三极管的仿真实验,详细分析

本文通过两个实验详细分析了三极管的工作状态。在实验一中,探讨了Vcc变化对晶体管导通和截止的影响,指出Vbe的大小决定了晶体管的状态。在实验二中,结合LED,解释了电源电压如何影响晶体管和LED的导通,展示了电路在不同电压下的工作模式。这两个实验突显了理解晶体管特性在电路设计中的重要性。
摘要由CSDN通过智能技术生成

实验一:
在这里插入图片描述
假设Vcc是可变的(0~12V)
1、Vcc比较小的时候,R2两端的电压不足以开启晶体管,Rbe和Rce电阻非常大,只有微弱的漏电流Ib和Ic。Vcc越小,漏电流衰减的越快,也就是Rbe和Rce更大(随Ib增大而减小)。说明Vbe越小晶体管截止越深刻,有时候为了使晶体管完全截止,会让Vbe变成负电压。此时Vbe=Vr2,Vce=Vcc。

2、Vcc=1.8V时,理论上R2两端电压为0.6V,可以开启晶体管,但是Rbe和3kΩ并联,会导致Vbe略小于0.6V,晶体管并没有完全打开,处于部分导通状态(或者部分截止状态),Ib和Ic都有部分电流,R3分掉部分电压,使得Vce小于Vcc。

3、Vcc从1.8V慢慢增大,Vbe和Ib慢慢增大,当Vbe=0.6V时,晶体管导通,Ic变大,Rbe和Rce变得很小,R3分掉大部分电压,使得Vce变得很小。

4、Vcc继续增大,Ib增大,Rbe和Rce进一步减小,Vbe只有略微的增大。Ic在Ib的放大作用下变得很大,此时Vce就更小了。

注:时刻记住,晶体管的Rbe和Rce随Ib的增大而减小,所以Vbe(Ib)要尽可能的大,让晶体管处于完全导通状态;Vbe(Ib)要尽可能的小,甚至反向偏置,使晶体管处于完全截止状态。

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