嵌入式~PCB专辑50

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一、电路原理图中的“英文缩写”

设计原理图时，网络标号要尽量简洁眀了。本文总结了一下基本的表示方法，供大家参考。

常用控制接口

EN：Enable，使能。使芯片能够工作。要用的时候，就打开EN脚，不用的时候就关闭。有些芯片是高使能，有些是低使能，要看规格书才知道。

CS：Chip Select，片选。芯片的选择。通常用于发数据的时候选择哪个芯片接收。例如一根SPI总线可以挂载多个设备，DDR总线上也会挂载多颗DDR内存芯片，此时就需要CS来控制把数据发给哪个设备。

RST：Reset，重启。有些时候简称为R或者全称RESET。也有些时候标注RST_N，表示Reset信号是拉低生效。

INT：Interrupt，中断。前面的文章提到过，中断的意思，就是你正睡觉的时候有人把你摇醒了，或者你正看电影的时候女朋友来了个电话。

PD：Power Down，断电。断电不一定非要把芯片的外部供电给断掉，如果芯片自带PD脚，直接拉一下PD脚，也相当于断电了。摄像头上会用到这根线，因为一般的摄像头有3组供电，要控制三个电源直接断电，不如直接操作PD脚来的简单。（在USB Type-C接口中有一个Power Delivery也叫PD，跟这个完全不一样，不要看错了）

CLK：Clock，时钟。时钟线容易干扰别人也容易被别人干扰，Layout的时候需要保护好。对于数字传输总线的时钟，一般都标称为xxx_xCLK，如SPI_CLK、SDIO_CLK、I2S_MCLK(Main Clock)等。对于系统时钟，往往会用标注频率。如SYS_26M、32K等。标了数字而不标CLK三个字，也是无所谓的，因为只有时钟才会这么标。

CTRL：control，控制。写CONTROL太长了，所以都简写为CTRL，或者有时候用CMD(Command)。

SW：Switch，开关。信号线开关、按键开关等都可以用SW。

PWM：PWM，这个已经很清晰了。

REF：Reference，参考。例如I_REF，V_REF等。参考电流、参考电压。

FB：Feedback。反馈。升压、降压电路上都会有反馈信号，意义和Reference是类似的，芯片根据外部采集来的电压高低，动态调整输出。外部电压偏低了，就加大输出，外部电压偏高了，就减小输出。

A/D：Analog/Digital，模拟和数字的。如DBB=Digital Baseband，AGND=Analog Ground。

D/DATA：数据。I2C上叫做SDA(Serial DATA)，SPI上叫做SPI_DI、SPI_DO(Data In，Data Out)，DDR数据线上叫做D0，D1，D32等。

A/Address：地址线。用法同数据线。主要用在DDR等地址和数据分开的传输接口上。其他的接口，慢的像I2C、SPI，快的像MIPI、RJ45等，都是地址和数据放在一组线上传输的，就没有地址线了。

常用方向的标识

TX/RX：Transmit，Receive。发送和接收。这个概念用在串口(UART)上是最多的，一根线负责发送，一根线负责接收。这里要特别注意，一台设备的发送，对应另一台设备就是接收，TX要接到RX上去。如果TX接TX，两个都发送，就收不到数据了。

为了防止出错，可以标注为：UART1_MRST、UART1_MTSR。MasterRX Slave TX的意思。Master就是主控芯片，Slave就是从设备。TX、RX很容易标错的，尤其是原理图有几十页的情况下。

P/N：Positive、Negative。正和负。用于差分信号线。现在除了DDR和SDIO之外，其他很少有并行数据传输接口了。USB、LAN、MIPI的LCD和Camera、SATA等等，高速数据总线几乎都变成了串行传输数据了。

串行信号线速度很高，随便就上GHz，电压很低只有几百毫伏，因此很容易被干扰，要做成差分信号，即用两根线传一个数据，一个传正的一个传负的。传到另外一边，数据相减，干扰信号被减掉，数据信号负负得正被加倍。

对于RESET_N这样的信号来讲，只起到重点标注的作用，表示这个RESET信号是拉低才生效的。大部分设备都是低有效的RESET，偶尔会有一些设备拉高RESET。

L/R：Left、Right。通常用于音频线，区分左右。有些时候如喇叭的信号是通过差分来传输的，就是SPK_L_N、SPK_L_P这样的标识。

常用设备缩写

BB：Baseband，基带处理器。十几年前的的手机芯片只有通信功能，没有这么强大的AP(跑系统的CPU)，手机里的主芯片都叫做Baseband基带芯片。后来手机性能强大了，还是有很多老工程师习惯把主芯片叫做BB，而不是叫CPU。

P(GPIO)：很多小芯片，例如单片机，接口通用化比较高，大部分都是GPIO口，做什么用都行，就不在管脚上标那么清楚了，直接用P1，P2，P1_3这样的方式来标明。P多少就是第多少个GPIO。P1_3就是第1组的第3个GPIO。(不同组的GPIO可能电压域不一样)

BAT：Battery，电池。所有的电池电压都可以叫做VBAT。

CHG：Charge，充电。

CAM：Camera，摄像头。

LCD：显示器

TP：Touch Panel，触摸屏。（注意不要和Test Point测试点搞混了）

DC：Direct Current，直流电。用在设备上通常用作外部直流输入接口，而不是指供电方式或者供电电压什么的。例如VCC_DC_IN的含义，就是外部DC接口供电。

二、模电基础概念

01基尔霍夫定理的内容是什么？
基尔霍夫电流定律：在电路任一节点，流入、流出该节点电流的代数和为零。
基尔霍夫电压定律：在电路中的任一闭合电路，电压的代数和为零。

02戴维南定理

一个含独立源、线性电阻和受控源的二端电路 ，对其两个端子来说都可等效为一个理想电压源串联内阻的模型。
其理想电压源的数值为有源二端电路的两个端子的开路电压 ，串联的内阻为内部所有独立源等于零时两端子间的等效电阻 。

