18-STM32F1-内部FLASH存储数据

STM32F1 -内部FLASH编程
STM32的FLASH不但可以存储程序，而且还是可以当EEPROM用。32的FLASH一般都比较大，FLASH的前面部分可以放代码，而最后几页可以存储数据，用于掉电记忆还是挺不错的。
STM32的FLASH是按页类操作的，也就是说每次擦除都必须整页擦除，而不能只擦除一页的一部分，读数据的话不存在这种限制。大容量的芯片每页是2k，而小容量的芯片每页是1k。
STM32的FLASH地址是从0x08000000开始的。比如要操作大容量512k芯片的最后一页FLASH，那么地址是0x08000000+2048*255.其中0x08000000是FLASH的起始地址，512k的芯片共有256页，每页2k，所以地址就是起始地址+前面255页的大小。比如操作64k的小容量的芯片的最后一页，那么地址就是0x08000000+1024*63.因为小容量芯片每页只有1k，所以地址=起始地址+前面63页 大小。
在利用FLASH存储数据的过程中发现一个小问题，存储浮点数精度会丢失，所以只好把浮点数放大再存储，读出来的时候再还原回去。在利用库函数操作的时候，发现库函数的底层会把数据强制转换为无符号整型才存储进FLASH里面，但是如果把负数存储进去，读出来的时候还是负数，就好像强制转换语句失效了一样，其实库函数是没问题的，这个和正数负数在内存中的存储结构有关，在这里不过多的解释。
在STM32的技术手册里是找不到FLASH的相关寄存器和操作的，在《STM32的FLASH编程》里面才有。操作STM32的FLASH如果用寄存器的话是非常麻烦的，而且还非常容易出错，但是如果用库操作的话会非常简单，比如关键字、延时什么的库都帮我们做好了，我们只要调用接口