本文探讨了宽禁带器件，如GaN和SiC MOSFET在驱动中的桥臂串扰问题。通过分析EPC2007和Si8410BB等组件在同步整流Buck变换器的应用，揭示了桥臂串扰的机制及其对器件的影响。作者提出了抑制串扰的策略，包括采用隔离技术如脉冲和光耦，并以Avago的ACPL-P/W346和UCC27531为例。同时，讨论了电子迁移率、饱和漂移速度等关键参数对高频性能的影响。
宽禁带器件驱动文献
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王宇萌，吴比.GaN宽禁带半导体功率场效应晶体管驱动优化的研究[J].商情,2017,(21)
以EPC2007的GaN晶体管，LM5114的驱动芯片，Si8410BB的数字隔离芯片，对比A1505的Si功率MOSFET。应用于同步整流Buck变换器电路。 -
刘帆，朱德文，吴钫，叶杰.SiC MOSFET建模及驱动电路设计[J].电力电子技术,2018,第52卷(12): 133-136
（1）提了各种SiC的开关器件，二极管，MOSFET，JFET，IGBT等，讲述其应用现状、生产厂家、优缺点等。
（2）提到个理想的驱动电路还需要满足下列要求。。可以借鉴。
（3）推荐了两款SiC的MOSFET，Rohm公司和Cree公司，都说明得很详细，并介绍了对应的官方提供的驱动电路，可以借鉴，但是驱动电路都是单管，没有桥式结构。
（4）提到了桥臂干扰问题，如下文，并讲解了抑制措施。
（5）提出自己的驱动解决思路，抑制干扰问题。
（6）设计了驱动电路的隔离方式，两种：脉冲和光耦。用了Avago的ACPL-P/W346作为隔离光耦，UCC27531作为驱动器。这款可以借鉴。
（7）
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