03三极管曲线特性

04反馈电路的概念及应用
反馈，就是在电子系统中，把放大电路中的输出量（电流或电压）的一部分或全部，通过一定形式的反馈取样网络并以一定的方式作用到输入回路以影响放大电路输入量的过程。
反馈的类型有：电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈、电流并联负反馈。
负反馈对放大器性能有四种影响：
1.提高放大倍数的稳定性，由于外界条件的变化（T℃,Vcc,器件老化等）,放大倍数会变化，其相对变化量越小，则稳定性越高。
2.减小非线性失真和噪声。
3.改变了放大器的输入电阻Ri和输出电阻Ro。
4.有效地扩展放大器的通频带。

引入负反馈的一般原则为：
为了稳定放大电路的静态工作点，应引入直流负反馈；为了改善放大电路的动态性能，应引入交流负反馈（在中频段的极性）。
信号源内阻较小或要求提高放大电路的输入电阻时，应引入串联负反馈；信号源内阻较大或要求降低输入电阻时，应引入并联系反馈。
根据负载对放大电路输出电量或输出电阻的要求决定是引入电压还是电流负反馈，若负载要求提供稳定的信号电压或输出电阻要小，则应引入电压负反馈；若负载要求提供稳定的信号电流或输出电阻要大，则应引入电流负反馈。
在需要进行信号变换时，应根据四种类型的负反馈放大电路的功能选择合适的组态。例如，要求实现电流——电压信号的转换时，应在放大电路中引入电压并联负反馈等。

05有源滤波器和无源滤波器的区别
无源滤波器：这种电路主要有无源元件R、L和C组成。
有源滤波器：集成运放和R、C组成，具有不用电感、体积小、重量轻等优点。
集成运放的开环电压增益和输入阻抗均很高，输出电阻小，构成有源滤波电路后还具有一定的电压放大和缓冲作用。
但集成运放带宽有限，所以目前的有源滤波电路的工作频率难以做得很高。

06差模信号及共模信号
两个大小相等、极性相反的一对信号称为差模信号，差动放大电路输入差模信号（uil =-ui2）时，称为差模输入。
两个大小相等、极性相同的一对信号称为共模信号，差动放大电路输入共模信号（uil =ui2）时，称为共模输入。
在差动放大器中，有用信号以差模形式输入，干扰信号用共模形式输入，那么干扰信号将被抑制的很小。

07场效应和晶体管比较
在环境条件变化大的场合，采用场效应管比较合适。
场效应管常用来做前置放大器，以提高仪器设备的输入阻抗，降低噪声等。
场效应管放大能力比晶体管低。
工艺简单，占用芯片面积小，适宜大规模集成电路。在脉冲数字电路中获得更广泛的应用。

08基本放大电路的组成原则
发射结正偏，集电结反偏。
输入回路的接法应该使输入信号尽量不损失地加载到放大器的输入端。
输出回路的接法应该使输出信号尽可能地传送到负载上。

09实现放大的条件
晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏，集电结反偏。
正确设置静态工作点，使整个波形处于放大区。
输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。
输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压，经电容滤波只输出交流信号。

10频率补偿
所谓频率补偿，就是指提高或降低某一特定频率的信号的强度，用来弥补信号处理过程中产生的该频率的减弱或增强，常用的有负反馈补偿、发射极电容补偿、电感补偿等。

11放大电路的频率补偿
放大电路中频率补偿的目的有二：一是改善放大电路的高频特性；二是克服由于引入负反馈而可能出现自激振荡现象，使放大器能够稳定工作。
在放大电路中，由于晶体管结电容的存在常常会使放大电路频率响应的高频段不理想，为了解决这一问题，常用的方法就是在电路中引入负反馈。
然后，负反馈的引入又引入新的问题，那就是负反馈电路会出现自激振荡现象，所以为了使放大电路能够正常稳定工作，必须对放大电路进行频率补偿。
频率补偿的方法可以分为超前补偿和滞后补偿，主要是通过接入一些阻容元件来改变放大电路的开环增益在高频段的相频特性，目前使用最多的就是锁相环。

12基本放大电路
放大电路的作用：放大电路是电子技术中广泛使用的电路之一，其作用是将微弱的输入信号（电压、电流、功率）不失真地放大到负载所需要的数值。
放大电路种类：
电压放大器：输入信号很小，要求获得不失真的较大的输出压，也称小信号放大器；
功率放大器：输入信号较大，要求放大器输出足够的功率，也称大信号放大器。
差分电路是具有这样一种功能的电路，该电路的输入端是两个信号的输入，这两个信号的差值，为电路有效输入信号，电路的输出是对这两个输入信号之差的放大。
设想这样一种情景，如果存在干扰信号会对两个输入信号产生相同的干扰，通过二者之差，干扰信号的有效输入为零，这就达到了抗共模干扰的目的。

13试画出锁相环的方框图并简述原理
锁相：将相位锁住，把频率锁定在一个固定值上。
锁相环：将相位锁定的回路。
锁相环的组成：鉴相器PD+分频器+回路滤波器LPF+压控振荡器VCO等。
锁相环的工作原理：
压控振荡器的输出经过采集并分频；
和基准信号同时输入鉴相器；
鉴相器通过比较上述两个信号的频率差，然后输出一个直流脉冲电压；
控制VCO，使它的频率改变；
这样经过一个很短的时间，VCO 的输出就会稳定于某一期望值。
基准信号：

鉴相器是一个相位比较电路，输入的基准信号和VCO输出的信号进行相位比较，输出一个代表相位差的误差信号，经过环路滤波器，滤除误差信号中的谐波和杂波成分，得到误差电压去控制VCO，使压控振荡器的频率朝减小两信号频率差和相位差的方向变化，最终使VCO的输出信号频率等于基准信号的频率。

14零点漂移
零点漂移就是指放大电路的输入端短路时，输出端还有缓慢变化的电压产生，即输出电压偏离原来的起始点而上下漂动。
抑制零点漂移的方法一般有：
1.采用恒温措施；
2.补偿法，采用热敏元件来抵消放大管的变化或采用特性相同的放大管构成差分放大电路；
3.采用直流负反馈稳定静态工作点；
4.在各级之间采用阻容耦合或者采用特殊设计的调制解调式直流放大器等。

