本文探讨了在使用红外热成像仪测量功率MOSFET顶部温度时遇到的问题，尤其是金属表面与硅表面的热辐射系数差异。通过对AOCR38232和器件2的实测比较，揭示了金属表面的低热辐射系数导致的测量误差，并提出了使用黑色涂层来改善测量准确性的方案。
智能手机电池包PCM通常使用功率MOSFET作充放电管理，功率MOSFET的工作的温度是非常重要的一个性能指明标，AOCR38232和器件2都是针对这个应用的二个功率MOSFET，其中，AOCR38232顶部材料为硅，器件2顶部材料为金属，如图1所示，相关参数如表1所示。
表1：功率MOSFET参数
P/N |
AOCR38232 |
器件2 |
Typ.Rss @3.8V |
1.0mohm |
1.2mohm |
Size(mm) |
5.2x2.5 |
5.2x2.5 |
Thickness |
0.3(12mil) |
0.13(5mil) |
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