stm32 常量指定位置_STM32低功耗研究报告

最新推荐文章于 2022-09-07 13:43:42 发布

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文章标签： stm32 常量指定位置

低功耗设计分成三个部分：

1. 减少设备工作时间

和应用场景紧密相关，具体问题具体问题，讲究的是分析问题和建模的能力。

2. 降低设备工作功耗

降低设备工作功耗。主要考虑硬件设计，软件编码，芯片理解。

3. 降低设备休眠功耗

降低设备休眠功耗。主要是睡眠模式，停止模式，待机模式的理解和应用。

本文针对第2点进行研究和分析。

一、实现环境和原理说明

我使用了一个USB电压电流表，能够为电路板供电，电压可调，可测量电流(1mA分辨率)，可测量功率和功耗。

USB电压电流表

一个STM32F429IGT6的开发板。板子上有各种外设资源，屏幕被我取下来了。

STM32F429开发板

板子上不仅有STM32芯片，还有LED灯，蜂鸣器，USB接口等外设，这些外设都不会启用，但它们仍然会有功耗，需要从总功耗中减去外设的功耗才能得到STM32功耗。测量外设功耗的方法是，通过MDK调试功能让STM32时钟停止，此时读取到的总功耗就是外设功耗，简称基础功耗。基础功耗只和电路板的供电电压有关。

STM32功耗 = 总功耗－基础功耗

在电压不变的情况下，电流决定了功耗，对应名称是总电流，基础电流，STM32电流

STM32电流 = 总电流－基础电流

本文数据单位统一规定如下

频率单位是MHz，电压单位是V，电流单位是mA，功率单位是mW

二、频率和功耗的关系

开发板供电5V，分压后STM32电压是3.3V，VOS参数固定为[1:1]，此时外设基础电流是59mA。我们通过修改RCC寄存器，产生不同的系统时钟频率(SYSCLK)，并测量每种频率下的总电流，然后计算出对应的STM32电流。不同的代码消耗的电流不同，我们选用两段代码分别测试。

测试代码1 循环读写内部SRAM：

HSI 16表示直接使用内部16M高速时钟作为SYSCLK

HSE 25表示直接使用外部25M高速时钟作为SYSCLK

测试代码2单指令无限循环 B {PC}：

分析上面的数据可知，STM32功耗和系统时钟频率成正比。

同一段指令，频率越快，相同时间内执行次数也就越多，执行次数和频率成正比。这就说明，同一段代码，在不同频率下执行1次(电压等其他因素不变)，所消耗的功耗相同，这就是功耗和频率成正比的根本原因。上述的测试只测量了CORTEX-M3核，FLASH，SRAM的功耗，并没有涉及到ADC，GPIO等外设的功耗，官方数据手册中记录了打开所有外设情况下，频率和功耗的关系，也是成正比的关系。

降低频率能够非常有效的降低功耗，我们应该使用尽可能低的频率。算法越高效，代码越精简，指令越少，频率就能降得越低。

三、VOS和功耗的关系

VOS (Regulator voltage scaling output selection)调压器输出电压级别。调压器负责产生1.2V的电压，为STM32F429核心区域供电。修改VOS会调整该电压值，上电复位值是级别1[1:1]，对应关系如下：

从这个表来看，VOS应该对功率应该有所影响，我们来实测一下。开发板供电5V，分压后STM32电压是3.3V，固定SYSCLK为100M。测试代码和上面频率-功耗的代码相同。

可以看到，VOS对功耗有一定的影响，核心电压越低，功耗越低。但是VOS对频率有影响，功耗越低，最大频率越低，不过120M也能满足绝大多数单片机应用场景了。如果对功耗要求非常高，可以将VOS调到级别3。VOS最主要影响的是芯片的寿命和工作温度：