15频率响应
频率响应通常亦称频率特性，是衡量放大电路对不同频率输入信号适应能力的一项技术指标。在放大电路中，由于电抗元件(如电容、电感线圈等)及晶体管极间电容的存在，当输入信号的频率过低或过高时，放大电路的放大倍数的数值均会降低，而且还将产生相位超前或滞后现象。
也就是说，放大电路的放大倍数(或者称为增益)和输入信号频率是一种函数关系，我们就把这种函数关系成为放大电路的频率响应或频率特性。实质上，频率响应就是指放大器的增益与频率的关系，通常讲一个好的放大器，不但要有足够的放大倍数，而且要有良好的保真性能。即：放大器的非线性失真要小，放大器的频率响应要好,“好”指放大器对不同频率的信号要有同等的放大。

产生频率响应的原因：一是实际放大的信号频率不是单一的；二是放大器具有电抗元件和电抗因素。
由于放大电路中存在电抗元件（如管子的极间电容，电路的负载电容、分布电容、耦合电容、射极旁路电容等），使得放大器可能对不同频率信号分量的放大倍数和相移不同。

放大电路的频率响应可以用幅频特性曲线和相频特性曲线来描述，如果一个放大电路的幅频特性曲线是一条平行于x轴的直线(或在关心的频率范围内平行于x轴)。
而相频特性曲线是一条通过原点的直线或在关心的频率范围是一条通过原点的直线，那么该频率响应就是稳定的。
改变频率响应的方法主要有：
1.改变放大电路的元器件参数；
2.引入新的元器件来改善现有放大电路的频率响应；
3.在原有放大电路上串联新的放大电路构成多级放大电路。

16接收机为什么要加AGC电路
接收的信号有强弱变化，悬殊较大，若不加AGC将使输出起伏较大，影响效果。
为了能接收微弱信号，接收机的放大量总是做得较大，即灵敏度高，但接收强信号时，若不对通道的放大量进行调控，将产生不良后果。

17LC正弦波振荡器
电感三点式振荡器和电容三点式振荡器。

18差分运放进行相位补偿
随着工作频率的升高，放大器会产生附加相移，可能使负反馈变成正反馈而引起自激，进行相位补偿可以消除高频自激。
相位补偿的原理是：在具有高放大倍数的中间级，利用一小电容C（几十～几百微微法）构成电压并联负反馈电路，可以使用电容校正、RC校正分别对相频特性和幅频特性进行修改。

19差分电路求共模分量和差模分量
设共模分量是Yc，差模分量是Yd，则可知其输出为：
Y+=Yc+Yd
Y-=Yc-Yd

20放大器的输入电阻及输出电阻
在放大电路中，通常希望放大电路的输入电阻高，因为这样对信号源的影响小。
从放大电路的输出端看进去，放大电路可等效成一个有一定内阻的信号源，信号源的内阻为输出电阻，通常希望其值越小越好，因为这样可以提高放大器带负载的能力。

21集成运放电路的组成

偏置电路：为各级放大电路设置合适的静态工作点，多采用恒流源电路。
输入级：常为差分放大电路，要求Ri大Ad大Ac小, 输入端耐压高，它有同相和反相两个输入端。
中间级：主放大级常为共射放大电路，多采用复合管，要求有足够的放大能力。
输出级：功率级，多采用互补功放电路或射极输出器，要求Ro小，最大不失真，输出电压尽可能大。

22有源滤波器
一阶有源低通滤波器和一阶有源高通滤波器。

23RC振荡器的构成和工作原理
正弦波振荡电路的组成：
放大电路: 放大信号
反馈网络: 必须是正反馈，反馈信号即是放大电路的输入信号
选频网络: 保证输出为单一频率的正弦波即使电路只在某一特定频率下满足自己震荡条件
稳幅环节: 使电路能从½AuF½ >1 ，过渡到½AuF½ =1，从而达到稳幅振荡。

三、20个模拟电路

桥式整流电路

   二极管的单向导电性：二极管的PN结加正向电压，处于导通状态；加反向电压，处于截止状态。其伏安特性曲线，如下图。

  理想开关模型和恒压降模型：理想模型指的是在二极管正向偏置时，其管压降为0，而当其反向偏置时，认为它的电阻为无穷大，电流为零，就是截止。恒压降模型是说当二极管导通以后，其管压降为恒定值，硅管为0.7V，锗管0.5V。

    桥式整流电流流向过程：当u2是正半周期时，二极管Vd1和Vd2导通；而二极管Vd3和Vd4截止，负载RL的电流是自上而下流过负载，负载上得到了与u2正半周期相同的电压。在u2的负半周，u2的实际极性是下正上负，二极管Vd3和Vd4导通而Vd1和Vd2截止，负载RL上的电流仍是自上而下流过负载，负载上得到了与u2正半周期相同的电压。

电源滤波器

电源滤波的过程分析：电源滤波是在负载RL两端并联一只较大容量的电容器。由于电容两端电压不能突变，因而负载两端的电压也不会突变，使输出电压得以平滑，达到滤波的目的。

• 波形形成过程

    输出端接负载RL，当电源供电时，向负载提供电流的同时也向电容C充电，充电时间常数：τ=(Ri∥RL·C)≈Ri·C

    一般Ri远小于RL，忽略Ri压降的影响，电容上电压将随u2迅速上升。

• 当ωt=ωt1时，有u2=u0，此后u2低于u0，所有二极管截止，这时电容C通过RL放电，放电时间常数为RLC，放电时间慢，u0变化平缓。
• 当ωt=ωt2时，u2=u0, ωt2后u2又变化到比u0大，又开始充电过程，u0迅速上升。
• 当ωt=ωt3时，有u2=u0，ωt3后，电容通过RL放电。

