模拟电路知识点总结（极简略版）--晶体管

一、晶体管的分类

 1.双极型晶体管（BJT）

 2.场效应晶体管（FET）

 

二、双极型晶体管的分类

 1.NPN

 2.PNP

 

三、BJT的三个极

 1.基极（b）

 2.发射极（e）

 3.集电极（c）

 

四、BJT的三种状态

 1.放大

  条件：发射结正偏，集电极反偏

 

 2.饱和

  条件：发射结正偏，集电极正偏

 

 3.截止

  条件：发射结反偏，集电极反偏

 

 4.倒置（不常用）

  条件：处在放大状态时，c和e调换就是倒置状态

 

 注：正偏就是P（PN结的P）结电压大于N结的电压，反偏就是P（PN结的P）结电压小于N结的电压

 

五、FET的分类

 1.JFET（结型场效应晶体管）

  ①N沟道JFET

  ②P沟道JFET

 

 2.MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）

  ①增强型MOSFET

   a、N沟道增强型MOSFET

   b、P沟道增强型MOSFET

 

  ②耗尽型MOSFET

   a、N沟道耗尽型MOSFET

   b、P沟道耗尽型MOSFET

 
 
注：本文为回忆性总结，学习模电过程中总结知识点，难免会有错漏，望给予指正。