第二章 制造工艺
2.1 引言
本章概述了现代CMOS工艺中遇到的一般设计规则,以及对IC封装选择的考虑。
2.2 CMOS集成电路的制造
n阱对应PMOS,现代有双阱。//硅圆片//光刻//…
2.3 设计规则
2.4 集成电路封装
2.5 综述:工艺技术的发展趋势
第三章 器件
3.1 引言
3.2 二极管
pn结//静态特性//瞬态特性//…
3.3 MOSFET
简介
静态特性:
1、阈值电压:NMOS正值,PMOS负值。
2、电阻工作区:3、饱和区:
4、沟道长度调制
5、速度饱和
6、亚阈值情形
…
动态特性
取决于充放电器件时的本征寄生电容和互连线和负载的额外电容。
…
第四章
暂不更新