    如此反复，周期性充放电。由于电容C的储能作用，RL上的电压波动大大减小了。电容滤波适合于电流变化不大的场合。LC滤波电路适用于电流较大，要求电压脉动较小的场合。

• 滤波电容的容量和耐压值选择

    电容滤波整流电路输出电压Uo在√2·U2~0.9·U2之间，输出电压的平均值取决于放电时间常数的大小。

    电容容量RLC≧(3~5)·T/2，其中T为交流电源电压的周期。实际中，经常进一步近似为Uo≈1.2·U2整流管的最大反向峰值电压URM=√2·U2，每个二极管的平均电流是负载电流的一半。

信号滤波器

    信号滤波器的作用：把输入信号中不需要的信号成分衰减到足够小的程度，但同时必须让有用信号顺利通过。

• 与电源滤波器的区别和相同点

    区别：信号滤波器用来过滤信号，其通带是一定的频率范围，而电源滤波器则是用来滤除交流成分，使直流通过，从而保持输出电压稳定；交流电源则是只允许某一特定的频率通过。

    相同点：都是用电路的幅频特性来工作。

• LC串联和并联电路的阻抗计算

    串联时，电路阻抗为：

Z=R+j(XL-XC)=R+j(ωL-1/ωC)

    并联时，电路阻抗为：

    考虑到实际中，常有R<<ωL，所以有：

    幅频关系和相频关系曲线，如下：

    通频带曲线，如下图所示。

微分&积分电路

微分和积分电路，如下图。

 微分电路可把矩形波转换为尖脉冲波，主要用于脉冲电路、模拟计算机和测量仪器中，以获取蕴含在脉冲前沿和后沿中的信息，例如提取时基标准信号等。

    积分电路使输入方波转换成三角波或者斜波，主要用于波形变换、放大电路失调电压的消除及反馈控制中的积分补偿等场合。其主要用途有：

• 在电子开关中用于延迟；
• 波形变换；
• A/D转换中，将电压量变为时间量；
• 移相。

共射极放大电路

    共射极放大电路如下图。

   共射极放大电路的结构简单，具有较大的电压放大倍数和电流放大倍数，输入和输出电阻适中，但工作点不稳定，一般用在温度变化小，技术要求不高的情况下。

    特点：

• 输入信号和输出信号反相。
• 有较大的电流和电压增益。
• 一般用作放大电路的中间级。
• 共射极放大器的集电极跟零电位点之间是输出端，接负载电阻。

分压偏置式共射极放大电路

    分压偏置式共射极放大电路，如下图。

分压偏置式共射极放大电路即基极分压式射极偏置电路，是BJT的放大电路的三种组态之一。三种组态分别为：共射，共集，和共基。

    其中共集组态具有电流放大作用。输入电阻最高，输出电阻最小。共基组态具有电压放大作用，输入电阻最小，输出电阻较大。而共射组态既具有电压放大也具有电流放大作用。输入电阻居中，输出电阻较大。

    因此，共集组态多用于多级放大电路的输入级或输出级或缓冲级。共基组态常用于高频或宽频带低输入阻抗的场合。而共射组态常用于放大电路的中间级。

共集电极放大电路

    共集电极放大电路(射级跟随器)，如下图所示。

  共集电极放大电路是从发射极输出信号的，信号波形和相位基本与输入相同，因而又称射极输出器或射极跟随器，简称射随器，常用作缓冲器使用。

    共集电极放大电路常作为电流放大器使用，它的特点是高输入阻抗，电流增益大，但是电压输出的帽度几乎没有放大，也就是输出电压接近输入电压，而由于输入阻抗高而输出阻抗低的特性，也常作为阻抗变换器使用。

电路反馈框图

    电路反馈框图，如下。

  反馈，就是把放大电路的输出量的一部分或全部，通过反馈网络以一定的方式又引回到放大电路的输入回路中去，以影响电路的输入信号作用的过程。

    放大电路静态工作点会随温度的变化而上下波动，其放大倍数不稳定，为了稳定放大电路的静态工作点，可采用分压式工作点稳定电路，在电路中引入一个直流电流负反馈。

    为了提高输入电阻，降低输出电阻，可采用射极输出器，在射极输出器电路中引入电压串联负反馈。

二极管稳压电路

    二极管稳压电路，如下图。

  稳压二极管，是指利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。

    稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多，反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。但是，当反向电压临近反向电压的临界值时，反向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很小值。尽管电流在很大的范围内变化，而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近，从而实现了二极管的稳压功能。

串联稳压电路

    串联稳压电路，如下图。

串联型稳压电路，除了变压、整流、滤波外，稳压部分一般有四个环节：调整环节、基准电压、比较放大器和取样电路。

    当电网电压或负载变动引起输出电压V0变化时，取样电路将输出电压V0的一部分馈送回比较放大器和基准电压进行比较。

    其产生的误差电压经放大后去控制调整管的基极电流，自动地改变调整管集—射极间的电压，补偿V0的变化，从而维持输出电压基本不变。

差分放大电路

    差分放大电路，如下图。

差分放大电路具有电路对称性的特点，此特点可以起到稳定工作点的作用，被广泛用于直接耦合电路和测量电路的输入级。

    差分放大电路有差模和共模两种基本输入信号，由于其电路的对称性，当两输入端所接信号大小相等、极性相反时，称为差模输入信号；当两输入端所接信号大小相等、极性相同时，称为共模信号。通常我们将要放大的信号作为差模信号进行输入，而将由温度等环境因素对电路产生的影响作为共模信号进行输入，因此我们最终的目的，是要放大差模信号，抑制共模信号。

    差分放大电路是直接耦合放大电路的基本组成单元，该电路对于不同的输入信号有不同的作用，对于共模信号起到很强的抑制作用，而对差模信号起到放大作用，并且电路的放大能力与输出方式有关。

