磁性元件的设计是开关电源设计中的重点和难点,究其原因是磁性元件属非标准件,其设计时需考虑的设计参数众多,工艺问题也较为突出,分布参数复杂。为帮助硬件工程师尽快了解磁性元件,优化设计并减少设计中的错误,特制定此规范。
1 电磁学基本概念及公式
1.1 基本概念
1)磁通:穿过磁路的磁力线的总数,以Ф表示,单位韦伯(Wb)。
2)磁通密度(磁感应强度):垂直于磁力线的方向上单位面积的磁通量,以B表示,单位高斯(Gauss)或特斯拉(T),1 T=104Gauss。
3)磁场强度:单位磁极在磁场中的磁力,以H表示,单位安[培]每米(A/m)或奥斯特(Oe),1 Oe=103/4π A/m。
4)磁导率:磁通密度与磁场强度之比,以μ表示,实际使用中通常指相对于真空的磁导率,真空中的磁导率μ0 =4π×10-7 H/m。
5)磁体:磁导率远大于μ0的物质,如铁,镍,钴及其合金或氧化物等。
6)居里温度点:磁体在温度升高时,其磁导率下降,当温度高到某一点时,磁性基本消失,此温度称为居里温度点。
7)磁势:建立磁通所需之外力,以F表示。
8)自感:磁通变化率与电流变化率之比称为自感,以L表示。
9)互感:由于A线圈电流变化而引起B线圈磁通变化的现象,B线圈的磁通变化率与A线圈的电流变化率之比称为A线圈对B线圈的互感,以M表示。
1.2 基本公式
法拉第电磁感应定律:
穿过闭合回路的磁通发生变化,回路中会产生感应电流。如果回路不闭合,无感应电流,但感应电动势依然存在,感应电动势的大小:
磁场中的磁体存储的能量为:
电学与磁学的对偶关系表:
2 磁元件的基本特性
2.1 磁滞效应(Hysteresis Effect):
磁化过程中,磁通密度B的变化较磁化力F的变化迟缓的现象称为磁滞。
2.2 霍尔效应(Hall Effect):
流过电流的导体穿过磁场时,在导体两端产生感应电势的现象,称为霍尔效应。
2.3 临近效应(Proximity Effect)
流过电流的导线会产生磁场,相邻的导线在相互的磁场(也可以是外加磁场)作用下会产生电流挤到导体一边的现象成为临近效应。相邻层的导线若电流方向相同,电流会往外侧挤,相邻层的导线若电流方向相反,电流会往外内侧挤,如下图所示。临近效应会导致导体的利用率下降,铜损增加(与趋肤效应类似)。
2.4 磁材料的饱和
随着磁性材料中的磁场强度增加,其磁通密度也增大,但当磁场强度大到一定程度时,其磁通不再增加(见图3.1磁滞回线的Bs),这称为磁饱和。
2.5 磁芯损耗
磁芯损耗主要由磁滞损耗和涡流损耗组成。
单位体积内的磁滞损耗正比与磁场交变的频率f 和磁滞回线的面积。
涡流损耗是指当通过磁芯的磁通交变时,会在磁芯中感应电势,该电势进而在磁芯中产生电流,从而产生损耗,它与磁芯材料的电阻率有关,与频率f 也有关。