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weixin_39926194
这个作者很懒,什么都没留下…
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MOS管泄漏电流简要分析
亚阈值泄漏电流是指沟道处于弱反型状态下的源漏电流,是由器件沟道中少数载流子的扩散电流引起的。当栅源电压低于Vth时,器件不是马上关闭的,晶体管事实上是进入了“亚阈值区”,在这种情况下,IDS成了VGS的指数函数。一个理想的MOS晶体管不应该有任何电流流入衬底或者阱中,当晶体管关闭的时候D\S之间不应该存在任何的电流。但是,现实中MOS却存在各种不同的漏电流。目前,有种方法能在克服栅极漏电流的同时保持对栅极进行良好的控制,就是采用诸如TiO2和Ta2O5的高K介电材料替代SiO2做栅极绝缘体介质层。原创 2023-05-13 21:40:20 · 6768 阅读 · 2 评论 -
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二级密勒补偿运算放大器学习笔记,手工设计在纸上详细导过原创 2022-10-10 23:07:31 · 1646 阅读 · 0 评论