场效应管放大电路

    场效应管放大电路，如下图。

  场效应管与晶体管一样，也具有放大作用，但与普通晶体管是电流控制型器件相反，场效应管是电压控制型器件。它具有输入阻抗高、噪声低的特点。

    场效应管的3个电极，即栅极、源极和漏极分别相当于晶体管的基极、发射极和集电极。

    MOS管能工作在放大区，而且很常见。做镜像电流源、运放、反馈控制等，都是利用MOS管工作在放大区。由于MOS管的特性，当沟道处于似通非通时，栅极电压直接影响沟道的导电能力，呈现一定的线性关系。由于栅极与源漏隔离，因此其输入阻抗可视为无穷大，当然，随频率增加阻抗就越来越小，一定频率时，就变得不可忽视。这个高阻抗特点被广泛用于运放，运放分析的虚连、虚断两个重要原则就是基于这个特点。这是三极管不可比拟的。

选频(带通)放大电路

    选频(带通)放大电路，如下图。

 选频放大电路通常位于接收系统的前端，放大的信号幅度小、频率高，亦称高频小信号谐振放大器或带通放大器。

运算放大电路

    运算放大电路如下图。

电路中的运算放大器，有同相输入端和反相输入端，输入端的极性和输出端是同一极性的就是同相放大器，而输入端的极性和输出端相反极性的则称为反相放大器。

    同相输入的输入阻抗高，反相输入的输入阻抗低。同相输入的输入阻抗基本上由同相端并联的偏置电阻决定，这个电阻可以用得很大 ；反相输入时，由于有反馈电阻并联于反相端与输出端之间，这个反馈电阻不可能用得很大，所以反相输入的输入阻抗比较低。

差分输入运算放大电路

    差分输入运算放大电路，如下图。

    输出电压与运放两端的输入电压差成比例，能实现减法运算。常用作减法运算以及测量放大器。

电压比较器

 电压比较器是对输入信号进行鉴别与比较的电路，是组成非正弦波发生电路的基本单元电路。常用的电压比较器有单限比较器、滞回比较器、窗口比较器、三态电压比较器等。

    电压比较器它可用作模拟电路和数字电路的接口，还可以用作波形产生和变换电路等。利用简单电压比较器可将正弦波变为同频率的方波或矩形波。

RC振荡电路

 采用RC选频网络构成的振荡电路称为RC振荡电路，它适用于低频振荡，一般用于产生1Hz~1MHz的低频信号。电路由放大电路、选频网络、正反馈网络，稳幅环节四部分构成。主要优点是结构简单，经济方便。根据RC选频网络的不同形式，可以将RC振荡电路分为RC超前（或滞后）相移振荡电路和文氏电路振荡电路。

LC振荡电路

  LC电路，也称为谐振电路、槽路或调谐电路，是包含一个电感（用字母L表示）和一个电容（用字母C表示）连接在一起的电路。该电路可以用作电谐振器（音叉的一种电学模拟），储存电路共振时振荡的能量。

    LC电路既用于产生特定频率的信号，也用于从更复杂的信号中分离出特定频率的信号。它们是许多电子设备中的关键部件，特别是无线电设备，用于振荡器、滤波器、调谐器和混频器电路中。

石英晶体振荡电路

 石英晶体是石英晶体谐振器的简称，将二氧化硅结晶体按一定的方向切割成很薄的晶片，再将晶片两个对应的表面抛光和涂敷银层，并作为两个极引出管脚，加以封装，就构成石英晶体谐振器。它具有非常稳定的固有频率。

    石英晶体的形状呈六角形柱体，需切割成适当尺寸之后才能使用。为得到不同振荡频率的石英晶体，加工时需采用不同的切割方法。将一个切割的石英晶体夹在一对金属片中间就构成了石英晶振，它具有压电效应，即在晶片两极外加电压，晶振就会产生变形：反之如果外力使晶片变形，则在两极金属片上又会产生电压，若加适当的交变电压，石英晶体便会产生谐振。当所加的交变电压频率恰为石英晶体自然谐振频率时，其振幅最大。

功率放大电路

    功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。它一般直接驱动负载，带载能力要强。功率放大电路通常作为多级放大电路的输出级。

四、LDO基础知识

压降

低压降稳压器 (LDO) 是一种用于调节较高电压输入产生的输出电压的简单方法。在大多数情况下，低压降稳压器都易于设计和使用。然而，如今的现代应用都包括各种各样的模拟和数字系统，而有些系统和工作条件将决定哪种LDO最适合相关电路，因此，现在我们需要关注这些决定性因素。

什么是压降

压降电压VDO，是指为实现正常稳压，输入电压VIN必须高出所需输出电压VOUT(nom) 的最小压差。

请参见公式 1：

如果 VIN 低于此值，线性稳压器将以压降状态工作，不再调节所需的输出电压。在这种情况下，输出电压 VOUT(dropout)将等于 VIN 减去压降电压的值（公式 2）：

以调节后电压为 3.3V 的 TPS799 等 LDO 为例：当输出200mA 电流时，TPS799 的最大压降电压指定为 175mV。只要输入电压为 3.475V 或更高，就不会影响调节过程。但是，输入电压降至 3.375V 将导致 LDO 以压降状态工作并停止调节，如图 1 所示。

虽然应将输出电压调节为 3.3V，但TPS799没有保持稳压所需的余量电压。因此，输出电压将开始跟随输入电压变化。

决定压降的因素是什么？

压降主要由 LDO 架构决定。为说明原因，让我们来了解一下 P 沟道金属氧化物半导体(PMOS) 和 N 沟道 MOS (NMOS) LDO，并对比其工作情况。

PMOS LDO

图 2 所示为 PMOS LDO 架构。为调节所需的输出电压，反馈回路将控制漏-源极电阻 RDS。随着 VIN 逐渐接近 VOUT(nom)，误差放大器将驱动栅-源极电压 VGS 负向增大，以减小 RDS，从而保持稳压。

但是，在特定的点，误差放大器输出将在接地端达到饱和状态，无法驱动 VGS 进一步负向增大。RDS 已达到其最小值。将此 RDS 值与输出电流 IOUT 相乘，将得到压降电压。

请记住，随着 VGS 负向增大，能达到的 RDS 值越低。通过提升输入电压，可以使VGS 值负向增大。因此，PMOS 架构在较高的输出电压下具有较低的压降。图 3 展示了此特性。

