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RSS订阅原创 MOS管泄漏电流简要分析
亚阈值泄漏电流是指沟道处于弱反型状态下的源漏电流，是由器件沟道中少数载流子的扩散电流引起的。当栅源电压低于Vth时，器件不是马上关闭的，晶体管事实上是进入了“亚阈值区”，在这种情况下，IDS成了VGS的指数函数。一个理想的MOS晶体管不应该有任何电流流入衬底或者阱中，当晶体管关闭的时候D\S之间不应该存在任何的电流。但是，现实中MOS却存在各种不同的漏电流。目前，有种方法能在克服栅极漏电流的同时保持对栅极进行良好的控制，就是采用诸如TiO2和Ta2O5的高K介电材料替代SiO2做栅极绝缘体介质层。
2023-05-13 21:40:20
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空空如也
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