模拟电路-基础知识

最新推荐文章于 2024-04-24 18:46:03 发布

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分类专栏：模拟电路文章标签：模拟电路 PN结齐纳击穿雪崩击穿

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摘要：本节首先讨论什么是信号，模拟信号和数学信号的定义。然后介绍半导体相关的一些基础知识。

基本概念

信息：信息奠基人香农（Shannon）认为“信息是用来消除随机不确定性的东西”，这一定义被人们看作是经典性定义并加以引用。控制论创始人维纳（Norbert Wiener）认为“信息是人们在适应外部世界，并使这种适应反作用于外部世界的过程中，同外部世界进行互相交换的内容和名称”，它也被作为经典性定义加以引用。

消息：消息是信息的形式和载体。

信号：消息需要借助某些物理量（如声、光、电）的变化来表示和传递，信号是反映消息的物理量，是消息的表现形式。

电信号：电信号是指随时间而变化的电压或电流，因此数学上可将它表示为时间的函数，即 u=f(t) 或 i=f(t) 。并可画出波形。电子电路中的信号均为电信号，以下简称信号。

模拟信号：在时间和数值上均具有连续性，即对应于任意时间均有确定的函数值或，并且或的幅值是连续取值的。

数字信号：在时间和数值上均具有离散性，或的变化在时间上不连续。

模-数转换A/D（Analog to Digtal）：将模拟信号转为数字信号。

数-模转换D/A（Digtal to Analog ）：将数字信号转为模拟信号。

本征半导体

本征半导体：纯净的具有晶体结构的半导体。

晶格：晶体中的原子在空间形成的排列整齐的点阵。

共价键：相邻的两原子的一对最外层电子（即价电子）不但围绕自身所属的原子核运动，而且出现在相邻原子所属的轨道上，成为共用电子，这样的组合称为共价键结构。

空穴：价电子由于热运动获得足够的能量，从而挣脱共价键的束缚变成自由电子。与此同时，在共价键中留下一个空位置，称为空穴。

载流子：运载电荷的粒子称为载流子。导体导电只有一种载流子即自由电子导电。而本征半导体有两种载流子，及自由电子和空穴均参与导电。

本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象。

复合：自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。

本征半导体载流子浓度： $n_{i}=p_{i}=K_{1}T^{\frac{3}{2}}e{\frac{-E_{GO}}{(2kT)}}$ ， $n_{i}$ 和 $p_{i}$ 分别表示自由电子和空穴的浓度（ $cm^{-3}$ ）,为热力学温度,为玻尔兹曼常数 $(8.63*10^{-5}eV/K)$ , $E_{GO}$ 为热力学零度时破话共价键所需要的能量，又称禁带宽度（硅为 1.21eV ,锗为 0.785eV ）, $K_{1}$ 是与半导体材料载流子的有效质量、有效能级密度有关的常数（硅为 $3.87\times 10^{16}cm^{-3}\cdot K^{-3/2}$ ,锗为 $1.76\times 10^{16}cm^{-3}\cdot K^{-3/2}$ ）。

杂质半导体

杂质半导体：通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，便可得到杂质半导体。

N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度，固称自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子；前者简称为多子，后者为少子，由于杂质原子可以提供电子，故称为施主原子。

P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。P型半导体中空穴为多子，自由电子为少子，因杂质原子中的空位吸收电子，故称为受主原子。

PN结

PN结：采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结。PN结具有单项导电性。

PN结的形成：

将下图a的P型半导体和N型半导体采用一定的工艺措施紧密地结合在一起，由于N区电子浓度远大于P区，P区的空穴浓度远大于N区，因此N区的电子要穿过交界面向P区扩散，P区的空穴也要穿过交界面向N区扩散。扩散的结果，在交界面形成一个薄层区，在这薄层区内，N区的电子已跑到P区，N区留下了带正电的离子，形成N区带正电；P区的空穴已被电子填充，P区留下了带负电的原子，形成P区带负电。这薄层称为空间电荷区，如下图b所示。

