模电1.3 晶体三极管

1.3.1 晶体管的结构及类型

在一个硅片上制造出三个掺杂区域，形成两个PN结，就形成了晶体管。

【特点】
三个极，三个区，两个PN结。
发射区：浓度高。（高浓度才使得有东西可以发射）
基区：很薄，且浓度低。
集电区：浓度低，但面积很大（起到收集作用）
【符号】

箭头方向为PN结方向，注意区分NPN型与PNP型。

1.3.2 晶体管的电流放大作用

晶体管是利用分配电流来控制放大的。

此图为NPN型晶体管的共射放大电路，基集-发射极回路称为输入回路，发射极-集电极回路称为输出回路，发射极是两个回路的公共端，所以成为共射放大电路。

放大作用： 小的基极电流（I_B）可以控制大的集电极电流（I_C）。【靠分配电流来控制】

工作在放大状态的条件是：发射结正偏（P→N），集电结反偏（N→P）。因此加电压 V_BB与 V_CC，且 V_CC > V_BB。

一、内部载流子的运动

（图中黑色圆球为电子，白色圆球为空穴）

发射极电流 I_E：

由于外加正向电压V_BB，以及发射区浓度高，发射区的多子自由电子进行扩散运动扩散到基区，形成电流I_EN；同时，基区的多子空穴也会在电压与浓度的作用下，从基区向发射区扩散，但极其微小，形成电流I_EP。
故 I_E = I_EN + I_EP
I_E 是由于外加正向电压V_BB与扩散运动形成的。

基极电流 I_B：

由于基区浓度低（即空穴数目少），以及外加反向电压V_CC ， 大部分到达基区的自由电子会作为基区的非平衡少子继续向集电结流去，形成电流I_CN。
只有少部分的自由电子留在基区内准备参与复合，形成电流I_BN。
在外加电压V_CC的作用下，集电极的空穴与基极的自由电子（此时基区的非平衡少子为自由电子，因为发射极给的电子实在太多了）进行漂移运动，但极其微小，形成电流I_CBO。
自由电子与空穴进行复合，V_BB不断提供空穴，使得复合运动不断进行下去，形成基极电流I_B。
故I_B = I_BN + I_EP - I_CBO
I_B 是由于复合运动形成的。

集电极电流 I_C：

从基区内分析可知，集电结的电流包含：①从基极扩散到集电极的自由电子所形成的电流I_CN ②集电极流向基极的空穴形成的电流I_CBO。
故I_C = I_CN + I_CBO
I_C 是由于外加反向电压V_CC与漂移运动形成的。

二、晶体管的电流分配关系

由第一节分析可知：
①I_E = I_EN + I_EP = I_CN + I_BN + I_EP（发射极流出的电子一部分继续跑向集电极，一部分留在基极，故I_EN = I_CN + I_BN）
②I_B = I_BN + I_EP - I_CBO
③I_C = I_CN + I_CBO
从外部看：
I_E = I_C +I_B

三、共射电流放大系数

共射放大系数 β：β = ΔI_C / ΔI_B
共基放大系数 α：α = ΔI_C / ΔI_E = β / （1+β）

1.3.3 晶体管的共射特性曲线

一、输入特性曲线

输入特性为电流I_B与电压U_BE的关系。

当U_CE = 0V时，相当于集电极与发射极短路，即集电极与发射极并联。此时相当于 i_B 流经两个背靠背的二极管，故与伏安特性曲线相似。

当U_CE 增大时，根据内部载流子的运动关系可知，基区内的自由电子向集电极流去，形成电流 i_C，使得基区内由于复合运动形成的i_B 减少，因此，若想要获得同样的 i_B，则需要增大U_BE，曲线右移。

但对于固定的U_BE，U_CE增大到一定程度后，基区内绝大多数的电子都已经流向了集电极，所以再增大U_CE，i_C不会明显增大，故i_B基本保持不变。

二、输出特性曲线

输出特性为电流I_C与电压U_CE的关系。

分析过程已在输入特性中写明。从特性曲线中可以看到，晶体管有三个工作区：

①截止区： i_B = 0V ，相当于V_BB ≈ 0V ，此时集电极反偏，发射极未达到开启电压。 电路中只有很小的电流I_CEO，近似处理中认为 i_C = 0V。

②放大区： 此时集电极反偏，发射极正偏。 电流i_B对电流i_C起控制作用，满足 I_C = β × I_B。

③饱和区：此时集电极与发射极均正偏， 即U_CE < U_BE。i_C不仅与i_B有关，也随着U_CE的增大而增大，此时 I_C ＜ β × I_B。
对于小功率管，可以认为当U_CE = U_BE时，晶体管处于临界状态。

三、极限参数

（1）最大集电极耗散功率P_CM：P_CM = i_C × u_CE
（2）最大集电极电流I_CM：i_C在相当大的范围内β基本保持不变，但i_C大到一定程度时，β开始减小的电流为I_CM。
（3）极间反向击穿电压：某一电极开路时，两外两几所允许加的最高反向电压。

1.3.4 温度对晶体管特性及参数的影响

一、温度对输入特性的影响

与伏安特性曲线类似，温度升高，曲线左移

二、温度对输出特性曲线的影响

温度升高，曲线上移

1.3.6 光电三极管

一、外形及符号

二、输出特性曲线

与普通晶体管的输出特性曲线相似，只是将基极电流I_B用入射光强E取代。