5.1 存储器基本概念
现代计算机系统以存储器为中心。
记忆单元 (存储基元 / 存储元 / 位元):具有两种稳态的能够表示二进制数码0和1的物理器件
存储单元 / 编址单位:主存中具有相同地址的那些位构成一个存储单元,又称为一个编址单位。
存储体/ 存储矩阵 / 存储阵列:所有存储单元构成一个存储阵列。
存储器地址寄存器(Memory Address Register – MAR):用于存放主存单元地址的寄存器。
存储器数据寄存器(Memory Data Register–MDR):用于存放主存单元中数据的寄存器。
机器字长:运算器中参加运算的寄存器的位数,即数据通路的宽度。
存储字:存储芯片中一个读写单位,一般等于存储器的数据线宽度。
编址方式:对存储体中各存储单元进行编号的方法。按字节编址(现代计算机基本上都按字节编址)、按字编址(早期有机器按字编址)。
存储器的分类
按存取方式分:随机、顺序、直接、相联
随机访问存储器(RAM):存储器任意单元可随时访问且访问所需时间都是相同的,访问时间与存储单元所处的物理位置无关,速度快(ns),用于内存。
只读存储器(ROM):正常工作时只读,能随机读出,不能随机写入。MROM:只读,PROM:一次写,可多次改写ROM:EPROM、E2PROM。
相联存储器(CAM):按内容检索到存储位置进行读写,速度快(ns),价格高,用于快表(TLB)。
顺序存储器(SAS):信息以文件形式组织,一个文件包含若干个数据块,一个数据块包含若干字节。存储时以数据块为单位存储,顺序地记录在存储介质上。数据按顺序从存储载体的始端读出或写入,因而存取时间的长短与信息所在位置有关。
速度慢(s)、容量大、成本低,用作后援外存。用于磁带、电荷耦合器件CCD、VCD。
直接存取存储器DAS/DAM:RAM+SAS,信息的组织同SAS,介于随机和顺序存取之间。利用一个共享读写机制,直接定位到要读写的数据块,在读写某个数据块时按顺序进行,速度慢(ms),用于磁盘。
按存储介质分:半导体、磁表面、激光盘
半导体存储器:速度快,用作内存,双稳态触发器、电容(静态、动态)
磁表面存储器:用陶瓷、非磁性金属或塑料作载磁体,磁化后具有两种不同的剩磁状态记录信息“1”和“0”,非易失,容量大并且每位价格低 。用作外存。
光盘存储器:用有机玻璃作载磁体,利用磁化、晶态/非晶态表示信息,非易失,可靠性高,保存时间长,容量大且易于更换,存储速度比硬盘低一个数量级。
铁电存储器:铁电晶体的铁电效应,用两种极化状态表示信息“1”和“0”,非易失,电压低(读写功耗极低)、存取速度快、可高密度集成,容量小。
按信息可更改性:可读可写、只读
破坏性存储器:读出时,原存信息被破坏,需重写,DRAM。
非破坏性存储器:读出时,原存信息不被破坏,SRAM。
按断电后可否保存:易失、非易失
数据挥发性存储器(易失性存储器):断电后,信息即丢失,SRAM。
非挥发性存储器(非易失性/永久性存储器):断电后,信息不丢失,ROM、磁盘。
按功能/容量/速度分:寄存器、Cache、主存(内存)、辅存(外存)
高速暂存存储器:封装在CPU内,用于存放当前正在执行的指令和使用的数据,用触发器实现,速度快,容量小(几十个)
高速缓冲存储器:位于CPU内部或位于主存和CPU之间,用来存放当前正在执行的局部程序段和数据,用SRAM实现,速度O(ns)、容量O(KB) 、O(MB)。
主存储器:位于CPU之外,用来存放已被启动的程序及所用数据,用DRAM实现,速度O(ns)、容量O(MB)、O(GB)。
辅助存储器:位于主机之外,用来存放暂不运行的程序、数据或存档文件,用磁表面或光存储器实现,容量大,但速度慢。
解决内存访问速度慢的措施:
1、提高主存