这薄层的两边类似已充电的电容器，形成由N→P的内电场。空间电荷区内基本上已没有载流子，故又称为耗尽层，或称PN结。它具有很高的电阻率。显然这个内电场形成后将阻碍多数载流子的扩散运动；同时，内电场又使P区少数载流子电子向N运动；使N区少数载流子空穴向P区运动。这种少数载流子在内电场作用下的运动称为漂移运动。

扩散运动和漂移运动是同时存在的一对矛盾，开始形成空间电荷区时，多数载流子的扩散是矛盾的主导，随着扩散运动的进行，空间电荷区即PN结不断增宽，内电场增强，此时扩散运动减弱，而漂移运动越来越强，在一定温度时，最终扩散、漂移运动达到动平衡，PN结处于相对稳定状态，PN结之间再没有定向电流。

PN结的单向导电性：

外加正向电压：PN结导通（导电）：如下图a所示，将电源E串联电阻R后正极接于P区，负极接于N区，这时称PN结外加正向电压。在正向电压作用下，PN结中的外电场和内电场方向相反，扩散运动和漂移运动的平衡被破坏，内电场被削弱，使空间电荷区变窄，多数载流子的扩散运动大大地超过了少数载流子的漂移运动，多数载流子很容易越过PN结，形成较大的正向电流，PN结呈现的电阻很小，因而处于导通状态。串联电阻是为了防止电流过大而可能烧毁PN结。

外加反向电压，PN结截止（不导电）：上图b中，将电源E的正极接于N区，负极接于P区，PN结外加反向电压，或称PN结反向接法。此时外电场和内电场方向一致，内电场增强，使空间电荷区加宽，对多数载流子扩散运动的阻碍作用加强，多数载流子几乎不运动，但是，增强了的内电场有利于少数载流子的漂移运动，由于少数载流子的数量很少，只形成微小的反向电流，PN结呈现的反向电阻很大，因此处于截止状态。反向电流对温度非常敏感，温度每升高8~10℃，少数载流子形成的反向电流将增大1倍。PN结正向连接时，PN结导通，正向电阻很小。PN结反向连接时，PN结截止，反向电阻极大。PN结特有的这种单向导电特性，正是各种半导体器件的基本工作原理。

PN结的电流方程：

由理论分析可知，PN结所加电压与流过他的电流的关系为： $i=I_{s}(e\tfrac{qu}{kT}-1)$ ,式中 $I_{s}$ 为反向饱和电流，为电子的电量，为玻尔兹曼常数，为热力学温度。

PN结的伏安特性：

上图为PN结的伏安特性曲线，其中 u>0 的部分被称为正向特性， u<0 的部分被称为反向特性。当反向电压超过一定数值后，反向电流急剧增加，称之为反向击穿。击穿按照机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。

齐纳击穿：在高掺杂的情况下，因耗尽层宽度很窄，不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场，而直接破坏共价键，是价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。齐纳击穿电压较低。

雪崩击穿：如果掺杂浓度较低，耗尽层宽度较宽，那么低反向电压下不会产生齐纳击穿。当反向电压增加到较大数值时，耗尽层的电场使少子加快漂移速度，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生电子-空穴对。新产生的电子与空穴被电场加速后又撞出其他价电子，载流子雪崩式的倍增，导致电流急剧增大，这种击穿被称为雪崩击穿。

PN结的电容效应：

势垒电容：当PN结外加电压变化时，引起积累在势垒区的空间电荷的变化，即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少，这种现象与电容器的充、放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。

扩散电容：PN结扩散电容是来自于非平衡少数载流子（简称非平衡少子）在PN结两边的中性区内的电荷存储所造成的电容效应（因为在中性扩散区内存储有等量的非平衡电子和非平衡空穴的电荷，它们的数量受到结电压控制）。这种由于注入载流子存储电荷随着电压变化所产生的扩散电容将随正向电压而按指数式增大。

参考链接

《模拟电子技术基础》（第五版）高等教育出版社
http://m.elecfans.com/article/577144.html
https://zhidao.baidu.com/question/208484367.html
http://blog.sciencenet.cn/blog-729147-1033899.html
https://baike.baidu.com/item/%E4%BF%A1%E6%81%AF/111163?fr=aladdin