的是13.5nm EUV。

其中，193nm ArF也被称为深紫外光源。使用193nmAr