基于matlab多绕组变压器模型的磁饱和式可控电抗器仿真建模方法,基于MATLAB多绕组变压器模型的磁饱和式可控电抗器仿真建模方法...

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电力自动化设备

Ｅｌｅｃｔｒｉｃ

ＰｏｗｅｒＡｕｔｏｍａｔｉｏｎ

Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ

Ｖ０１．３４Ｎｏ．３Ｍａｒ．２０１４

基于ＭＡＴＬＡＢ多绕组变压器模型的磁饱和式

可控电抗器仿真建模方法

田铭兴，杨秀川，杨雪凇

(兰州交通大学自动化与电气工程学院，甘肃兰州７３００７０)

摘要：根据磁饱和式可控电抗器(ＭＳＣＲ)的结构特点，提出了基于ＭＡＴＬＡＢ多绕组变压器模型的ＭＳＣＲ仿真建模方法。通过对ＭＳＣＲ基本参数关系和铁芯磁化饱和特性的分析，找到了ＭＳＣＲ额定容量、额定电压、额定频率、自耦比和绕组电阻等参数与ＭＡＴＬＡＢ多绕组变压器模型参数之间的定量关系．明确了基于ＭＡⅡＡＢ多绕组变压器模型的ＭＳＣＲ仿真模型参数的设置方法。实例仿真结果说明，所建ＭＳＣＲ仿真模型不仅可以对绕组、晶闸管、二极管等ＭＳＣＲ元器件的电压和电流，以及晶闸管、二极管之间的换流过程进行仿真分析，而且具有直观简单、不依赖于ＭＳＣＲ结构参数和准确有效的特点。

关键词：可控电抗器；磁饱和；仿真；建模：多绕组变压器；ＭＡⅡＡＢ中图分类号：ＴＭ５５４文献标识码：ＡＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００６—６０４７．２０１４．０３．０１３

０

引言

随着超高压长距离高自然功率紧凑型输电线路

『１５．１６］通过研究ＭＳＣＲ的等效物理模型、数学模型

和等效电路．建立基于ＭＡＴＬＡＢ的仿真模型的方法。

相对前２种方法．第３种方法具有避免或减轻自己编写仿真计算程序的繁重工作和只关注ＭＳＣＲ的电气特性而不使用其结构尺寸等参数方面的优势。文献［１７］针对文献［１５．１６］未明确给出仿真模型参数和ＭＳＣＲ参数间的定量关系的缺陷．研究了ＭＳＣＲ

额定容量、额定电压、自耦比等参数之间，及其与模

和电缆输电线路的建设．线路容性充电无功大为增

加，设备绝缘余量越来越小，使得无功平衡和电压控制１３益成为电力系统亟待解决的重要课题。可控电

抗器不仅可实现容量大范围快速平滑可调．而且结构坚固、维护简单、运行可靠，在补偿线路容性无功、消除发电机自励磁、限制工频过电压、抑制潜供电

流、增大系统稳定性、提高输电能力等方面具有重要

作用。文献『１－２］是关于可控电抗器应用研究方面

型参数之间的定量关系。但是，因为文献『１７］是基于ＭＳＣＲ等效电路建立的仿真模型．未能充分体现ＭＡＴＬＡＢ／Ｓｉｍｕｌｉｎｋ直观简单的特点．更重要的是不能仿真晶闸管、二极管、各个绕组的电流／电压等物理量以及换流等重要的物理过程。

本文根据ＭＳＣＲ的结构特点．提出基于ＭＡＴＬＡＢ多绕组变压器模型的ＭＳＣＲ仿真建模方法．深入研

较早的论文．它们指出在新建的电网中应该广泛使

用可控电抗器。之后，可控电抗器的研究和应用在国内外日新月异，得到了长足发展［３－５３。可控电抗器种类较多［６－８］，文献［８］对此进行了最新总结。其中，磁饱和式可控电抗器ＭＳＣＲ(Ｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｖ

Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ

Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ

Ｒｅａｃｔｏｒ)在我国研究成果较多．并得到了

究模型参数与ＭＳＣＲ参数之间的定量关系．明确仿真模型参数的设置方法．并通过示例说明该方法的

正确和优越之处。

１

实际应用［９＿１１］。

建模仿真方法是ＭＳＣＲ研究中值得关注的重要问题。文献『１２．１４］提出基于微分方程的建模仿真

方法．该方法需要对电抗器工作原理具有深入的理解并自己编写仿真计算程序。文献『１０一１１］提出基于

基本结构与基本参数关系

超高压大容量ＭＳＣＲ通常采用三相电抗器组．

其中一相ＭＳＣＲ的结构原理图如图ｌ所示［１３一引。图

磁路分解法和ＰＳＣＡＤ／ＥＭＴＤＣ的建模仿真方法．该

模型对ＭＳＣＲ结构尺寸等参数依赖性较强。文献

收稿日期：２０１３—０３—１８；修回日期：２０１４一叭一０３

基金项目：国家自然科学基金资助项目(５１１６７００９，５１３６７０１０)；甘肃省科技计划项目(１３０４ＷＣＧＡｌ８１)；兰州市科技计划项目

(２０１３—４一１１１)

中，铁芯１、２的等效磁路长度为Ｚ，等效磁路截面积

均为Ａ；Ⅳ。、Ⅳ２为绕组匝数；ｕ。为工作电压，其额定频

率为．爪；“为工作电流；Ｖｎ、Ｖ他为晶闸管；ＶＤ为二

极管。

定义自耦比(抽头比)为：

ＰｒｏｊｅｃｔｓｕｐｐｏｓｅｄｂｙｔｈｅＮａｔｉｏｎａｌＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＦｏｕｎｄａｔｉｏｎｏｆＣｈｉｎａ(５１１６７００９，５１３６７０１０)。ｔｈｅＳｃｉｅｎｃｅ＆ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＰｒｏｇｒａｍｏｆＧａｎｓｕＰｒｏｖｉｎｃｅ(１３０４ＷＣＧＡｌ８１)ａｎｄｔｈｅＳｃｉｅｎｃｅ

ａｎｄ

Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ

６＝争

＾ｒ

(１)

』ＶＡ

其中，ⅣＡ＝Ⅳｌ＋Ⅳ２。

若ⅣＡ匝绕组的电阻为Ｒ。，则：

ＰｒｏｇｒａｍｏｆＬａｎｚｈｏｕ(２０１３．４．１１ｌ、