数集第二、三、四章

第二章 制造工艺

2.1 引言
本章概述了现代CMOS工艺中遇到的一般设计规则，以及对IC封装选择的考虑。
2.2 CMOS集成电路的制造
n阱对应PMOS，现代有双阱。//硅圆片//光刻//…
2.3 设计规则
2.4 集成电路封装
2.5 综述：工艺技术的发展趋势

第三章 器件

3.1 引言
3.2 二极管
pn结//静态特性//瞬态特性//…
3.3 MOSFET
简介
静态特性：
1、阈值电压：NMOS正值，PMOS负值。
2、电阻工作区：3、饱和区：
4、沟道长度调制

5、速度饱和
6、亚阈值情形
…
动态特性
取决于充放电器件时的本征寄生电容和互连线和负载的额外电容。

…

第四章

暂不更新