如图 3 所示，TPS799 的压降电压随输入电压（也适用于输出电压）增大而降低。这是因为随着输入电压升高 VGS会负向增大。

NMOS LDO

NMOS 架构如图 4 所示，反馈回路仍然控制 RDS。但是，随着VIN 接近 VOUT(nom)，误差放大器将增大 VGS 以降低 RDS，从而保持稳压。

在特定的点，VGS 无法再升高，因为误差放大器输出在电源电压 VIN 下将达到饱和状态。达到此状态时，RDS处于最小值。将此值与输出电流 IOUT 相乘，会获得压降电压。

不过这也会产生问题，因为误差放大器输出在 VIN 处达到饱和状态，随着 VIN 接近 VOUT(nom)，VGS 也会降低。这有助于防止出现超低压降。

偏置 LDO

很多 NMOS LDO 都采用辅助电压轨，即偏置电压 VBIAS，如图5 所示。

此电压轨用作误差放大器的正电源轨，并支持其输出一直摆动到高于 VIN 的 VBIAS。这种配置能够使 LDO 保持较高 VGS，从而在低输出电压下达到超低压降。有时并未提供辅助电压轨，但仍然需要在较低的输出电压下达到低压降。在这种情况下，可以用内部电荷泵代替 VBIAS，如图 6 所示。

电荷泵将提升 VIN，以便误差放大器在缺少外部 VBIAS 电压轨的情况下仍可以生成更大的 VGS 值。

其它因素

除了架构之外，压降还会受到其他一些因素的影响，如表 1所示。

很显然，压降并不是一个静态值。虽然这些因素会提高选择LDO 的复杂程度，但同时，还能帮助您根据特定的条件选择最适合的 LDO

 LDO电容的选择 

为了让 LDO 正常工作，需要配备输出电容器。将 LDO 用于实际应用时，如何选择适当的输出电容器是一个常见的问题。因此，让我们来探讨一下选择输出电容器时需要考虑的各种事项及其对 LDO 的影响。

什么是电容器

电容器是用于储存电荷的器件，其中包含一对或多对由绝缘体分隔的导体。电容器通常由铝、钽或陶瓷等材料制成。各种材料的电容器在系统中使用时具有各自的优缺点，如表 1 所示。

陶瓷电容器通常是理想的选择，因为其电容变化最小，而且成本较低。

什么是电容？

电容器是用于储存电荷的器件，而电容是指储存电荷的能力。在理想情况下，电容器上标注的值应与其提供的电容量完全相同。但我们并未处于理想情况下，不能只看电容器上标注的值。稍后您将发现电容器的电容可能只有其额定值的10%。这可能是由于直流电压偏置降额、温度变化降额或制造商容差造成的。

直流电压降额

考虑到电容器的动态特性（以非线性方式存储和耗散电荷），有些极化现象在不施加外部电场的情况下也可能会出现；这就是所谓的“自发极化”。自发极化是由材料的不活跃电场引起的，不活跃电场为电容器提供初始电容。对电容器施加外部直流电压会生成电场，生成的电场会反转初始极化，然后将剩余的有源偶极子“锁定”或极化到位。极化与电介质内电场的方向有关。

如图1所示，锁定的偶极子不会对交流电压瞬变作出反应；因此，有效电容低于施加直流电压前的值。

图2显示了对电容器施加电压所产生的影响以及产生的电容。请注意，外壳尺寸较大时损失的电容较小；这是因为外壳尺寸越大，导体之间存在的电介质越多，而这会降低电场强度并减少锁定的偶极子数。

温度降额

与所有电子器件类似，电容器的额定温度高于其额定性能对应的温度。这种温度降额通常会使电容器的电容低于电容器上标注的数值。表2为电容器温度系数额定值解码表。

大多数 LDO 结温范围通常为 -40°C 到 125°C。根据此温度范围，X5R 或 X7R 电容器是理想选择。

如图 3 所示，温度对电容的影响远小于直流偏置降额所产生的影响，直流偏置降额可使电容值降低 90%。

实际应用

常见的 LDO 应用可能是从 3.6V 电池获得输入电压，然后将其降低，为微控制器 (1.8V) 供电。在本例中，我们使用 10µF X7R 陶瓷电容器，0603 封装。0603 封装是指电容器的尺寸：0.06in x 0.03in。

我们来确定一下此应用中上述电容器的实际电容值：

a、直流偏置降额：从制造商提供的电容器直流偏置特性图表（图2）可以看出，直流偏置电压为 1.8V 时，电容值为 7µF。

b、温度降额：基于 X7R 编码，如果在 125°C 的环境温度下应用此电容器，电容值会另外下降 15%，此时的新电容值为 5.5µF。

c、 制造商容差：考虑到 ±20% 的制造商容差，最终的电容值为3.5µF。

可以看出，在上述条件下应用电容器时，10µF 电容器的实际电容值为 3.5µF。电容值已降低至标称值的 65% 左右。显然，上述所有条件并非对任何应用都适用，但务必要了解将电容器用于实际应用时电容值的范围。

尽管 LDO 和电容器乍看起来似乎很简单，但还有其他因素决定着 LDO 正常工作所需的有效电容。

 热性能 

低压降稳压器 (LDO) 的特性是通过将多余的功率转化为热量来实现稳压，因此，该集成电路非常适合低功耗或 VIN 与 VOUT 之差较小的应用。考虑到这一点，选择采用适当封装的适当 LDO 对于最大程度地提高应用性能至关重要。这一点正是令设计人员感到棘手之处，因为最小的可用封装并不总能符合所需应用的要求。

选择 LDO 时要考虑的最重要特性之一是其热阻 (RθJA)。RθJA 呈现了 LDO 采用特定封装时的散热效率。RθJA 值越大，表示此封装的散热效率越低，而值越小，表示器件散热效率越高。

