2、雷击浪涌和USB热插拔浪涌

一、典型的雷击浪涌

典型的雷击浪涌条件下，尤其是在电力线入线处使用的瞬态电压抑制二极管（Transient Voltage Suppression Diode, TVS）需要能够处理非常高的瞬时电流。雷击浪涌是一种极端的电磁现象，它能通过电源线、通信线路等侵入电子系统，造成严重的损害。

常见的参数参考范围：

1）峰值电流：在直接或间接雷击事件中，通过电力线入线处的TVS的峰值电流可以达到3000A或更高。这个数值反映了雷电浪涌的强大能量。

2）持续时间：这样的电流冲击通常持续时间很短，大约在20微秒（us）左右。尽管持续时间短暂，但由于电流强度极大，能在瞬间产生巨大的热能和电动力，对电子设备构成严重威胁。

3）峰值电压：在直接雷击情况下，电压甚至可以达到上亿伏特。当雷电通过电力线入侵时，尽管大部分能量会被避雷针或外部防雷系统分散和泄放，但仍有部分能量会沿着导线传播，形成所谓的浪涌电压。

为了保护电子系统不受此类浪涌的影响，TVS等保护器件被设计为能够在极短时间内导通高电流，将过电压钳位在安全水平，从而保护后端电路。TVS的选择和应用需要基于预期的浪涌能量级别、响应时间和保护电路的具体需求，同时还需要符合相关的安全标准，如IEC 61000-4-5等，确保系统的可靠性和安全性。

二、USB热插拔浪涌

USB热插拔过程中产生的浪涌，主要是由连接瞬间电容充电引起的电流尖峰。这个浪涌的大小（即峰值电流）和持续时间可以从几安培到几十安培不等，持续时间通常在微秒(ms)到毫秒(ms)的范围内。具体数值取决于多个因素，包括：
1）USB接口类型：不同版本的USB标准（如USB 2.0、USB 3.0或USB-C/USB PD）其接口的电容负载不同，这直接影响到热插拔时电容充电所需的电流大小。

2）设备设计：设备内部的滤波电容大小、PCB布线以及保护电路的设计都会影响到浪涌的特性。

3）连接器质量：高质量的连接器设计能更好地管理瞬态电流，减少浪涌影响。

4）电源供应质量：电源适配器的响应能力和输出稳压能力也会影响热插拔浪涌的表现。

常见的参数参考范围：

电流浪涌：通常在几安培到几十安培之间，对于标准USB 2.0和3.0设备，可能会看到高达2安培至5安培的瞬态电流。USB-PD（Power Delivery）设备由于支持更高的功率传输，其热插拔电流浪涌可能会更大，有时会设计保护电路来限制电流不超过设备或端口的最大承受能力，比如限制在500mA或更高，具体依据USB-PD规范和设计要求。

浪涌电压：电压变化相对较小，通常在毫伏(mV)范围内。这是因为USB规范中有稳压要求，电源设计通常包括足够的滤波和稳压措施来维持电压稳定，防止大幅度的电压尖峰。电压下降或上升的瞬间变化主要是由连接时电容充电效应引起的，但这通常不会超过USB规范的电压容差范围（例如，对于5V USB电源，电压容差可能在4.75V到5.25V之间）。

持续时间：电流和电压的这种瞬态变化都非常短暂，一般在微秒到毫秒(ms)量级。具体持续时间取决于电路的响应速度，以及电容充电完成所需的时间。

需要注意的是，为了保护系统免受热插拔引起的浪涌影响，设计中通常会集成各种保护措施，比如ESD（静电放电）保护元件、TVS（瞬态电压抑制）二极管、电流限制电路等，这些都能有效限制瞬态电流和电压尖峰，确保设备的稳定和安全操作。因此，实际应用中观察到的浪涌效应可能会因这些保护机制的存在而大大减轻。