共模电感适用的频率_电感选型详解及设计规范

磁性元件的设计是开关电源设计中的重点和难点，究其原因是磁性元件属非标准件，其设计时需考虑的设计参数众多，工艺问题也较为突出，分布参数复杂。为帮助硬件工程师尽快了解磁性元件，优化设计并减少设计中的错误，特制定此规范。

1 电磁学基本概念及公式

1.1 基本概念

1)磁通：穿过磁路的磁力线的总数，以Ф表示，单位韦伯(Wb)。

2)磁通密度(磁感应强度)：垂直于磁力线的方向上单位面积的磁通量，以B表示，单位高斯(Gauss)或特斯拉(T)，1 T=104Gauss。

3)磁场强度：单位磁极在磁场中的磁力，以H表示，单位安[培]每米(A/m)或奥斯特(Oe)，1 Oe=103/4π A/m。

4)磁导率：磁通密度与磁场强度之比，以μ表示，实际使用中通常指相对于真空的磁导率，真空中的磁导率μ0 =4π×10-7 H/m。

5)磁体：磁导率远大于μ0的物质，如铁，镍，钴及其合金或氧化物等。

6)居里温度点：磁体在温度升高时，其磁导率下降，当温度高到某一点时，磁性基本消失，此温度称为居里温度点。

7)磁势：建立磁通所需之外力，以F表示。

8)自感：磁通变化率与电流变化率之比称为自感，以L表示。

9)互感：由于A线圈电流变化而引起B线圈磁通变化的现象，B线圈的磁通变化率与A线圈的电流变化率之比称为A线圈对B线圈的互感，以M表示。

1.2 基本公式

法拉第电磁感应定律：

穿过闭合回路的磁通发生变化，回路中会产生感应电流。如果回路不闭合，无感应电流，但感应电动势依然存在，感应电动势的大小：

磁场中的磁体存储的能量为：

电学与磁学的对偶关系表：

2 磁元件的基本特性

2.1 磁滞效应(Hysteresis Effect)：

磁化过程中，磁通密度B的变化较磁化力F的变化迟缓的现象称为磁滞。

2.2 霍尔效应(Hall Effect)：

流过电流的导体穿过磁场时，在导体两端产生感应电势的现象，称为霍尔效应。

2.3 临近效应(Proximity Effect)

流过电流的导线会产生磁场，相邻的导线在相互的磁场(也可以是外加磁场)作用下会产生电流挤到导体一边的现象成为临近效应。相邻层的导线若电流方向相同，电流会往外侧挤，相邻层的导线若电流方向相反，电流会往外内侧挤，如下图所示。临近效应会导致导体的利用率下降，铜损增加(与趋肤效应类似)。

2.4 磁材料的饱和

随着磁性材料中的磁场强度增加，其磁通密度也增大，但当磁场强度大到一定程度时，其磁通不再增加(见图3.1磁滞回线的Bs)，这称为磁饱和。

2.5 磁芯损耗

磁芯损耗主要由磁滞损耗和涡流损耗组成。

单位体积内的磁滞损耗正比与磁场交变的频率f 和磁滞回线的面积。

涡流损耗是指当通过磁芯的磁通交变时，会在磁芯中感应电势，该电势进而在磁芯中产生电流，从而产生损耗，它与磁芯材料的电阻率有关，与频率f 也有关。

3 电感磁芯的分类及特点