封装尺寸越小，RθJA 值通常越大。

例如，TPS732
根据封装不同而具有不同的热阻值：小外形晶体管 (SOT)-23 (2.9mm x 1.6mm) 封装的热阻为205.9°C/W，而
SOT-223 (6.5mm x 3.5mm) 封装的热阻为 53.1°C/W。这意味着 TPS732 每消耗1W 功率，温度就会升高205.9°C 或 53.1°C。这些值可参见器件数据表的“热性能信息”部分，如表 1 所示。

是否选择了适合的封装？

建议的 LDO 工作结温介于-40°C 至 125°C 之间；同样，可以在器件数据表中查看这些值，如表 2 所示。

这些建议的温度表示器件将按数据表中“电气特性”表所述工作。可以使用公式 1 确定哪种封装将在适当的温度下工作。

其中 TJ 为结温，TA 为环境温度，RθJA 为热阻（取自数据表），PD 为功耗，Iground 为接地电流（取自数据表）。

下面给出了一个简单示例，使用 TPS732 将 5.5V 电压下调至3V，输出电流为 250mA，采用 SOT-23 和 SOT-223 两种封装。

热关断

结温为 154.72°C 的器件不仅超过了建议的温度规范，还非常接近热关断温度。关断温度通常为 160°C；这意味着器件结温高于 160°C 时会激活器件内部的热保护电路。此热保护电路会禁用输出电路，使器件温度下降，防止器件因过热而受到损坏。

当器件的结温降至 140°C 左右时，会禁用热保护电路并重新启用输出电路。如果不降低环境温度和/或功耗，器件可能会在热保护电路的作用下反复接通和断开。如果不降低环境温度和/或功耗，则必须更改设计才能获得适当的性能。

一种比较明确的设计解决方案是采用更大尺寸的封装，因为器件需要在建议的温度下工作。下文介绍了有助于最大程度地减少热量的一些提示和技巧。

增大接地层、VIN 和 VOUT 接触层的尺寸

当功率耗散时，热量通过散热焊盘从 LDO 散出；因此，增大印刷电路板 (PCB) 中输入层、输出层和接地层的尺寸将会降低热阻。

如图 1 所示，接地层通常尽可能大，覆盖 PCB 上未被其他电路迹线占用的大部分区域。该尺寸设计原则是由于许多元件都会生成返回电流，并且需要确保这些元件具有相同的基准电压。最后，接触层有助于避免可能会损害系统的压降。大的接触层还有助于提高散热能力并最大限度地降低迹线电阻。增大铜迹线尺寸和扩大散热界面可显著提高传导冷却效率。

在设计多层 PCB 时，采用单独的电路板层（包含覆盖整个电路板的接地层）通常是个不错的做法。这有助于将任何元件接地而不需要额外连线。元件引脚通过电路板上的孔直接连接到包含接地平面的电路板层。

串联电阻分担功耗

可以在输入电压侧串联电阻，以便分担一些功耗；图 3 所示为相关示例。该技术的目标是使用电阻将输入电压降至可能的最低水平。

由于 LDO 需要处于饱和状态以进行适当调节，可以通过将所需的输出电压和压降相加来获得最低输入电压。公式 2 表示了LDO 的这两种属性的计算方式：

使用 TPS732 示例中的条件（输出 250mA 电流，将 5.5V 调节至 3V），可以使用公式 3 计算电阻的最大值以及该电阻消耗的最大功率：

选择适合的电阻，确保不会超过其“额定功耗”。此额定值表示在不损坏自身的情况下电阻可以将多少瓦功率转化为热量。因此，如果 VIN = 5.5V、VOUT = 3V、VDROPOUT = 0.15V（取自数据表）、IOUT = 250mA 且 IGROUND = 0.95mA（取自数据表），则：

电流限制

在一些外部条件和情况下，LDO 可能会出现意外的高流耗。如果此高电流传输到其他正被供电的电子系统，会对大多数电子系统以及主机电源管理电路造成损害。选择具有电流限制和内部短路保护的 LDO，将有助于防止产生这种不良影响，并在设计整体电源管理模块时提供额外保护。

什么是电流限制功能，该功能如何运作？

LDO 中的电流限制定义为，建立所施加电流的上限。与恒流源不同，LDO 按需输出电流，同时还会控制调节的总功率。

电流限制通过用于控制 LDO 内输出级晶体管的内部电路实现，见图 1。这是一种典型的 LDO 限流电路，由于达到限值后该电路会突然停止输出电流，通常被称为“砖墙”电流限制。此内部电路中，LDO 测量反馈的输出电压，同时测量输出电流相对于内部基准 (IREF) 的缩放镜像。

砖墙电流限制

在砖墙电流限制中，已定义电流上限，LDO会逐渐增大供应电流，直至达到电流限制。一旦超过电流限制，输出电压不再进行调节，并由负载电路的电阻 (RLOAD) 和输出电流限制 (ILIMIT)确定（公式 1）：

只要结温处于可接受的范围 (TJ < 125°C) 内时，热阻 (θJA)允许正常的功耗，传输晶体管就继续此操作并耗散功率。当VOUT 过低且达到温度上限时，热关断功能将断开器件，保护器件免受永久性损害。器件温度降低后，它将重新接通，并且可以继续进行稳压调节。这在可能出现短路的情况下尤为重要，因为 LDO 会继续将 VOUT 调节至 0V。

例如，TI 的 TPS7A16 可以在宽电压范围内限制高电流输出。图2 所示为 30V 输入条件下限流功能的行为示例。可以看出，一旦超过电流限制，LDO 继续以限值输出电流，但不再将VOUT调节至 3.3V。一旦超过 105mA 的热限制，将启动热关断功能。

该限流功能有助于对镍镉和镍氢单单元电池充电，因为这两种电池都需要恒定的电流供应。电池电压在电池充电时会发生变化，TPS7A16 等 LDO 有助于将恒定电流保持在限值 (I)。

防止出现反向电流

在大多数低压降稳压器 (LDO) 中，电流沿特定方向流动，电流方向错误会产生重大问题！反向电流是指从 VOUT 流向 VIN 而不是从 VIN 流向 VOUT 的电流。这种电流通常会穿过LDO 的体二极管，而不会流过正常的导电通道，有可能引发长期可靠性问题甚至会损坏器件。