VOS级别1下，工作温度小于102℃，芯片预估寿命是10年。

VOS级别2下，工作温度小于110℃，芯片预估寿命是30年。

VOS级别3下，工作温度小于90℃，芯片预估寿命是30年。

建议使用VOS级别2，在恶劣环境下芯片也能长时间工作。如果对功耗要求很高，则使用级别3。

四、电压和功耗的关系

STM32F429的电压范围是1.7V到3.6V之间。临界电压如下：

低于1.7V，芯片无法工作。

低于1.8V，芯片内部电源监控器不工作，不能产生上电复位，芯片无法自行启动。必须有外部电源监控器来启动芯片。

低于2.1V，FLASH预取指无法工作，FLASH代码的执行时间会显著增加。不能开启超载功能，最大时钟168M，无法到达180M。

低于2.4V，ADC的最大时钟频率减半，从36M降到18M。ADC最大转换速度减半。

低于2.7V，FLASH只支持16位编程和擦除操作，不支持32位操作。

高于2.7V，典型值3.3V，此时FLASH支持32位编程和擦除操作。

1.7~1.8之间的电压没有测试，因为电压降到2.0以下芯片就不工作了，应该和电路板电源设计有关。最终选取了如下几个电压做测试：

时钟周期固定在100M。FLASH延时5周期，开启预取指、缓存指令、缓存数据。VOS等级固定级别1。将一个悬空的GPIO-PB6管脚拉高，以测量STM32的电压。让相同的程序分别在FLASH中和内存中运行，比较功耗。

FLASH中执行程序：

SRAM中执行程序：

分析一下上面的数据。可以看到电压从2.2V降低到2.0V左右的时候，电流和功耗反而都升高了。因此针对STM32F429系列，不建议低于2.1V使用。

电压在大于2.1V的范围变化时，执行同一段代码，电流基本不变，功率和电压成正比，说明STM32内部应该用恒流源来驱动的。降低电压可以切实降低功耗，但是FLASH和ADC的效率也会降低，需要综合考虑。

SRAM中执行程序比FLASH中执行功耗要低，如果SRAM空间够大可考虑将代码全部加载到SRAM中执行。代码在SRAM中的执行速度和开启了预取指的FLASH差不多，比没开预取指的快很多。

另外电压降低到3.3V以下时，外围接口器件可能需要重新选型，以适应较低的电压。ADC的电压测量范围也会减小，精度会变差。硬件设计时也要综合考虑。

五、指令功耗

主要测量跳转指令，寄存器赋值指令的功耗。因为这些指令可替代性比较大，比如B和BX，MOV和LDR。其他的比如运算，逻辑，判断等指令，基本只有单一实现方式。我们先定好要实现某个功能，然后找到几种不同的实现方式，比较他们的功耗。

开发板供电5V，分压后STM32电压是3.3V，VOS参数固定为[1:1]，系统时钟168M，FLASH等待周期5，预取指，数据缓存开启，指令缓存开启。

电流值说明：测出的电流值包含了电路板上外设的电流，因此只能用来比较大小，其绝对值无意义。

测量跳转指令时，让其跳转到自己的地址，用无限循环来测量。

测量其他指令时，采用(376条测试指令加一条循环指令)的方式来测量，将循环指令对被测指令的影响降低到忽略不计。

如果表格中写了两条指令，则电流是执行者两条指令的平均电流。

B {PC}+2 指令的功耗最低，占用两个字节。NOP指令功耗最高，占用两个字节。MOV R0,R0功耗居中，占用两个字节。使用 B {PC}+2 指令替代 NOP。

单指令无限循环。使用BX R0的功耗最低，需要事先设置好R0的值。对于单指令无自限循环来说BX R0就是最好的选择。

线程的循环体。B Lable只用一条指令(简称B )，BX R0可能只用一条指令(简称BX)，也可能需要两条指令(LDR+BX)。如果BX使用的寄存器(如R0)在循环体其他位置被修改过(不指向Lable了)，那么就需要LDR为R0重新赋值。在实现相同的功能时，一条指令的BX功耗最低，B指令功耗居中，LDR+BX功耗最高速度也最慢。但在相同的时间内，和B指令相比，LDR+BX执行的次数更少，但是功耗也更少。比如IDLE任务就可以用LDR+BX来实现。中断触发的循环采集和计算的任务就应该用B来实现。另外，B的跳转范围有限，有时必须使用BX。如果要将功耗降低到极致，则可用一个专门的寄存器存放Lable的值，并在线程中不修改该寄存器的值。

给R0赋值32位常量的两种方式。MOV+MOVT，PC相对加载。PC相对加载(16位)的功耗最低，优先使用，但是其寻址范围有限(±1020)。MOV需要两条指令共8个字节实现，功耗和时间都更差。PC相对加载的偏移量越大，功耗越高。若要降低功耗到极致，则可在每个代码块最近的位置，自建文字池，定义相关常量。