关于GaN开关过程、损耗的分析

1. 一星
   讲了GaN器件分别用在硬开关和软开关的效率区别，文章真心一般。频率最高只做到750kHz，唯一有作用的可能是最后的两个损耗三维图。¹

2. 二星
   讲了关于GaN的门极噪声与电压、频率、门极电阻的关系，文章频率就做到300kHz，作用较小。提到了同步整流BUCK的上管硬，下管ZVS，以及GS振荡的原因，及GaN的反向导通特性，还是有点参考价值的。 ²

3. 三星
   讲了如何利用双脉冲测试法测量GaN的开关损耗，主要问题是讲的太简略了，缺少必要的分析。提到了，电流与米勒平台电压、开通关断时间、以及开通损耗大于关断损耗，这一部分有一定参考。³

1. 五星
   这篇感觉写的太好啦，很详细很详细。
   首先介绍了GaN的开关损耗分布，由与电流无关的损耗Eqoss和Eoss以及与电流有关的损耗Eon和Eoff，其中，Eqoss大于Eoss。当电流较小时，Eqoss和Eoss占较大比重。
   在大电流时，如果将并联的GaN运用在电路中，那么，导通损耗将会较小。但是，由此输出电容将会增大，开关损耗会随之增大。
   所以，提出了在大电流时，使用同步并联（即所有并联的GaN同时开关）