LDO 主要包括三个组成部分（见图 1）：带隙基准、误差放大器和导通场效应晶体管 (FET)。在典型应用中，导通 FET 与任何标准 FET 一样，在源极和漏极之间传导电流。用于产生 FET体的掺杂区（称为块体）与源极相连；这会减小阈值电压变化量。

将块体与源极相连有一个缺点，即会在FET 中形成寄生体二极管，如图 2 所示。此寄生二极管被称为体二极管。在这种配置中，当输出超过输入电压与寄生二极管的 VFB 之和时，体二极管将导通。流经该二极管的反向电流可能会使器件温度升高、出现电迁移或闩锁效应，从而导致器件损坏。

在设计 LDO 时，务必要将反向电流以及如何防止出现反向电流纳入考量。有四种方法可以防止反向电流：其中两种在应用层实施，另外两种在集成电路 (IC) 设计过程中实施。

使用肖特基二极管

如图 3 所示，在输出和输入之间使用肖特基二极管可以在输出电压超过输入电压时防止 LDO 中的体二极管导通。您必须使用肖特基二极管，肖特基二极管的正向电压较低，而传统二极管的正向电压与肖特基二极管相比要高得多。在正常工作中，肖特基二极管会进行反向偏置，不会传到任何电流。此方法的另一项优势是，在输出和输入之间放置肖特基二极管后，LDO的压降电压不会增大。

在 LDO 之前使用二极管

如图 4 所示，此方法在 LDO 之前使用二极管以防电流流回到电源。这是一种防止出现反向电流的有效方法，但它也会增大防止 LDO 出现压降所需的必要输入电压。置于 LDO 输入端的二极管在反向电流条件下会变为反向偏置状态，不允许任何电流流过。此方法与下一种方法类似。

额外增加一个 FET

设计有阻止反向电流功能的 LDO 通常会额外增加一个 FET，以此帮助防止反向电流。如图 5 所示，两个 FET 的源级背靠背放置，以便体二极管面对面放置。现在，当检测到反向电流条件时，其中一个晶体管将断开，电流将无法流过背靠背放置的二极管。

此方法最大的缺点之一是使用此架构时压降电压基本上会翻倍。为降低压降电压，需要增大金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的尺寸，因此将增大解决方案的整体尺寸。应用于汽车中的 LDO（如 TI 的 TPS7B7702-Q1）使用此方法防止出现反向电流。

 电源抑制比 

低压降稳压器 (LDO) 最受欢迎的优势之一是，能够衰减开关模式电源生成的电压纹波。这对于数据转换器、锁相环 (PLL) 和时钟等信号调节器件而言尤为重要，因为含有噪声的电源电压会影响这类器件的性能。电源抑制比 (PSRR)仍然常被误认为是单个静态值，下面让我们讨论一下什么是 PSRR，以及影响它的因素有哪些。

什么是 PSRR？

PSRR 是一个常见技术参数，在许多 LDO 数据表中都会列出。它规定了特定频率的交流元件从 LDO 输入衰减到输出的程度。公式 1 将 PSRR 表示为：

公式 1 表明衰减程度越高，以分贝表示的 PSRR 值将越大。（某些供应商采用负号来表示衰减，而大多数供应商，包括 TI在内，却并非如此。）

在数据表的电气特性表中，常常可以找到在 120Hz 或 1kHz 频率下规定的 PSRR。但是，单独使用此参数可能无法确定给定的 LDO 是否满足具体的滤波要求。下面，对原因进行具体说明。

确实适合应用的 PSRR

图 1 所示为将 12V 电压轨调节至 4.3V 的直流/直流转换器。后面连接了 TPS717，这是一款 PSRR 值较高的 LDO，用于调节3.3V 电压轨。4.3V 电压轨上因开关生成的纹波为 ±50mV。LDO 的 PSRR 将确定在 TPS717 的输出端剩余的纹波量。

为确定衰减程度，首先必须了解出现纹波的频率。假设此示例中对应的频率为 1MHz，因为此值正好处于常见开关频率范围的中间。可以看到，在 120Hz 或 1kHz 下指定的 PSRR 值对此分析没有任何帮助。相反，您必须参考图 2 中的 PSRR 图。

在以下条件下，1MHz 时的 PSRR 指定为 45dB。

IOUT = 150mA

VIN - VOUT = 1V

COUT = 1μF

假设这些条件与具体的应用条件相符。在此情况下，45dB 相当于 178 的衰减系数。可以预计，输入端的 ±50mV 纹波在输出端将被降至 ±281μV。

更改条件

但是，假设您更改了条件并决定将VIN - VOUT 减小到 250mV，以便更有效地进行调节。那么，您需要参考图 3 中的曲线。

可以看到，如果保持所有其他条件不变，1MHz时的 PSRR 减小到 23dB，即衰减系数为 14。这是因为互补金属氧化物半导体 (CMOS) 导通元件进入三极管（或线性）区，即，随着 VIN -VOUT 的值接近压降电压，PSRR 开始降低。（请记住，压降电压是输出电流及其他因素的函数。因此，较低的输出电流会降低压降电压，有助于提高 PSRR。）

更改输出电容器的电容值也会产生影响，如图 4 所示。

将输出电容器的电容值从 1μF 提高到 10μF 时，尽管 VIN - VOUT的值仍然为 250mV，1MHz 时的 PSRR 将增大到 42dB。曲线中的高频峰已向左移动。这是由于输出电容器的阻抗特性导致的。通过适当调整输出电容值，可以调整或增大衰减程度，以便与特定开关噪声频率保持一致。

调整所有参数

仅靠调整 VIN - VOUT 和输出电容，就可以提高特定应用的PSRR。但影响 PSRR 的因素并不仅限于这两项。表 1 概述了对其产生影响的多个因素。

原创作者: whaosoft 转载于: https://blog.51cto.com/whaosoft/11633527