ARM uboot 的移植1-从三星官方 uboot 开始移植

一、移植初体验

1、直接编译三星移植版 uboot 尝试运行

(1) 复制到 linux 的源生目录下，然后解压开。

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(2) 检查 Makefile 中的交叉编译工具链。

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(3) 配置时使用：make smdkv210single_config，对应 include/configs/smdkv210single.h 头文件。

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(4) 配置完成后直接 make 编译，编译完成后就进入烧录步骤。

make distclean
make smdkv210single_config
make -j8

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(5) uboot/sd_fusing 目录下有 sd_fusing.sh 脚本，用来烧录。

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2、代码分析 & 问题查找

运行结果是：第一，串口无输出；第二，开发板供电锁存成功。

分析运行结果：uboot 中串口最早的输出在 “OK”，在 lowlevel_init.S 中初始化串口时打印出来的；串口无输出 “O” ，说明在打印 “O” 之前代码已经死掉了；开发板供电锁存在 lowlevel_init.S 中，开发板供电锁存成功，说明这个代码之前的部分是没问题的。两个结合起来得到结论：错误在开发板供电锁存代码和串口初始化打印 “O” 代码之间。

整个程序运行是从 start.S 开始的，看代码也从这里开始。
实际上只要屏蔽掉 bl PMIC_InitIp 这一行代码，然后重新编译，整个 uboot 就启动起来了。但是很多配置信息是有问题的，很多功能应该也是不能用的，都要去一一查验。

make dstclean
make smdkv210single_config
make -j8
cd sd_fusing/
./sd_fusing.sh /dev/sdb

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二、时钟和 DDR 的配置移植

1、更改 CONFIG_IDENT_STRING

更改 CONFIG_IDENT_STRING 为 " for MY_ARMBOOT_V210"，然后同步到 ubuntu 中的一份代码，然后 make distclean; make smdkv210single_config，然后make，然后烧录运行，检查打印出来的 banner 信息是否如我们改动的那样。

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2、确认时钟部分的配置

(1) 时钟部分的运行结果本来就是对的，时钟部分的代码在 lowlevel_init.S 中的 bl system_clock_init 调用的这个函数中。函数的代码部分是没任何问题的，根本不需要改动，要改动的是寄存器写入的值，这些值都在配置头文件（smdkv210single.h）中用宏定义定义出来了。如果时钟部分要更改，关键是去更改头文件中的宏定义。

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(2) 三星移植时已经把 210 常用的各种时钟配置全都计算好用宏开关来控制了。只要打开相应的宏开关就能将系统配置为各种不同的频率。

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3、DDR 配置信息的更改

(1) 从运行信息以及 bdinfo 命令看到的结果，显示 DRAM bank0 和 1 的 size 值都设置错了。

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(2) 使用 md 和 mw 命令测试内存，发现 20000000 和 40000000 开头的内存都是可以用的，说明代码中 DDR 初始化部分是正确的，只是 size 错了。

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(3) 内存部分配置成：

#define CONFIG_NR_DRAM_BANKS    2          /* we have 2 bank of DRAM */
//#define SDRAM_BANK_SIZE         0x20000000    /* 512 MB */
#define SDRAM_BANK_SIZE         0x10000000    /* 256 MB */
#define PHYS_SDRAM_1            MEMORY_BASE_ADDRESS /* SDRAM Bank #1 */
#define PHYS_SDRAM_1_SIZE       SDRAM_BANK_SIZE
//#define PHYS_SDRAM_2            (MEMORY_BASE_ADDRESS + SDRAM_BANK_SIZE) /* SDRAM Bank #2 */
#define PHYS_SDRAM_2            0x40000000
#define PHYS_SDRAM_2_SIZE       SDRAM_BANK_SIZE

#define CFG_FLASH_BASE		0x80000000

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三、DDR地址另外配置

1、目标：将DDR端口0的地址配置为30000000开头

(1) 更改有 2 个目的：第一是让大家体验内存配置的更改过程；第二是 3 开头的地址和DRAM bank1 上 40000000 开头的地址就连起来了。这样我们就得到了地址连续的 512MB 内存，而原来我们得到的 512MB 内存地址是断续的。

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2、DDR 初始化参数更改

(1) 根据裸机中讲 DDR 初始化部分的课程，和 uboot 前面分析 uboot 中 DDR 初始化部分的代码的课程，得出结论就是：DDR 的初始化代码部分是在 lowlevel_init.S 中写的，是不用动的。代码部分就是对相应寄存器做相应值的初始化；要动的是值，而 uboot 为了具有可移植性，把值都宏定义在 include/configs/xxx.h 中了。因此我们只需要去这个配置头文件中更改配置值即可。

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(2) 更改内容是：#define DMC0_MEMCONFIG_0 0x20E01323 改为：
#define DMC0_MEMCONFIG_0 0x30E01323 注意 20 改为 30 了。

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3、smdkv210single.h 中相关宏定义修改

(1) 寄存器的值改了后，相当于是硬件配置部分做了更改。但是 uboot 中 DDR 相关的一些软件配置值还没更改，还在原来位置，所以要去更改。

(2) #define MEMORY_BASE_ADDRESS 0x20000000 改为：
#define MEMORY_BASE_ADDRESS 0x30000000。

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4、虚拟地址映射表中相应修改

(1) uboot 中开启了 MMU 对内存进行了段式映射，有一张内存映射表。

(2) 经过实际分析，发现这个内存映射只是把 20000000 开始的 256MB 映射到 C0000000 开头的 256MB。我们更改方法是将 2 改成 3.

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(3) 为了安全起见，再去配置头文件 smdkv210single.h 中查一遍，看看有没有其他的宏定义值和内存配置有关联的。

重新配置编译，烧录运行查看结果，发现还有问题。

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四、DDR 初始化参数更改2

1、修改 DMC0 的配置参数

(1) 修改 DDR 中 DMC0 的 memconfig_0 寄存器的配置值，将
#define DMC0_MEMCONFIG_0 0x30E01323 改为：
#define DMC0_MEMCONFIG_0 0x30F01323

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(2) 然后重新同步、编译烧写运行，发现 uboot 第二阶段运行了，但是整个 uboot 还是不成功。

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(3) 分析问题，寻找解决方案。分析方法有 2 种：第一种靠经验、靠发现能力、靠直觉去找；第二种就是在整个代码中先基本定位错误地方，然后通过在源代码中添加打印信息来精确定位出错的代码，然后找到精确的出错位置后再去分析错误原因，从而找到解决方案。

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2、修改虚拟地址到物理地址的映射函数

(1) 修改 uboot/board/samsung/smdkc110/smdkc110.c 中的 virt_to_phy_smdkc110，将其中的 20000000 改为 30000000 即可。

(2) 同步代码，然后重新编译烧录运行。

现象跟三星官方移植的那份源码效果是相同的。

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源自朱友鹏老师.